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Entwickler und Hersteller von Leistungshalbleitern, Leistungsmodulen und Power Electronic Stacks von ca. 2 kW bis 10 MW.
Semikron Danfoss
Nürnberg (Hauptsitz/Produktion) · Produktionsstandorte in Brasilien, China, Frankreich, Indien, Italien, Slowakei, USANeu auf Amplifa
Über Semikron Danfoss
Semikron Danfoss ist ein auf Leistungselektronik spezialisierter Halbleiterhersteller mit Hauptsitz in Nürnberg. Das Unternehmen entwickelt und fertigt Leistungshalbleiter-Chips (IGBT, MOSFET, Dioden, Thyristoren), Leistungsmodule, Treiber und integrierte Systeme sowie Power Electronic Stacks bis in den Multi-Megawatt-Bereich (ca. 2 kW bis 10 MW). Die Fertigung umfasst Chipfertigung auf Silizium- und Siliziumkarbid-Basis, Modulmontage mit Silbersinter- und Löttechnik, Press-Fit- und Druckkontaktierung sowie Schutzbeschichtungen (SemiSeal) gegen korrosive Gase. Produkte kommen unter anderem in Datenzentren, Windenergie-, Solar- und Speicheranlagen, industriellen Antrieben, Schienenfahrzeugen, Automotive- und Wasserstoff-Anwendungen zum Einsatz. Weltweit beschäftigt das Unternehmen über 3000 Mitarbeitende in 24 Niederlassungen mit Produktionsstandorten in Deutschland, Brasilien, China, Frankreich, Indien, Italien, der Slowakei und den USA. 2022 fusionierten Semikron und Danfoss Silicon Power zu Semikron Danfoss.
- Standort
- Nürnberg
- Verfahren
- Leistungshalbleiter-Chipfertigung (IGBT, MOSFET, Dioden, Thyristoren), Power Module Packaging / Montage von Leistungsmodulen, Silbersintern (Sinter Technology / Chip Attachment Sinter), SemiSeal Schutzbeschichtung gegen korrosive Gase (H2S), Press-Fit Technologie (lötlose Hilfskontaktierung), Löten von Leistungsmodulen (klassische Chip-Attachment-Technologie), Schweißen von Hochstrom-Terminals (welded power terminals), Dünnpasten-/Thin-Wafer-Technologie für Dioden
- Werkstoffe
- Silizium, Siliziumkarbid (SiC), Selen, Silber (Sinterverbindung), Kupfer
- Gegründet
- 1951
- Mitarbeiter
- >3000
- Branchen
- Datenzentren, Windenergie, Solar, Energiespeicher (ESS), Automotive, Industrielle Antriebe
- 01
Leistungshalbleiter-Chipfertigung (IGBT, MOSFET, Dioden, Thyristoren)
- 02
Chip-Attachment durch Silbersintern oder Löten
- 03
Modulmontage / Power Module Packaging
- 04
Schutzbeschichtung (SemiSeal) und Prüftechnik
- 05
Systemintegration: Power Electronic Stacks bis Multi-Megawatt
Werkstoffe & Verfahren
Silizium
Grundmaterial für IGBT-, MOSFET-, Dioden- und Thyristor-Chips, auch als Dünnpasten-/Thin-Wafer-Technologie bei CAL7-Dioden.
Siliziumkarbid (SiC)
SiC-MOSFET-Chips bis 2 kV für hocheffiziente Module in 1500-V-DC-Anwendungen.
Selen
Werkstoff der frühen Selengleichrichter-Platten und Selen-Spannungsbegrenzer ab 1954.
Silber (Sinterverbindung)
Silbersintern ersetzt das Löten der Chips und erhöht die Lastwechselzuverlässigkeit.
Kupfer
Basisplatten und Kontakte; Schutz durch SemiSeal-Beschichtung gegen dendritischen Bewuchs auf Cu-Oberflächen.
Standorte
Nürnberg
DEHauptsitz / Produktion
- Werkstoffe
- Silizium, SiC
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Leistungshalbleiter-Chipfertigung (IGBT, MOSFET, Dioden, Thyristoren)Engineering | – | – | – | – | Silizium, Siliziumkarbid (SiC), Selen |
| Power Module Packaging / Montage von LeistungsmodulenMontage | – | – | – | – | Silizium, SiC, Kupfer |
| Silbersintern (Sinter Technology / Chip Attachment Sinter)Fügen | – | – | – | – | Silber, Silizium, SiC |
| SemiSeal Schutzbeschichtung gegen korrosive Gase (H2S)Oberfläche | – | – | – | – | Kupfer (Schutz von Cu-Oberflächen) |
| Press-Fit Technologie (lötlose Hilfskontaktierung)Fügen | – | – | – | – | – |
| Löten von Leistungsmodulen (klassische Chip-Attachment-Technologie)Fügen | – | – | – | – | – |
| Schweißen von Hochstrom-Terminals (welded power terminals)Fügen | – | – | – | – | – |
| Dünnpasten-/Thin-Wafer-Technologie für DiodenEngineering | – | – | – | – | Silizium |
| Drahtbonden (wire bond materials)Fügen | – | – | – | – | – |
| Power Electronic Stacks / Systemintegration bis Multi-MegawattEngineering | – | – | ca. 2 kW – bis 10 MW | – | – |
| Flüssigkeitskühlung (HPC Liquid Cooling) Integration in IPMEngineering | – | – | – | – | – |
| Reliability- und Leistungstests (power cycling, humidity robustness, reliability testing)Prüfung | – | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Historie
- 1951
Gründung durch Friedrich Josef Martin in Nürnberg
- 1954
Start der Halbleiterfertigung: Selengleichrichter-Platten und Selen-Spannungsbegrenzer
- 1959
Fertigung von Silizium-Dioden; Entwicklung der ersten Avalanche-Diode der Welt
- 1964
Erste 1A-Kunststoffdiode für direkte Leiterplattenmontage
- 1974
Entwicklung des Thyristor-Dioden-Moduls „Semipack 1“, das zum Industriestandard wurde
- 1992
Einführung der Druckkontaktierung und SKiiP (erste IPM); CAL-Diode
- 2007
SKiM 100 % lötfreie IGBT-Module; Sinter-Technologie
- 2009
SKiiP4 intelligentes Leistungsmodul mit 3600 A
- 2022
Zusammenschluss von Semikron und Danfoss Silicon Power zu Semikron Danfoss