# NovaWave AG

> Entwickelt GaN- und SiC-Leistungshalbleiter, Treiber-ICs und System-in-Package-Lösungen für effiziente Leistungselektronik.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Biel, Schweiz
- **Website:** https://novawave-power.com/
- **Gegründet:** 2021
- **Verfahren:** GaN/SiC power devices and driver solutions, Smart-GaN™ SiP (System-in-Package: integrierter GaN HEMT und Driver IC), Smart-Drive™ IC – Driver IC für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, Flash-SBD™ – GaN-on-Si Schottky Barrier Diode (2A – 8A), GaN HEMTs und Bare Die (650V, 100 – 600mΩ Rdson), GaN epitaxial growth (GaN-on-QST Plattform), Treiber-ICs für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, GaN-Leistungsschalter (HEMTs, Bare Die), System-in-Package (SiP)-Lösungen, GaN-on-QST Epitaxie-Technologie, Flash-SBD (Schottky-Barriere-Dioden), Smart-Driver-Technologie
- **Werkstoffe:** Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC), Silizium, Galliumnitrid (GaN), Siliziumcarbid (SiC), QST-Substrat
- **Branchen:** Consumer Elektronik / Schnellladegeräte, Drahtloses Laden, Rechenzentren und KI-Infrastruktur, Erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen, Elektro- und Hybridfahrzeuge, Robotik und Automation, Luft- und Raumfahrt, Luft- und Raumfahrt (kryogene/Hydrogen-Electric Aviation, Forschung)
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/novawave

## Über uns

NovaWave ist ein 2021 gegründeter Schweizer Anbieter innovativer Lösungen für Wide-Bandgap-Leistungsbauelemente der nächsten Generation. Das Unternehmen ist auf fortgeschrittene GaN- und Treibertechnologien spezialisiert und bietet ein Portfolio, das Treiber-ICs für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, GaN-Leistungsschalter (HEMTs und Bare Die) sowie komplette System-in-Package-Lösungen umfasst. Dazu kommen die GaN-on-Si-Schottky-Barriere-Diode Flash-SBD und die eigene Epitaxie-Plattform GaN-on-QST. NovaWave arbeitet als Fabless-Unternehmen: Die Waferfertigung der E-Mode-GaN-Leistungsbauelemente übernimmt der koreanische Foundry-Partner DB HiTek. Der Hauptsitz mit R&D- und Designzentrum befindet sich in Biel im Swiss Innovation Park; ein Büro in Shenzhen sichert die weltweite Kundenbetreuung. Die Produkte dienen Anwendungen in Consumer-Elektronik, drahtlosem Laden, KI und Rechenzentren, Robotik, industriellen Stromversorgungen sowie E-Mobility.

## Verfahren & technische Grenzen

- GaN/SiC power devices and driver solutions
- Smart-GaN™ SiP (System-in-Package: integrierter GaN HEMT und Driver IC)
- Smart-Drive™ IC – Driver IC für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs
- Flash-SBD™ – GaN-on-Si Schottky Barrier Diode (2A – 8A)
- GaN HEMTs und Bare Die (650V, 100 – 600mΩ Rdson)
- GaN epitaxial growth (GaN-on-QST Plattform)

## Standorte

- Biel – Headquarter, R&D- und Designzentrum im Swiss Innovation Park
- Shenzhen – Büro für globalen Kundensupport

## Historie

- 2021: Gründung durch ein Expertenteam aus der Leistungselektronik mit industriellen und akademischen Hintergründen; Teammitglieder (Dr. Nela, Dr. Erne) veröffentlichen ein Forschungspaper zu Multi-Channel-Nanowire-Bauelementen in Nature Electronics.
- 2022: Eröffnung des Hauptsitzes in Biel im Swiss Innovation Park als zentrales R&D- und Designzentrum.
- 2024: Teilnahme an der PCIM Europe 2024 in Nürnberg (Stand 6-210).
- 2026: Auswahl von DB HiTek (Korea) als Foundry-Partner für die Fertigung von E-Mode-GaN-Leistungsbauelementen; Teilnahme an der PCIM Europe 2026 in Nürnberg; gemeinsame Testreihe mit der University of Strathclyde: GaN-Treiberchips der 2511U1-Serie funktionieren bei –196 °C in flüssigem Stickstoff.

## Kontakt

- Biel, Schweiz
- info@novawave-power.com