# Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd

> Hersteller vertikal integriert gefertigter SiC-Leistungshalbleiter – von Wafern bis zu Dioden und MOSFETs

## Auf einen Blick

- **Ort:** Hunan (CN)
- **Website:** https://www.sanan-semiconductor.com/en
- **Verfahren:** SiC-Dioden (SBD) Fertigung, 5. Generation, 650V/1A-50A, 1200V/1A-60A, 1700V, SiC-MOSFET Leistungshalbleiterfertigung, Vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Whole Industry Chain Vertical Integration Manufacturing, Vertikal integrierte SiC-Halbleiterfertigung (Wafer bis Bauelemente), Technical Support, Sales Channels
- **Werkstoffe:** Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN)
- **Branchen:** Automotive, Erneuerbare Energien (Photovoltaik, Energiespeicher), Industrie, Rechenzentren / USV, Hochleistungs-Haushaltsgeräte, Ladetechnik / Charging Pile, Renewable Energy (Photovoltaik, Energiespeicher), Industrial, Data Center / UPS, High-Power Household Appliances
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/hunan-san-an-semiconductor-ltd

## Über uns

Sanan Semiconductor (Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd) ist ein chinesischer Hersteller von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Das Unternehmen betreibt eine vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Mega Fab), die die gesamte Wertschöpfungskette vom Material und Wafer bis zum fertigen Bauelement abdeckt. Das Produktportfolio umfasst SiC-Schottky-Dioden (SBD) in der fünften Generation mit Spannungsplattformen von 650 V, 1200 V und 1700 V sowie SiC-MOSFETs für leistungselektronische Anwendungen; von den SiC-Dioden wurden kumulativ 200 Millionen Einheiten ausgeliefert. Einsatzgebiete sind Automotive, Photovoltaik und Energiespeicher, Industrie, Rechenzentren und USV-Systeme, Hochleistungs-Haushaltsgeräte sowie Ladetechnik. 2023 gründeten Sanan Optoelectronics und STMicroelectronics ein Joint Venture in Chongqing zur SiC-Waferproduktion. Seit 2024 kooperiert Sanan Semiconductor mit der FAU Erlangen-Nürnberg in der Leistungselektronik-Forschung und expandiert in Überseemärkte, u. a. nach Japan und Europa.

## Verfahren & technische Grenzen

- SiC-Dioden (SBD) Fertigung, 5. Generation, 650V/1A-50A, 1200V/1A-60A, 1700V
- SiC-MOSFET Leistungshalbleiterfertigung
- Vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Whole Industry Chain Vertical Integration Manufacturing

## Maschinenpark

- Mega Fab (vertikal integrierte SiC-Fabrik) Sanan Semiconductor
- SiC-Waferproduktion (Joint Venture Sanan Optoelectronics / STMicroelectronics) Sanan Optoelectronics / STMicroelectronics

## Standorte

- Hunan – Vertikal integrierte SiC-Fertigung (Mega Fab)
- Chongqing – Joint Venture mit STMicroelectronics zur SiC-Waferproduktion

## Historie

- 2021: Hunan Sanan startet Chinas erste vertikal integrierte SiC-Produktionslinie.
- 2023: Debüt auf der SEMICON Taiwan; Sanan Optoelectronics und STMicroelectronics vereinbaren ein Joint Venture in Chongqing zur SiC-Waferproduktion.
- 2024: Forschungsvereinbarung mit der FAU Erlangen-Nürnberg für Leistungselektronik (SiC); strategische Kooperation mit Vertiv Technology; Expansion in Überseemärkte u. a. mit Auftritt auf der NEPCON JAPAN.
- 2025: Teilnahme an der Panel-Diskussion „Electrification Market & WBG Adoption“ beim ISES EU Summit in Dresden.