# Black Semiconductor GmbH

> Entwickelt Integrated Graphene Photonics (IGP™) zur Integration von Photonik und Elektronik auf einem Wafer.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Aachen
- **Website:** https://www.blacksemi.com/
- **Gegründet:** 2020
- **Verfahren:** CVD-Wachstum von single-crystal Graphen (epitaxiales Wachstum auf engineered substrate), Wafer-scale Transfer und Integration von single-layer Graphen auf Wafern (high-temperature, Graphen-basierte Photodetektoren (photo-thermoelektrischer Effekt, bolometrisch, Bandbreite >500, Graphen-Modulatoren (zwei Graphenschichten mit Isolator, Lichtmodulation durch Pauli Blocking), Integrated Graphene Photonics™ (IGP) – CMOS-kompatible Integration von Photonik und Elektronik auf, Glass Panel Interposer – elektrische Verbindungen mit dichten optischen Wellenleitern, Wafer-scale Single-Crystal-Graphen-Herstellung (CVD, epitaxiales Wachstum), Integrierte Graphen-Photonik (IGP™): Photodetektoren und Modulatoren auf Chip-Wafern, CMOS-kompatible Fertigungsintegration (BEOL), 300mm-Wafer-Pilotlinie (FabONE), Glass Panel Interposer mit optischen Wellenleitern, Elektronisch-Photonischer Chip (EPIC, Integration EIC + PIC)
- **Werkstoffe:** Graphen (single-crystal, wafer-scale), Glas (Glass Panel Interposer), Single-Crystal-Graphen (wafer-scale), Integrated Graphene Photonics™, Elektronisch-Photonischer Chip (EPIC)
- **Branchen:** Halbleiterindustrie, Datacenter / Hochleistungsrechnen (HPC, AI), Chip-to-Chip-Kommunikation / Interconnects
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/black-semiconductor

## Über uns

Black Semiconductor ist ein 2020 in Aachen gegründetes Halbleiterunternehmen, das die Integration von Photonik und Elektronik auf demselben Wafer entwickelt. Kern ist die proprietäre IGP™-Technologie (Integrated Graphene Photonics): Wafer-scale, einkristallines Graphen wird per CVD mit epitaxialem Wachstum auf einem engineered substrate hergestellt und in CMOS-kompatiblen Prozessen (BEOL) in Chips integriert. Auf dieser Basis entstehen graphene-basierte Photodetektoren (photo-thermoelektrisch und bolometrisch, Bandbreite über 500 GHz), Modulatoren sowie elektronisch-photonische Chips (EPIC). Ergänzend entwickelt das Unternehmen Glass Panel Interposer mit optischen Wellenleitern. Abnehmerbranchen sind die Halbleiterindustrie sowie Datacenter und Hochleistungsrechnen (HPC, KI) mit Chip-to-Chip-Kommunikation. Der Hauptsitz FabONE in Aachen umfasst 15.000 m² Fertigungs- und 2.000 m² Bürofläche; dort entsteht eine skalierbare Pilotlinie für 300-mm-Wafertechnologie. 2025 übernahm Black Semiconductor den niederländischen Graphen-Spezialisten Applied Nanolayers mit einer industriellen 200-mm-Wafer-Plattform für die Volumenproduktion von Graphen.

## Verfahren & technische Grenzen

- CVD-Wachstum von single-crystal Graphen (epitaxiales Wachstum auf engineered substrate)
- Wafer-scale Transfer und Integration von single-layer Graphen auf Wafern (high-temperature
- Graphen-basierte Photodetektoren (photo-thermoelektrischer Effekt, bolometrisch, Bandbreite >500
- Graphen-Modulatoren (zwei Graphenschichten mit Isolator, Lichtmodulation durch Pauli Blocking)
- Integrated Graphene Photonics™ (IGP) – CMOS-kompatible Integration von Photonik und Elektronik auf
- Glass Panel Interposer – elektrische Verbindungen mit dichten optischen Wellenleitern

## Maschinenpark

- Pilotlinie für 300mm Wafer-Technologie (FabONE)
- Industrielle 200mm Wafer-Plattform für Graphenproduktion (übernommen von Applied Nanolayers) Applied Nanolayers

## Standorte

- Aachen (FabONE) – Hauptsitz, Fertigung & Verwaltung; Pilotlinie 300-mm-Wafertechnologie (Baubeginn 2026)
- Niederlande (Applied Nanolayers) – Graphenproduktion auf industrieller 200-mm-Wafer-Plattform (Übernahme März 2025)

## Historie

- 2020–22: Offizielle Gründung durch Daniel und Sebastian Schall; 11,2 Mio. € VC-Finanzierung inkl. öffentlicher Förderung, co-lead von Vsquared und Cambium.
- 2023: Beginn des Aufbaus einer Wafer-Fertigungstechnologie.
- 2024: 228,7 Mio. € IPCEI-Zuschuss und 25,7 Mio. € Privatinvestition gesichert.
- 2025: Einzug in die FabONE-Facility (15.000 m² Fertigung, 2.000 m² Büro); Baubeginn der skalierbaren Pilotlinie für 300-mm-Wafertechnologie; Übernahme von Applied Nanolayers (NL); SPARK Award 2025; Finalist Deutscher Gründerpreis.
- 2025-11-19: Exyte unterschreibt den Bauvertrag für die FabONE-Facility.
- 2026: Weiterer Fab-Ausbau und nächste Finanzierungsphase; Baubeginn FabONE im März 2026.

## Kontakt

- Lilienthalstraße 01
- 52068 Aachen
- +49 (0) 241 916 074 10
- info@blacksemi.com