# Freiberger Compound Materials GmbH

> Hersteller von III-V-Verbindungshalbleiter-Substratwafern aus GaAs, InP und GaN für Mikro- und Optoelektronik.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Freiberg
- **Website:** https://freiberger.com
- **Gegründet:** 1995
- **Mitarbeiter:** 350
- **Verfahren:** Hochdruck-Synthese GaAs, Hochdruck-Synthese InP, Kristallzüchtung VGF (Vertical Gradient Freeze), Kristallzüchtung LEC (Liquid Encapsulated Czochralski), Kristallzüchtung HVPE (Gasphase), Mechanische Kristallbearbeitung und Waferherstellung, Endreinigung der Wafer, Chemisch-mechanisches Polieren von III-V-Halbleiter-Substraten, Ätzen, Analyse- und Messverfahren zur Charakterisierung (TTV, TIR, Bow, Warp), Analyse- und Messtechnik / umfassende Charakterisierung der Wafer, Epiready-Oberflächen für Epitaxie-Prozesse, Forschungskooperationen und Entwicklungsprojekte (u.a. Recycling, GaN-Templates), Vertrieb über internationale Vertriebspartner
- **Werkstoffe:** Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), Galliumnitrid (GaN), Gallium, Arsen, Indium, Phosphor, Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), Vertical Gradient Freeze (VGF), Hydrid-Vapor-Phase-Epitaxy (HVPE)
- **Zertifikate:** ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 50001:2018, ISO 9001, ISO 14001, ISO 50001
- **Branchen:** Mikroelektronik, Optoelektronik, Hochfrequenzelektronik / drahtlose Kommunikation, LED / Laser / VCSEL, Solar / PV, Kfz-Elektronik, Radarsysteme
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/freiberger-compound-materials

## Über uns

Die Freiberger Compound Materials GmbH (FCM) mit Sitz in Freiberg (Sachsen) entwickelt, fertigt und vertreibt Substratwafer aus den Verbindungshalbleitern Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Galliumnitrid (GaN) für mikro- und optoelektronische Anwendungen. Die Fertigung beginnt mit der Hochdruck-Synthese von polykristallinem GaAs und InP aus hochreinen Rohstoffen; daraus werden Einkristalle (Ingots) nach dem VGF- oder LEC-Verfahren bzw. für GaN mittels HVPE aus der Gasphase gezüchtet. Anschließend folgen mechanische Kristallbearbeitung, Ätzen, Polieren und Endreinigung zu Wafern mit Epiready-Oberflächen für den direkten Einsatz in Epitaxie-Prozessen. Die Produkte werden in umfangreichen Analyse- und Messverfahren (u. a. TTV, TIR, Bow, Warp) charakterisiert. Auf einer Reinraumfläche von 1.700 m² sind etwa 350 Mitarbeiter beschäftigt; seit 1995 wurden über 200 Mio. Euro in die Fertigungsstätte investiert. Abnehmer sind Epi-Häuser und Bauelemente-Hersteller in der Hochfrequenz-, Mikro- und Optoelektronik, vertrieben über eigene Büros in den USA und Taiwan sowie Partner in Japan und Korea.

## Verfahren & technische Grenzen

- Hochdruck-Synthese GaAs, max. Länge Ingots bis 10 Zoll
- Hochdruck-Synthese InP
- Kristallzüchtung VGF (Vertical Gradient Freeze)
- Kristallzüchtung LEC (Liquid Encapsulated Czochralski)
- Kristallzüchtung HVPE (Gasphase)
- Mechanische Kristallbearbeitung und Waferherstellung
- Endreinigung der Wafer
- Chemisch-mechanisches Polieren von III-V-Halbleiter-Substraten
- Ätzen
- Analyse- und Messverfahren zur Charakterisierung (TTV, TIR, Bow, Warp)

## Maschinenpark

- Hochdruck-Syntheseanlage (Hochdruckbehälter mit Graphitheizer)
- VGF-Anlage (Vertical Gradient Freeze Ofen mit mehreren Heizzonen)
- LEC-Anlage (Liquid Encapsulated Czochralski)
- Quarzglasreaktor (InP-Synthese)
- Reinraum-Fertigungsstätte
- HVPE-Anlage (GaN-Kristallherstellung)
- Analyse- und Messtechnik

## Standorte

- Freiberg – Am Junger-Löwe-Schacht 5 – Hauptsitz und Fertigung (Fab1–4)
- Freiberg – Am Junger Löwe Schacht 2 – Fertigung (zertifiziert)
- Freiberg – Am St.-Nicolas-Schacht 4 – Fertigung (zertifiziert)
- El Dorado Hills, CA – Vertriebsbüro (FCM USA, Inc.)
- Taipeh – Vertriebsbüro (FCM Taiwan Ltd.)

## Historie

- 1957: Gründung des VEB Spurenmetalle Freiberg (SMF) als Staatsbetrieb für Reinststoffe und Halbleitermaterialien
- 1982: Beginn der Herstellung von Verbindungshalbleitern (GaAs, GaP, InP, InAs) am Standort
- 1990: Übernahme der GaAs-Fertigungstechnologie von der Wacker Siltronic AG; FEW firmiert als Freiberger Elektronikwerkstoffe GmbH
- 1992: Produktion der ersten Wafer nach der Wacker-Technologie in Freiberg
- 1995: Gründung der Freiberger Compound Materials GmbH am 31. August mit 81 Mitarbeitern
- 2011: Dr. Michael Harz tritt als COO bei FCM ein; Dr. Stefan Eichler wird CTO
- 2019: Dr. Michael Harz übernimmt die Position des CEO

## Kontakt

- Am Junger-Löwe-Schacht 5
- 09599 Freiberg
- +49 3731 280-0
- info@freiberger.com