# Twenty-One Semiconductors GmbH

> Hersteller von Laser-Gain-Kristallen (MEXL) für gelbe Laser auf Basis von III-V-Halbleiter-Epitaxie

## Auf einen Blick

- **Ort:** Neckartenzlingen
- **Website:** https://www.21semiconductors.com
- **Verfahren:** Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE), Wafer-Level-Fertigung der Gain Crystals (alle Fertigungsschritte vom Substrat bis zum Dicing auf, Dicing der Gain Crystals (Wafer-Dicing), Multifunktionale dielektrische Beschichtung (2mm Apertur, hochreflektierend, transparent 800-830nm), Goldplomierung der Oberflächen außerhalb der Aperturen (thermische Verbindung via Löten), Final Inspection (Endprüfung jedes Gain Crystals), Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen (Layer-Design), Fertigung von Membrane External Cavity Lasern (MEXL) mit Second Harmonic Generation, 488nm-594nm,, Herstellung von Laser-Gain-Kristallen (MEXL), III-V-Halbleiter-Epitaxie via MOVPE (in-house), Laserdesign und -entwicklung, Qualitätssicherung und Prozessentwicklung, Wafer-Level-Fertigung
- **Werkstoffe:** III-V-Halbleiterverbindungen (semiconductor gain membrane), Gold, Dielektrische Beschichtung, III-V-Halbleiterverbindungen, Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
- **Branchen:** Biomedizinische Anwendungen, Wissenschaft/Forschung, Laser-/Photonikindustrie
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/twenty-one-semiconductors

## Über uns

Twenty-One Semiconductors GmbH ist ein Halbleiterhersteller mit Sitz in Neckartenzlingen, dessen Produktion und Entwicklung am Allmandring 3 auf dem Campus der Universität Stuttgart angesiedelt ist. Das Unternehmen fertigt Laser-Gain-Kristalle für Membrane External Cavity Laser (MEXL), die Laseremission im Spektralbereich von 488 nm bis 594 nm im grün-gelben Wellenlängenbereich ermöglichen. Die Kernkompetenz umfasst das Layer-Design, die Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen sowie die III-V-Halbleiter-Epitaxie nach dem MOVPE-Verfahren (Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy), die mit zwei Anlagen im Haus betrieben wird. Die gesamte Fertigung der µm dünnen Halbleitermembranen – vom Substrat bis zum Dicing – erfolgt auf Wafer-Ebene einschließlich dielektrischer Beschichtung, Goldplomierung und Endprüfung jedes einzelnen Kristalls. Abnehmerbranchen sind Biomedizin, Wissenschaft und Forschung sowie die Laser- und Photonikindustrie.

## Verfahren & technische Grenzen

- Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE)
- Wafer-Level-Fertigung der Gain Crystals (alle Fertigungsschritte vom Substrat bis zum Dicing auf
- Dicing der Gain Crystals (Wafer-Dicing)
- Multifunktionale dielektrische Beschichtung (2mm Apertur, hochreflektierend, transparent 800-830nm)
- Goldplomierung der Oberflächen außerhalb der Aperturen (thermische Verbindung via Löten)
- Final Inspection (Endprüfung jedes Gain Crystals)
- Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen (Layer-Design)
- Fertigung von Membrane External Cavity Lasern (MEXL) mit Second Harmonic Generation, 488nm-594nm,

## Maschinenpark

- 2× MOVPE-Epitaxie-Anlage

## Standorte

- Stuttgart – Produktion & Entwicklung (Universität Stuttgart, Allmandring 3)
- Neckartenzlingen – Verwaltung (Kiefernweg 4)

## Kontakt

- Kiefernweg 4
- 72654 Neckartenzlingen
- +49 (0) 711 685 69849
- info@21semiconductors.com