# Wolfspeed, Inc.

> Hersteller von Siliziumkarbid-Substraten, SiC-Epitaxie, GaN-auf-SiC-Materialien und SiC-Leistungsbauelementen

## Auf einen Blick

- **Ort:** Durham, North Carolina, USA
- **Website:** https://www.wolfspeed.com
- **Verfahren:** Herstellung von leitfähigen n-type SiC-Substraten (4H-SiC, Waferproduktion), SiC-Epitaxie (n-type und p-type, einschließlich Thick Epitaxy), Herstellung von High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-Substraten, GaN-Epitaxie (GaN, AlxGa1-xN, Al1-yInyN auf SiC-Substraten), CMP-Politur der Silizium-Fläche (Double-Sided Polish, Si Face CMP Epi Ready), Laser-Markierung von Wafern (OCR-kompatibel, SEMI M12 / SEMI T5), End-to-End Power-Device-Fabrikation (SiC MOSFETs, Schottky-Dioden, Power Modules), Produktprüfung und Zuverlässigkeitstests (AEC, IATF, ISO9001, AS9100, JEDEC), SiC-Epitaxie (n-/p-Typ, dickfilm bis 200 µm, Custom-Epitaxie), GaN-Epitaxie auf SiC, Reference Designs, Evaluation Kits, Gate Driver Boards, Technischer Support (Power Applications Forum, FAEs, Customer Quality Engineers), Failure Analysis, IP-Lizenzierung (Patente, Marken), Material-/Produktökologie-Dokumentation
- **Werkstoffe:** 4H-Siliziumkarbid (n-type, leitfähig), 4H-Siliziumkarbid (High Purity Semi-Insulating), Siliziumkarbid (allgemein), Galliumnitrid, Aluminiumgalliumnitrid, Aluminiumindiumnitrid, 4H-Siliziumkarbid, leitfähig (0.015–0.028 Ω·cm), 4H-Siliziumkarbid, High Purity Semi-Insulating (≥1E8 Ω·cm), SiC-Epitaxie (n-type, p-type, Thick Epitaxy bis 200 µm), GaN, AlGaN, AlInN auf SiC, Chemisch-mechanische Politur (Si-Face CMP Epi Ready), Wafer-Laserbeschriftung (SEMI M12/T5, OCR-kompatibel)
- **Zertifikate:** ISO 9001 (QMS), ISO 14001 (EMS), ISO 45001 (OHS), ISO 14067 (PCF, verifiziert), AEC / IATF / JEDEC / AS9100
- **Branchen:** Elektromobilität (EV, Nutzfahrzeuge, Off-Highway), Erneuerbare Energien/Energiespeicher, Basisstationen & Telekommunikation, Traction/Schiene, Industrielle Motorsteuerung, Power Management/Energieversorgung, Rechenzentren/AI-Infrastruktur, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung (RF), Netzinfrastruktur (Solid-State-Transformer)
- **Profil:** https://amplifa-marketplace.com/anbieter/wolfspeed-inc

## Über uns

Wolfspeed ist ein US-amerikanisches Halbleiterunternehmen (NYSE-gelistet, ehemals Cree, Inc.) mit Sitz in Durham, North Carolina, das auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) spezialisiert ist. Das Unternehmen fertigt leitfähige n-type 4H-SiC-Substrate in 100 mm, 150 mm und 200 mm Durchmesser, High-Purity-Semi-Insulating-(HPSI-)SiC-Substrate für RF-Anwendungen sowie n- und p-leitende SiC-Epitaxie mit Schichtdicken bis 200 µm und Custom-Epitaxie. Darüber hinaus bietet Wolfspeed GaN-, AlGaN- und AlInN-Epitaxie auf HPSI-SiC-Substraten bis 150 mm an. Als erster US-basierter vertikal integrierter SiC-Hersteller (Silicon Carbide Corridor) fertigt das Unternehmen zudem SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Power Modules end-to-end. Die Materialien dienen als Ausgangsprodukte für Leistungs- und RF-Halbleiter in Elektromobilität, Erneuerbaren Energien, Telekommunikation, Bahntraktion, industrieller Motorsteuerung, Rechenzentren und Luft- und Raumfahrt. Neben Produktionssubstraten werden Referenzdesigns, Evaluation Kits, Failure Analysis und IP-Lizenzierung angeboten.

## Verfahren & technische Grenzen

- Herstellung von leitfähigen n-type SiC-Substraten (4H-SiC, Waferproduktion)
- SiC-Epitaxie (n-type und p-type, einschließlich Thick Epitaxy), Toleranz Dotierkonzentration ±12–20% (n-type), ±25–50% (p-type);
- Herstellung von High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-Substraten
- GaN-Epitaxie (GaN, AlxGa1-xN, Al1-yInyN auf SiC-Substraten), Toleranz Δx=±0.015, Δy=±0.02; Schichtdicke ±15%
- CMP-Politur der Silizium-Fläche (Double-Sided Polish, Si Face CMP Epi Ready)
- Laser-Markierung von Wafern (OCR-kompatibel, SEMI M12 / SEMI T5)
- End-to-End Power-Device-Fabrikation (SiC MOSFETs, Schottky-Dioden, Power Modules)
- Produktprüfung und Zuverlässigkeitstests (AEC, IATF, ISO9001, AS9100, JEDEC)

## Standorte

- Durham, North Carolina – Headquarters, Fertigung (Substrate & Power Devices)
- Fayetteville – Standort mit SiC-Expertise/Produktion
- Marcy, New York – Standort
- Siler City, North Carolina – Standort
- Unterschleißheim – Wolfspeed Europe GmbH (Vertrieb/Support EMEA)

## Historie

- 1987: Gründung als Cree, Inc.; über 35 Jahre Unternehmensgeschichte in SiC- und GaN-Technologie
- 2006: Übernahme der Materials-Sparte; Akquisition von INTRINSIC Semiconductor Corporation (mitgegründet von Cengiz Balkas, heutiger EVP Materials)
- : Aufbau des ersten US-basierten Silicon Carbide Corridor mit End-to-End-Substrat- und Power-Device-Fertigung; Demonstration von 300-mm-SiC-Wafern; Industrieführer bei 200-mm-n-type-SiC-Substraten

## Kontakt

- 4600 Silicon Drive
- 27703 Durham, North Carolina, USA
- +1 919-313-5300