# ASM International N.V.

> Entwickelt und fertigt Wafer-Bearbeitungssysteme für Dünnschichtdeposition (ALD, Epitaxie, PECVD) in der Halbleiterfertigung.

## Auf einen Blick

- **Ort:** AP Almere
- **Website:** https://www.asm.com
- **Gegründet:** 1968
- **Mitarbeiter:** 4800+
- **Verfahren:** Atomic Layer Deposition (ALD), Thermal ALD, Plasma Enhanced ALD (PEALD), Epitaxy (kristallines Schichtwachstum), SiC-Epitaxy (Siliziumcarbid), PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), Diffusion (Dotierung), Oxidation, Surface Preclean (Waferreinigung), Flowable Carbon Gap-Fill und Planarisierung (PECVD), Dry Cleaning (hochselektiv, säurefrei), ALD-Beschichtung / Oberflächenmodifikation / hochpräzises Refurbishing, Service & Support (Feldservice, Ersatzteile), Kundentraining (Level 1/2, Custom), Pre-Owned Advantage Services (Refurbishment), Preventative Maintenance (PM-Programme), Dry cleaning (säurefreie, selektive Teilereinigung), Surface engineering (ALD-Beschichtung, Refurbishing), Automation (PM-bot)
- **Werkstoffe:** Silizium (Si), Silizium-Germanium (SiGe), Phosphor-dotiertes Silizium (SiP), Siliziumcarbid (SiC), Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Siliziumcarbinitrid, Titandioxid, Flowable Carbon, Atomic Layer Deposition (ALD), Plasma Enhanced ALD, Epitaxie (Si, SiGe, SiP), SiC-Epitaxie, PECVD, Vertikale Öfen (LPCVD, Diffusion, Oxidation), Hafniumoxid / Hafniumsilikat
- **Branchen:** Halbleiterfertigung, Advanced Logic/Foundry, Memory (DRAM/HBM), Advanced Packaging, SiC/Elektrofahrzeuge, KI/Rechenzentren
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/asm-international-n-v

## Über uns

ASM International N.V. ist ein niederländisches Unternehmen, das 1968 von Arthur del Prado gegründet wurde und Wafer-Bearbeitungssysteme für die Halbleiterfertigung entwickelt und produziert. Das Portfolio umfasst Atomlagenabscheidung (ALD und PEALD), Epitaxie für Silizium, SiGe und Siliziumcarbid (SiC), PECVD für dielektrische Schichten sowie vertikale Batch-Öfen für LPCVD, Diffusion und Oxidation. Die Verfahren ermöglichen ultradünne, konforme Schichten auf 150-, 200- und 300-mm-Wafern für Advanced Logic, Memory (DRAM/HBM), Advanced Packaging und SiC-Anwendungen wie Elektrofahrzeuge. Das Unternehmen beschäftigt über 4.800 Mitarbeiter an 15 Schlüsselstandorten, davon mehr als 1.150 in Forschung und Entwicklung; die Fertigung ist in Singapur zentralisiert. Der Hauptsitz befindet sich in Almere (Niederlande), das größte R&D-Zentrum in Phoenix/Scottsdale (Arizona, USA). Weitere R&D-Standorte sind Helsinki (Material- und Prozessforschung) und Leuven (Partnerschaft mit IMEC), während der Standort Catania (Italien) nach der LPE-Übernahme 2022 SiC-Epitaxie-Equipment bietet. ASM investierte zuletzt rund 512 Mio. Euro in F&E und hält über 3.950 Patente.

## Verfahren & technische Grenzen

- Atomic Layer Deposition (ALD)
- Thermal ALD
- Plasma Enhanced ALD (PEALD)
- Epitaxy (kristallines Schichtwachstum)
- SiC-Epitaxy (Siliziumcarbid)
- PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)
- LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
- Diffusion (Dotierung)
- Oxidation
- Surface Preclean (Waferreinigung)
- Flowable Carbon Gap-Fill und Planarisierung (PECVD)
- Dry Cleaning (hochselektiv, säurefrei)
- ALD-Beschichtung / Oberflächenmodifikation / hochpräzises Refurbishing

## Maschinenpark

- ALD-Prozessmodul (metal/dielectric ALD) ASM XP4 EmerALD
- ALD-Reaktor (High-k) ASM XP4 Pulsar (AXIS)
- Thermal-ALD-System (bis 4 DCM, 8 Kammern) ASM XP8 Synergis
- PEALD-System (Dual Chamber Module, 8 Kammern) ASM XP8 DCM PEALD
- PEALD-System (Quad Chamber Module, 16 Kammern) ASM XP8 QCM PEALD
- PEALD-System (SiN-Deposition) ASM XP8 JQCM PEALD
- PEALD-System ASM XP8 Magma PEALD
- Single-Wafer-Epitaxy-Werkzeug ASM Epsilon 2000
- Epitaxy-Deposition-Werkzeug (300 mm) ASM Intrepid ES / Intrepid ESA
- Preclean-Modul ASM Previum (V3, NEXT, VP)
- SiC-Epitaxy-Werkzeug ASM PE1O6A / PE1O8
- SiC-Epitaxy-Werkzeug ASM PE2O8
- PECVD-System (Dual Chamber Module, 8 Kammern) ASM XP8 DCM PECVD
- PECVD Gap-Fill/Planarisierungssystem ASM XP8 Vertos
- Batch-Vertikaler Ofen (300 mm, atmosphärisch/LP) ASM SONORA
- Batch-Vertikaler Ofen (200 mm und kleiner) ASM A400 DUO
- Robotersystem für Präzisionswartung (PM-bot) ASM PM-bot

## Standorte

- Almere – Hauptsitz (HQ)
- Phoenix/Scottsdale (Arizona) – Größtes R&D-Zentrum, Büros
- Singapore – Zentralisierte Fertigung (Manufacturing)
- Helsinki – R&D (Material- und Prozessforschung)
- Leuven – R&D (Partnerstandort IMEC)
- Catania – SiC-Epitaxie (LPE, 2022 übernommen)

## Historie

- 1968: ASM (Advanced Semiconductor Materials) wurde von Arthur del Prado in den Niederlanden gegründet.
- 1970s: Furnace-Deposition-Fertigung in den Niederlanden; Gründung von ASM America (Epitaxie-Basis) und ASMPT in Hongkong.
- 1980s: Gründung ASM Japan; Beteiligung am Philips-Joint Venture (heute ASML), Anteil 1988 verkauft.
- 1990s: Fokus auf Deposition; Investitionen in ALD.
- 1999: Übernahme ASM Microchemistry.
- 2004: Übernahme ASM Genitech Korea.
- 2007: Pulsar ALD: erstes System in Hochvolumenfertigung mit Hafnium-basiertem High-k-Gatedielektrikum.
- 2013: Verkauf der Mehrheitsbeteiligung an ASMPT.
- 2022: Übernahme von LPE (Italien), Einstieg in SiC-Epitaxie-Equipment; Einrichtung des Executive Committee.
- 2024: Hichem M'Saad zum CEO ernannt; 100 % erneuerbare Elektrizität für alle globalen Standorte (H1 2024).
- 2025: Investor Day: Ziel Umsatz > 5,7 Mrd. Euro und Operating Margin > 30 % bis 2030.

## Kontakt

- Versterkerstraat 8
- 1322 AP Almere