# Siltronic AG

> Siltronic fertigt Hightech-Siliziumwafer bis 300 mm Durchmesser als Basis für Halbleiterchips weltweit.

## Auf einen Blick

- **Ort:** München
- **Website:** https://www.siltronic.com
- **Gegründet:** 1953
- **Mitarbeiter:** 4300
- **Verfahren:** Waferherstellung (Siliziumwafer, Durchmesser bis 300 mm), Czochralski-Kristallzüchtung (Cz-Methode), Zonenziehverfahren (Float Zone), Herstellung von Polierwafern (polished wafers), Herstellung von Epi-Wafern (epitaktisch abgeschiedene Schichten), Sägen von Wafern (as cut), Ätzen von Wafern (etched surface), Läppen von Wafern (lapped surface), Reinstsilizium-Herstellung (Polysilizium), Herstellung von Monocrystals (Ingots), Dotierung von Wafern (Bor, Phosphor, Antimon, Arsen), Waferlösungen (polierte und epitaxierte Wafer, gesägte, geätzte, geläppte Wafer), Kristallzüchtung (Czochralski- und Zonenziehverfahren), Dotierung (B, P, Sb, As), Verkaufsbüros mit Key-Account-Teams (Applikationstechnik, Prozessengineering, Qualitätsmanagement)
- **Werkstoffe:** Reinstsilizium / hyperpure silicon, Polysilizium, Silizium (monokristallin), Dotierung Bor, Dotierung Phosphor, Dotierung Antimon, Dotierung Arsen, Reinstsilizium / Polysilizium, Czochralski-Verfahren, Zonenziehverfahren (Float Zone), Dotierung (Bor, Phosphor, Antimon, Arsen), Epitaxie
- **Zertifikate:** IATF 16949, DIN EN ISO 14001, DIN EN ISO 9001, ISO 45001, ISO 50001, ISO/IEC 27001, ISO 9001, ISO 14001
- **Branchen:** Halbleiterindustrie, Halbleiterchip-Hersteller
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/siltronic

## Über uns

Die Siltronic AG mit Hauptsitz in München ist ein Hersteller von Wafern aus Reinstsilizium und beliefert Halbleiterhersteller in aller Welt. Das Unternehmen stellt polierte und epitaktische Wafer sowie gesägte, geätzte und geläpfte Wafer mit Durchmessern von 200 mm bis 300 mm her. Die Fertigung umfasst die Reinstsilizium- und Polysiliziumherstellung, die Kristallzüchtung nach dem Czochralski- und Zonenziehverfahren sowie die Dotierung mit Bor, Phosphor, Antimon und Arsen. Kunden sind unter anderem die weltweit führenden zwanzig Unternehmen der Halbleiterindustrie, denen Siltronic als strategischer Entwicklungspartner zur Seite steht; die Innovationskraft ist durch knapp 2.000 Patente und Patentanmeldungen belegt. Produziert wird in einem globalen Netzwerk von Werken in Europa, Asien und den USA, darunter die größte 300-mm-Fab Europas in Freiberg und die 2024 eingeweihte moderne 300-mm-Fab in Singapur. Das Unternehmen beschäftigt rund 4.300 Mitarbeitende und ist seit 2015 im Prime Standard notiert.

## Verfahren & technische Grenzen

- Waferherstellung (Siliziumwafer, Durchmesser bis 300 mm)
- Czochralski-Kristallzüchtung (Cz-Methode)
- Zonenziehverfahren (Float Zone)
- Herstellung von Polierwafern (polished wafers)
- Herstellung von Epi-Wafern (epitaktisch abgeschiedene Schichten)
- Sägen von Wafern (as cut)
- Ätzen von Wafern (etched surface)
- Läppen von Wafern (lapped surface)
- Reinstsilizium-Herstellung (Polysilizium)
- Herstellung von Monocrystals (Ingots)
- Dotierung von Wafern (Bor, Phosphor, Antimon, Arsen)

## Maschinenpark

- Zonenziehanlage (Float Zone)
- 300 mm Wafer-Fabrikationsanlage (Fab)
- 300 mm Siliziumwafer-Fabrikationsanlage (Fab)
- Produktionsanlagen für 200 mm und 300 mm Wafer

## Standorte

- München – Hauptsitz
- Burghausen – Produktion, zentrale F&E; Reinstsilizium und Wafer bis 300 mm
- Freiberg – Produktion; größte 300-mm-Fab Europas
- Singapore – Produktion (200/300 mm)
- Portland, OR – Produktion (200 mm)

## Historie

- 1953: Beginn der F&E im Bereich Reinstsilizium
- 1958: Beginn der Halbleiterproduktion
- 1961: Großtechnische Reinstsiliziumproduktion
- 1962: Entwicklung des ersten Siliziumwafers
- 1968: Gründung Wacker-Chemitronic mbH, Burghausen
- 1978: Gründung Wacker Siltronic Corporation, Portland (USA)
- 1984: Erste 200-mm-Wafer
- 1995: Wafer-Geschäft der Wacker-Chemitronic auf Wacker Siltronic übertragen; Erwerb Freiberger Elektronikwerkstoffe
- 1996: Umwandlung in AG (Wacker Siltronic AG)
- 1997: Gründung Wacker Siltronic Singapore Pte. Ltd.
- 1999: Produktionsstart der Fabrikationsanlage Singapur
- 2004: Produktionsstart 300-mm-Fab Freiberg; Umfirmierung in Siltronic AG
- 2006: Gründung JV Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd. mit Samsung; Baubeginn 300-mm-Fab Singapur
- 2014: Erwerb 78 % an Siltronic Silicon Wafer Pte. Ltd.
- 2015: IPO, Börsennotierung Prime Standard, TecDAX
- 2020: Bekanntgabe geplante Übernahme durch GlobalWafers für 3,7 Mrd. EUR (2021 auf 4,4 Mrd. EUR erhöht)
- 2022: Deutsche Bundesregierung erteilt keine Zustimmung zum Verkauf an GlobalWafers
- 2023: Produktion erster 300-mm-Wafer in der neuen Fab Singapur
- 2024: Einweihung der neuen 300-mm-Fab in Singapur

## Kontakt

- Einsteinstraße 172
- 81677 München
- +49 89 8564 3000
- presse@siltronic.com