# CCRAFT

> Unabhängige Pure-Play-Foundry für photonic integrated circuits aus Thin-Film-Lithiumniobat (TFLN) – von MPW-Prototypen bis zur High-Volume-Fertigung.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Schweiz
- **Website:** https://www.ccraft.com
- **Gegründet:** 2025
- **Verfahren:** TFLN Etching (Thin-Film Lithium Niobate Ätzen), Metallization Layers (Mehrschicht-Metallisierung), Cladding and Layer Openings (Cladding & Lagenöffnungen), Back End of Line (BEOL) Processes, Precision TFLN Micromachining, Multilayer Metallization, Device-Layer Undercut, Metal Deposition (Sonderprozess), Oxide Deposition (Sonderprozess), Periodic Poling (PPLN), Monolithic TFLN PIC Fertigung (bis zu 10 Hauptprozessschritte), Multi-Project Wafer (MPW) Runs, Custom Dedicated Wafer Runs, High-Volume TFLN Manufacturing (Zielkapazität 2.000 Wafers/Monat), TFLN Chiplets (kompatibel mit Micro-Transfer-Printing), TFLN-Enhanced Silicon Photonics (Micromachining-Dienstleistung für SiPh-Fabs), Hybrid & Heterogeneous Integration mit Silicon Photonics (Interface), Low-Loss Fiber Coupling, Elektro-Optische Modulatoren (On-Chip Komponente), Akusto-Optische Modulation (On-Chip Funktionalität)
- **Werkstoffe:** Thin-Film Lithium Niobate (TFLN), Lithium Niobate on Insulator (LNOI) Substrate, PPLN (periodisch gepoltes Lithium Niobat), Silizium-Photonik (SiPh) Wafer, Thin-Film Lithium Niobat, Lithium Niobat on Insulator Substrate, Periodisch gepoltes Lithium Niobat, Silizium-Photonik Wafer
- **Branchen:** Kommunikation/Telekommunikation, Quantentechnologien, KI/Datacenter, Sensorik, Spektroskopie, Silicon-Photonics-Foundries, Fabless-Photonik, Silicon-Photonics-Foundries und Plattform-Entwickler, Fabless-Photonik-Unternehmen
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/ccraft

## Über uns

CCRAFT ist eine unabhängige Pure-Play-Foundry für photonische integrierte Schaltungen (PICs) auf Basis von Thin-Film-Lithiumniobat (TFLN). Das 2025 als Spin-off des Schweizer Forschungszentrums CSEM gegründete Unternehmen fertigt monolithische TFLN-Chips auf Lithiumniobat-on-Insulator-Substraten (LNOI) mit bis zu zehn Hauptprozessschritten, darunter präzises TFLN-Micromachining, Mehrlagen-Metallisierung, Cladding, Lagenöffnungen, Device-Layer-Undercut und Back-End-of-Line-Prozesse. Das Angebot reicht von Multi-Project-Wafer-Läufen für Prototyping über dedizierte Wafer-Runs ab vier Wafern bis zur High-Volume-Produktion mit einer Zielkapazität von 2.000 Wafern pro Monat in einer eigenen TFLN-Fab. Ergänzend werden TFLN-Chiplets für Micro-Transfer-Printing, Sonderprozesse wie Ätzen, Metall- und Oxiddeposition sowie periodisches Poling (PPLN) und Micromachining-Dienstleistungen für Silicon-Photonics-Fabs angeboten. Abnehmer finden sich in Kommunikation, Quantentechnologien, KI/Datacenter und Sensorik. Die Fertigung erfolgt mit In-house-Cleanroom und Charakterisierungslabor in der Schweiz.

## Verfahren & technische Grenzen

- TFLN Etching (Thin-Film Lithium Niobate Ätzen)
- Metallization Layers (Mehrschicht-Metallisierung)
- Cladding and Layer Openings (Cladding & Lagenöffnungen)
- Back End of Line (BEOL) Processes
- Precision TFLN Micromachining
- Multilayer Metallization
- Device-Layer Undercut
- Metal Deposition (Sonderprozess), Losgröße 4 Wafers–?
- Oxide Deposition (Sonderprozess), Losgröße 4 Wafers–?
- Periodic Poling (PPLN), Losgröße 4 Wafers–?
- Monolithic TFLN PIC Fertigung (bis zu 10 Hauptprozessschritte)
- Multi-Project Wafer (MPW) Runs
- Custom Dedicated Wafer Runs, Losgröße 4 Wafers–?
- High-Volume TFLN Manufacturing (Zielkapazität 2.000 Wafers/Monat), Losgröße ?–2.000 Wafers/Monat (Ziel)
- TFLN Chiplets (kompatibel mit Micro-Transfer-Printing)
- TFLN-Enhanced Silicon Photonics (Micromachining-Dienstleistung für SiPh-Fabs)
- Hybrid & Heterogeneous Integration mit Silicon Photonics (Interface)
- Low-Loss Fiber Coupling
- Elektro-Optische Modulatoren (On-Chip Komponente)
- Akusto-Optische Modulation (On-Chip Funktionalität)
- Frequenzumwandlung via PPLN (Spektroskopie, optische/quantum Computing)
- PDK-Entwicklung & Charakterisierung (C-band 1550 nm qualifiziert; O-band 1310 nm Alpha; 500–900 nm

## Maschinenpark

- In-house Cleanroom
- Characterization Lab

## Standorte

- Schweiz – Fertigung, F&E und Charakterisierung

## Historie

- 2019–2025: Über sechs Jahre Forschung und Prozessentwicklung am CSEM führen zu einer industrielosen TFLN-PIC-Plattform; Pilotproduktion mit tausenden Chips an über 40 Partnern weltweit.
- 2025: Gründung von CCRAFT als CSEM Spin-off zur Skalierung der Produktionskapazität; CSEM agiert weiter als R&D-House