# MUNDFAB – Modeling Unconventional Nanoscaled Device FABrication

> EU-geforschtes Horizon-2020-Projekt zur Entwicklung von Modellierungs- und Simulationstools für nanoskalige Halbleiterbauelemente

## Auf einen Blick

- **Ort:** Erlangen
- **Website:** https://www.mundfab.eu/
- **Verfahren:** CVD-Epitaxie (Si, SiGe, in-situ dotiert), Ionenimplantation (heated implants, As/B/P), Sub-melt Laser Annealing (µs-LA, KrF/XeCl gepulst), Solid Phase Epitaxy Regrowth (SPER), Silizidierung (Si-Ni, Si-Pt), Thermische Oxidation von Silizium, Silizium-Ätzen, Charakterisierung: SIMS, TEM, XRD, XRR, Spektroskopische Ellipsometrie, 4-Point-Probe, Hall-Effekt,, Modellierung und Simulation (TCAD/KMC) für die virtuelle Herstellung nanoskaliger, 3D-sequenzielle Integrationsarchitekturen, Prozesssimulation (Epitaxie, Ionenimplantation, Silizidierung, Laser Annealing, Oxidation)
- **Werkstoffe:** Silizium, Silizium-Germanium, Germanium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Silizium-Germanium-Oxid, Nickelsilizid, Platinsilizid, Dichlorsilan (Precursor), Silan (Precursor), German (Precursor), Salzsäure (Ätzgas), Dotierstoff Arsen, Dotierstoff Bor, Dotierstoff Phosphor
- **Branchen:** Halbleiter, Mikro-/Nanoelektronik, Forschung
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/mundfab-modeling-unconventional-nanoscaled-device-fabricatio

## Über uns

MUNDFAB (Modeling Unconventional Nanoscaled Device FABrication) ist ein von der EU im Rahmen von Horizon 2020 gefördertes Forschungsprojekt (Grant Agreement No. 871813) mit einer Laufzeit vom 01.01.2020 bis 30.06.2023. Die Projektkoordination lag beim Fraunhofer IISB in Erlangen. Ziel des Projekts war die Entwicklung von Modellierungs- und Simulationstools (KMC, DFT, TCAD/Synopsys Sentaurus) für die virtuelle Herstellung der nächsten Generation nanoskaliger elektronischer Bauelemente, insbesondere auf Basis 3D-sequenzieller Integrationsarchitekturen. Das Konsortium umfasste Fraunhofer IISB, CNR, CEA-Leti, CNRS, STMicroelectronics, TU Wien, Łukasiewicz-IMiF sowie als Partner Applied Materials. Experimentell wurden u. a. CVD-Epitaxie (Si, SiGe), beheizte Ionenimplantation, Sub-melt Laser Annealing, SPER und Silizidierung untersucht und in Prozessmodelle überführt. Ergebnisse flossen in Demonstratoren wie FDSOI-Bauelemente und vertikale GAA-Nanowire-FETs ein.

## Verfahren & technische Grenzen

- CVD-Epitaxie (Si, SiGe, in-situ dotiert)
- Ionenimplantation (heated implants, As/B/P)
- Sub-melt Laser Annealing (µs-LA, KrF/XeCl gepulst)
- Solid Phase Epitaxy Regrowth (SPER)
- Silizidierung (Si-Ni, Si-Pt)
- Thermische Oxidation von Silizium
- Silizium-Ätzen
- Charakterisierung: SIMS, TEM, XRD, XRR, Spektroskopische Ellipsometrie, 4-Point-Probe, Hall-Effekt,

## Maschinenpark

- 1× Epitaxie-Reaktor Applied Materials CENT300A
- 1× Epitaxie-Reaktor ASM Epsilon 3200A
- 1× Puls-Laser-Annealing (XeCl, 308 nm) SCREEN-LASSE LT3100
- 1× Puls-Laser (KrF, 248 nm) COMPex 201F
- 1× µs-Laser-Annealing-Plattform (355 nm UV) SCREEN LASSE

## Standorte

- Erlangen – Projektkoordination (Fraunhofer IISB)

## Historie

- 2020: Projektstart MUNDFAB (Horizon 2020, Grant No. 871813) am 01.01.2020
- 2023: Projektende am 30.06.2023; Symposium 'Materials Engineering for Advanced Semiconductor Devices' an der E-MRS Spring Meeting in Straßburg

## Kontakt

- Schottkystraße 10
- 91058 Erlangen
- peter.pichler@iisb.fraunhofer.de