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Entwickelt und fertigt intelligente Leistungs- und Sensor-Halbleitertechnologien auf Basis von Silizium, SiC und GaN.
Semiconductor Components Industries, LLC. (onsemi)
Scottsdale, AZ (USA) · Design- und Fertigungsstandorte weltweitNeu auf Amplifa
Über onsemi
onsemi (Semiconductor Components Industries, LLC.) ist ein global tätiger Halbleiterhersteller mit Sitz in Scottsdale, Arizona (USA). Das Unternehmen entwickelt und produziert intelligente Leistungs- und Sensor-Technologien, darunter MOSFETs, IGBTs, Leistungsmodule, Silizium-Carbide- (SiC) und Galliumnitrid- (GaN) Bauelemente, Leistungselektronik-ICs, Gatter-Treiber, Sensoren und Bildsensoren. Neben Standardprodukten bietet onsemi IC-Design- und Foundry-Services sowie kundenspezifische ASIC-Entwicklung an, insbesondere für Aerospace, Defense und Security. Die Produkte zielen auf Anwendungen in Automotive (ADAS, E-Antriebe), Industrie, Rechenzentren, Telekommunikation, Medizintechnik und Energieinfrastruktur. onsemi verfügt über Designzentren, Fertigungsstandorte, Vertriebs- und Supportstandorte weltweit und beliefert Märkte in Amerika, Asien-Pazifik, Europa, Naher Osten, Afrika und Japan.
- Standort
- Scottsdale, AZ, USA
- Verfahren
- IC Design and Foundry Services (Halbleiterfertigung), IC Design and Foundry Services, Custom Foundry Services, ASIC Technology, Custom & ASSP, SPICE/PLECS Simulation Models (Self-Service PLECS Model Generator), Design Tools (PRT+, Elite Power Simulator, Interactive Block Diagrams, Power Tree Designs), Reliability Data
- Werkstoffe
- Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Silizium (Si)
- Zertifikate
- ISO 14001, ISO 45001, ISO 26262, TISAX Compliance, TISAX
- Branchen
- Automotive, Industrial, Data Center / Cloud, Telecom, Consumer, Medical
- 01
IC-Design
- 02
Foundry-Fertigung
- 03
Halbleiterfertigung (Si, SiC, GaN)
- 04
Produktdokumentation und Compliance (RoHS/REACH, AEC/PPAP)
- 05
Vertrieb über Direktvertrieb und Distributoren
- 06
Customer Quality und Reliability Support
Materialien und Technologieplattformen
Silizium (Si)
Basis für Leistungshalbleiter wie MOSFETs, IGBTs und analoge/mixed-signal Plattformen wie Treo.
Silicon Carbide (SiC)
Für hocheffiziente SiC-Dioden, MOSFETs, JFETs und Module in Automotive- und Energieanwendungen.
Gallium Nitride (GaN)
GaN-FETs und Vertical GaN für höhere Leistungsdichte und schnelles Schalten.
Standorte
Scottsdale, AZ
USHeadquarters, Design
Produktgruppen
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| IC Design and Foundry Services (Halbleiterfertigung)Engineering | – | – | – | – | Silizium, Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) |
Zusatzleistungen
Qualität und Zuverlässigkeit
onsemi bietet Reliability-Daten, AEC/PPAP-Automotive-Prozessdokumentation sowie regionale Customer-Quality-Teams und Failure-Analysis-Labore. Qualifizierte Standorte sind nach ISO 26262 und TISAX ausgewiesen.
| Nachweis | Scottsdale, AZ |
|---|---|
| ISO 14001 | |
| ISO 45001 | |
| ISO 26262 | |
| TISAX |
Unternehmenshistorie
Ursprünge u. a. bei Fairchild; über 60 Jahre Technologie-Entwicklungen durch Akquisitionen und interne Entwicklung