# AIXTRON SE

> Entwicklung und Fertigung von MOCVD- und CVD-Depositionsanlagen für Verbindungshalbleiter und 2D-Nanomaterialien

## Auf einen Blick

- **Ort:** Herzogenrath
- **Website:** https://www.aixtron.com
- **Verfahren:** MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) für Verbindungshalbleiter (Planetary Reactor /, SiC-CVD (Warmwand-Planeten-Prinzip / VPE) für SiC-Epitaxie, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE)CVD, Thermische CVD für 2D-Nanomaterialien, MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für SiC-Leistungselektronik, MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für GaN power & RF, MOCVD für Hochvolumenproduktion von GaAs/InP-Materialien, MOCVD-Anlagenbau (Hersteller von Depositionsanlagen, keine Lohnfertigung), 24/7 Technical Support Line, Installation vor Ort, Wartung & Service-/Wartungsverträge, Upgrades/Anlagenerweiterung, Ersatzteilversorgung (weltweite Lager), Schulungen (Training Center & Lab Herzogenrath, Suzhou), Betriebskostenkalkulation, SiC Application Lab Services
- **Werkstoffe:** Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si-Substrate), Saphir (Substrat), Graphen, Kohlenstoffnanoröhren/-drähte, MOCVD (Planetary Reactor / Close Coupled Showerhead), SiC-CVD (Warmwand-Planeten-Prinzip), (Plasma-Enhanced) Chemical Vapor Deposition
- **Zertifikate:** ISO 9001:2015 (DQS), ISO 50001:2018, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018, EN ISO/IEC 27001:2022, CE / TÜV / ETL / UL
- **Branchen:** Halbleiterindustrie, LED- und Displaytechnologie, Leistungselektronik (SiC/GaN), Optoelektronik und Laser, RF-Elektronik, Datenübertragung, Sensorik, Forschung & Entwicklung
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/aixtron

## Über uns

Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das 1983 als Ableger der RWTH Aachen gegründete Unternehmen mit Sitz in Herzogenrath entwickelt und fertigt MOCVD-Anlagen (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) mit Planetary Reactor- und Close Coupled Showerhead-Technologie sowie SiC-CVD-Anlagen nach dem Warmwand-Planeten-Prinzip. Das Produktportfolio umfasst Anlagen für die Hochdurchsatz-Epitaxie von 150/200-mm-Wafern für SiC-Leistungselektronik, GaN power & RF sowie GaAs/InP-basierte Optoelektronik und RF-Anwendungen, ergänzt durch (PE)CVD-Systeme für Graphen, Kohlenstoffnanoröhren und 2D-Nanomaterialien. Bis heute wurden über 3.000 Depositionsanlagen weltweit ausgeliefert. Kunden kommen aus LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, Sensorik, Leistungselektronik und Forschung, darunter IQE, Lumentum, Epistar, Infineon, Fraunhofer-Institute und Universitäten. Neben dem Hauptsitz in Herzogenrath mit einem 16.000 m² F&E-Zentrum unterhält AIXTRON Niederlassungen in Cambridge (UK), Santa Clara (USA) und an mehreren Standorten in Asien.

## Verfahren & technische Grenzen

- MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) für Verbindungshalbleiter (Planetary Reactor /
- SiC-CVD (Warmwand-Planeten-Prinzip / VPE) für SiC-Epitaxie
- Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE)CVD
- Thermische CVD für 2D-Nanomaterialien
- MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für SiC-Leistungselektronik
- MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für GaN power & RF
- MOCVD für Hochvolumenproduktion von GaAs/InP-Materialien
- MOCVD-Anlagenbau (Hersteller von Depositionsanlagen, keine Lohnfertigung)

## Maschinenpark

- MOCVD-Batch-Reaktor (Dual Wafer Size) AIXTRON G10-SiC
- MOCVD-Cluster-Anlage (3 Prozesskammern) AIXTRON G10-GaN
- MOCVD-Planetenreaktor (vollautomatisch, C2C) AIXTRON G10-AsP
- MOCVD-Planetenreaktor AIXTRON AIX G5+ C
- MOCVD-F&E-Anlage (Close Coupled Showerhead Flip Top Reactor) AIXTRON CCS Flip Top
- MOCVD-Planetenreaktor (Massenproduktion GaAs/InP) AIXTRON AIX 2800G4-TM (IC2)
- SiC-VPE-Reaktor (Warmwand-Planetenreaktor) AIXTRON AIX G5 WW C
- F&E-Zentrum AIXTRON

## Standorte

- Herzogenrath – Hauptsitz, F&E-Zentrum (16.000 m²), Anlagenbau, Training Center & Lab
- Cambridge (UK) – F&E und MOCVD-Anlagenbau (Close Coupled Showerhead)
- Santa Clara (USA) – Niederlassung und Service Center
- Shanghai – Vertrieb und Service Center
- Tokyo – Vertrieb und Service Center
- Hwaseong (Gyeonggi-do) – Vertrieb und Service Center
- Hsinchu – Vertrieb und Service Center
- Kulim (Kulim Hi-Tech Park) – Niederlassung

## Historie

- 1983: Gründung durch Mitarbeiter des Instituts für Halbleitertechnik der RWTH Aachen durch Dr. Holger Jürgensen und Dr. Meino Heyen.
- 1985: Inbetriebnahme der ersten AIXTRON MOCVD-Anlage.
- 1989: Exklusive Lizenz von Philips für die Planetary Reactor-Technologie.
- 1990: Auslieferung der ersten MOCVD-Multi-Wafer-Anlage.
- 1994: ISO-9001-Zertifizierung; erste Depositionsanlage zur Herstellung blauer LEDs.
- 1997: Börsengang an der Frankfurter Wertpapierbörse (Neuer Markt/TecDAX).
- 1999: Übernahme der Thomas Swan Scientific Equipment Division (AIXTRON Ltd, CCS-Technologie) und der EPIGRESS AB (SiC-CVD).
- 2005: Erwerb der Genus, Inc. (USA) mit ALD-Technologie.
- 2007: Übernahme der Nanoinstruments Ltd. (UK), Erweiterung um (PE)CVD-Nanotechnologie.
- 2010: Umwandlung in SE; Inbetriebnahme des 16.000-m²-F&E-Zentrums in Herzogenrath; Launch der Anlagengenerationen G5 und CRIUS II.
- 2011: Auslieferung der 2.000sten MOCVD-Anlage an Changelight Co., Ltd.
- 2012: Eröffnung des Training Center & Lab in Suzhou, China.
- 2013: 30-jähriges Jubiläum; AIX G5+ Planetenreaktor mit CS Industry Award und Aurora Award ausgezeichnet.
- 2017: Verkauf der ALD/CVD-Produktlinie für Speicherchips; dena Energy Efficiency Award; Fokussierung des Produktportfolios.
- 2020: AIXTRON wird Teil des MDAX.
- 2022: AIXTRON wird Teil des EUROSTOXX 600; OLED-Geschäft (APEVA) eingestellt.
- 2023: G10-GaN- und G10-AsP-Launch komplettiert die G10-Produktfamilie.
- 2024: Eröffnung des Innovationszentrums in Herzogenrath.

## Kontakt

- Dornkaulstr. 2
- 52134 Herzogenrath
- +49 2407 9030-0