# ALLOS Semiconductors GmbH

> Entwickelt GaN-on-Silicon-Epiwafer für MicroLED-Displays und optische Interconnects in 200 mm und 300 mm.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Dresden
- **Website:** https://www.allos-semiconductors.com/
- **Gegründet:** 2014
- **Verfahren:** Herstellung von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Epitaxie-Wafer für MicroLEDs), Epiwafer-Bereitstellung in 200 mm und 300 mm Waferdurchmesser (fabless über Vertragsfertiger), Fabless-Produktion über Netzwerk qualifizierter Contract Manufacturer, Onshoring / On-Site Manufacturing, IP-Portfolio (ca. 100 Patente)
- **Werkstoffe:** GaN-on-Silicon (Galliumnitrid auf Silizium, epiwafers), Silizium-Wafer, GaN-on-Silicon (Galliumnitrid auf Silizium)
- **Branchen:** Halbleiter, MicroLED Displays, AR/Displays, AI-Hardware / optische Interconnects
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/allos-semiconductors

## Über uns

ALLOS Semiconductors ist ein 2014 gegründetes, privates Hightech-Unternehmen mit Sitz in Dresden und Anbieter von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Galliumnitrid auf Silizium) für MicroLED-Anwendungen. Die Materialien dienen zwei wachstumsstarken Märkten: MicroLED-basierte optische Interconnects für KI-Computing sowie MicroLED-Displays als visuelle Schnittstellen zu KI-Systemen, insbesondere AR-Displays. ALLOS arbeitet als Fabless-Unternehmen und nutzt ein globales Netzwerk qualifizierter Contract Manufacturer und Spezialzulieferer; das ermöglicht flexible Skalierung einschließlich Onshoring und On-Site Manufacturing. Alle Epiwafer sind vollständig siliziumfab-kompatibel und in 200 mm sowie 300 mm Waferdurchmesser verfügbar, sodass die MicroLED-Fertigung in bestehenden Silizium-Fabs einschließlich fortschrittlicher Wafer-to-Wafer-Bonding-Technologien erfolgen kann. Bereits 2020 demonstrierte ALLOS als weltweit erstes Unternehmen einen 300 mm LED-Epiwafer. Die Produkte sind durch ein IP-Portfolio von rund 100 Patenten geschützt.

## Verfahren & technische Grenzen

- Herstellung von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Epitaxie-Wafer für MicroLEDs)
- Epiwafer-Bereitstellung in 200 mm und 300 mm Waferdurchmesser (fabless über Vertragsfertiger)

## Standorte

- Dresden – Hauptsitz

## Historie

- 2014: Gründung in Dresden, Deutschland
- 2020: Weltweit erstes Unternehmen, das einen 300-mm-LED-Epiwafer demonstrierte

## Kontakt

- Dresden
- +49-351-212 937-20
- sales@allos-semiconductors.com