# SiCrystal GmbH

> Herstellung einkristalliner Siliziumkarbid-Substrate und -Wafer für die Halbleiterindustrie.

## Auf einen Blick

- **Ort:** Nürnberg
- **Website:** https://www.sicrystal.de
- **Verfahren:** Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase (SiC-Kristallzüchtung), Präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern, Halbleitergerechte Reinigung, Finale Qualitätskontrolle im Reinraum, Eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe für Kristalle
- **Werkstoffe:** Einkristallines Siliziumkarbid (SiC-Substrate/Wafer), Einkristallines Siliziumkarbid, Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase, Präzise mechanische Bearbeitung
- **Zertifikate:** ISO 9001, ISO 14001, ISO 45001, ISO 50001
- **Branchen:** Halbleiterindustrie, Industrie, Forschung und Entwicklung
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/sicrystal

## Über uns

Die SiCrystal GmbH mit Sitz in Nürnberg produziert und liefert hochwertige einkristalline Siliziumkarbid-Substrate (SiC-Wafer), die als Basis für die Herstellung innovativer, energieeffizienter Elektronik-Komponenten dienen. Einkristallines Siliziumkarbid ist ein transparenter, äußerst harter und temperaturunempfindlicher Halbleiterwerkstoff mit außergewöhnlichen elektrischen Eigenschaften. Die typischen Wafer haben einen Durchmesser von 150 Millimetern und eine Dicke von 350 Mikrometern und müssen eine vom Kunden detailliert vorgegebene Spezifikation erfüllen. Das Unternehmen deckt alle Fertigungsschritte ab: die eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe, die Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase, die präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern sowie halbleiter-gerechte Reinigung und finale Qualitätskontrolle im Reinraum. Neben Standard-Qualitäts-Wafern für die industrielle Weiterverarbeitung bei führenden Halbleiterkonzernen werden Engineering-Grade Wafer für Forschung und Entwicklung angeboten. SiCrystal ist ein Unternehmen des japanischen Rohm-Konzerns und beliefert Schlüsselkunden weltweit in den Bereichen Halbleiterindustrie, Industrie sowie Forschung und Entwicklung.

## Verfahren & technische Grenzen

- Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase (SiC-Kristallzüchtung)
- Präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern
- Halbleitergerechte Reinigung
- Finale Qualitätskontrolle im Reinraum
- Eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe für Kristalle

## Standorte

- Nürnberg – Hauptsitz mit Produktion, Warenannahme und Vertrieb

## Historie

- unbekannt: Keine belegten historischen Ereignisse aus den Quellen

## Kontakt

- Thurn-und-Taxis-Straße 20
- 90411 Nürnberg
- +49 (0) 911 / 8177599 - 0
- info@sicrystal.de