# ATLANT 3D

> ATLANT 3D fertigt mit atomar präziser DALP®-Abscheidetechnologie Mikro- und Nanobauteile für Mikroelektronik und Photonik

## Auf einen Blick

- **Ort:** Standort nicht angegeben
- **Website:** https://atlant3d.com/
- **Verfahren:** DALP® – Direct Atomic Layer Processing (atomare Materialdeposition), Mikro- und Nanodevices-Prototyping (MEMS, Mikrofluidik, RF-, optische/photonische Geräte), Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen (ACES-Projekt), Innovation Services, Atomically precise material deposition (DALP®), Prototyping von Mikro- und Nanodevices, Skalierbare Fertigung
- **Werkstoffe:** Silicon, Gallium, Indium, Germanium, Kupfer (für Solarzellen-Metallisierung), Silber (zu ersetzendes Referenzmaterial Solarzellen-Metallisierung), Direct Atomic Layer Processing, Silicium, Kupfer
- **Branchen:** Optik & Photonik, Sensoren & MEMS, Advanced Packaging & Halbleiterfertigung, Biotechnologie & Medizintechnik, Energietechnik (Batterien, Brennstoffzellen, Katalyse), RF & Printed Electronics, ALD & Advanced Materials, Optics & Photonics, Sensors & MEMS, Advanced Packaging & Semiconductor Fabrication, Biotechnology & Medical Devices, Energy Applications (Batteries, Fuel Cells, Catalysis)
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/atlant-3d

## Über uns

ATLANT 3D ist ein Unternehmen für atomar präzise, fortschrittliche Fertigung, das digitale und atomar präzise Prozessverfahren entlang der gesamten Mikroelektronik-Wertschöpfungskette bereitstellt. Kern ist die firmeneigene DALP®-Technologie (Direct Atomic Layer Processing), eine mikreaktorbasierte Abscheidetechnologie mit atomarer Präzision, die über 450 Materialien verarbeiten kann – darunter Silicium, Gallium, Indium, Germanium und Kupfer. Das Leistungsportfolio reicht von der fortschrittlichen Materialforschung über das Prototyping von Mikro- und Nanobauelementen (MEMS/Sensoren, Mikrofluidik, RF-, optische und photonische Geräte) bis zur skalierbaren Fertigung. Für Forschung und Industrie bietet ATLANT 3D die NANOFABRICATOR™-Produktserie an: LITE für Akademie und Forschung (Probengröße bis 100 mm, Linienbreiten ab 100 µm, Abscheiderate bis 200 mm/s, bis zu zwei Materialien gleichzeitig), PRO für industrielle F&E sowie ZERO-G. Die Technologie arbeitet abfallarm und chemikalienreduziert und ist kompatibel mit Standards der Halbleiterindustrie. Anwendungsgebiete sind Optik & Photonik, Sensoren & MEMS, Advanced Packaging & Halbleiterfertigung, Biotechnologie & Medizintechnik, Energietechnik sowie RF & Printed Electronics.

## Verfahren & technische Grenzen

- DALP® – Direct Atomic Layer Processing (atomare Materialdeposition), Toleranz atomare Präzision (Details nicht angegeben), max. Länge Sample size up to 100 mm
- Mikro- und Nanodevices-Prototyping (MEMS, Mikrofluidik, RF-, optische/photonische Geräte), Toleranz Line Width down to 100 µm (NANOFABRICATOR LITE), max. Länge 100 mm
- Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen (ACES-Projekt)

## Maschinenpark

- NANOFABRICATOR™ LITE (atomares Abscheidewerkzeug für Forschung/Akademie) ATLANT 3D NANOFABRICATOR LITE
- NANOFABRICATOR™ PRO (Industrielles R&D-Werkzeug) ATLANT 3D NANOFABRICATOR PRO
- NANOFABRICATOR® ZERO-G ATLANT 3D NANOFABRICATOR ZERO-G

## Standorte

- Standort nicht angegeben – Entwicklung und Fertigung NANOFABRICATOR-Serie

## Historie

- 2024: Start des EU-geförderten Projekts ACES (Horizon Europe, Budget 3,5 Mio. EUR) im April 2024, u. a. zur Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen.
- 2024: Start des EU-geförderten Projekts CLOSER (Horizon Europe, Budget 14 Mio. EUR) im Oktober 2024 zum Aufbau einer europäischen Kreislaufwirtschaftslieferkette für Halbleiterrohstoffe.