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Entwicklung und Fertigung von Halbleiterlasern und LEDs für die Gas-, Flüssigkeits- und Feststoff-Analyse in Sensing-Anwendungen
Sensalight Technologies GmbH
WürzburgNeu auf Amplifa
Über Sensalight Technologies
Sensalight Technologies GmbH entwickelt und fertigt in Würzburg Halbleiterlaser und Lasersysteme für die Echtzeitanalyse von Gasen, Flüssigkeiten und festen Stoffen. Das Produktportfolio umfasst Distributed-Feedback-Laser (DFB) für die Gasensorik, weit abstimbare monolithische coupled-cavity-Laser für Flüssigkeits- und Feststoffmessungen sowie Mid-Infrarot-LEDs mit Wellenlängen zwischen 2.800 und 6.500 nm auf Basis von Interband-Kaskaden-Heterostrukturen. Die Laserspecifikationen sind kundenspezifisch zwischen unter 1 µm und über 10 µm einstellbar. Als vertikal integriertes Unternehmen deckt Sensalight die gesamte Technologiekette vom Laserdesign über Epitaxie und Nanofabrikation bis zu Charakterisierung und Assembly ab. Ergänzend bietet das Unternehmen Technologiedienstleistungen an, darunter Elektronenstrahllithographie mit Strukturgrößen von rund 10 nm, optische Lithographie, Nass- und Trockenätzen sowie dielektrische und metallische Beschichtung durch Evaporation und Sputtern auf Wafern bis 8 Zoll. Anwendungen finden sich in Umwelt- und Klimamonitoring, medizinischer Diagnostik, Sicherheitstechnik, Automotive und industrieller Prozesskontrolle.
- Standort
- Würzburg
- Verfahren
- Halbleiterlaser-Herstellung (Design bis Assembly, vertikal integriert), Nanofabrikation per Elektronenstrahllithographie, Optische Lithographie, Trockenätzen, Nassätzen, Dielektrische und metallische Beschichtung durch Evaporation, Beschichtung durch Sputtern, Lasercharakterisierung und Test
- Werkstoffe
- GaAs, InP, GaSb, Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), Galliumantimonid (GaSb), Elektronenstrahllithographie, Nass- und Trockenätzen
- Zertifikate
- DIN EN ISO 9001:2015, ISO 9001
- Gegründet
- 2019
- Mitarbeiter
- 45
- Branchen
- Umwelt- und Klimamonitoring, Medizintechnik, Sicherheitstechnik, Automotive, Industrielle Prozesskontrolle, Umwelt-/Klimamonitoring
- 01
Design und Entwicklung
- 02
Molekularstrahlepitaxie
- 03
Elektronenstrahl- und optische Lithographie
- 04
Nass- und Trockenätzen
- 05
Beschichtung (Evaporation, Sputtern)
- 06
Laser-Charakterisierung und Test
- 07
Assembly und Vertrieb
Werkstoffe und Verfahren
Galliumarsenid (GaAs)
III-V-Halbleitersubstrat für DFB- und abstimbare Sensing-Laser im Bereich kürzerer Wellenlängen.
Indiumphosphid (InP)
Substratmaterial für Single-mode-Laser im Nah- und Mittelinfrarotbereich.
Galliumantimonid (GaSb)
Basis für Mid-IR-LEDs und Laser mit Wellenlängen bis über 10 µm.
Elektronenstrahllithographie
Nanofabrikation mit Strukturgrößen bis ca. 10 nm auf Wafern bis 8 Zoll.
Nass- und Trockenätzen
Strukturierung von Wafern bis 8 Zoll für Laserherstellung.
Evaporation und Sputtern
Dielektrische und metallische Beschichtung von Wafern bis 8 Zoll.
Standorte
Würzburg
DEHauptsitz: Entwicklung, Fertigung, Charakterisierung, Vertrieb
- Werkstoffe
- GaAs, InP, GaSb
- 700 m² Cleanroom mit kompletter Laser-Fertigungslinie
- Elektronenstrahllithographie-System (Wafer bis 6")
- Evaporationsbeschichtungssystem (Wafer bis 8")
- Sputtersystem (Wafer bis 8")
- Ätzsysteme, nass und trocken (Wafer bis 8")
- Optisches und Elektronenmikroskop für Inspektion
Produkte und Bauteile
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Halbleiterlaser-Herstellung (Design bis Assembly, vertikal integriert)Additiv | – | – | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Nanofabrikation per ElektronenstrahllithographieEngineering | ca. 10 nm Strukturgröße | Wafer bis 6" × Wafer bis 6" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Optische LithographieEngineering | – | Wafer bis 8" × Wafer bis 8" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| TrockenätzenOberfläche | – | Wafer bis 8" × Wafer bis 8" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| NassätzenOberfläche | – | Wafer bis 8" × Wafer bis 8" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Dielektrische und metallische Beschichtung durch EvaporationOberfläche | – | Wafer bis 8" × Wafer bis 8" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Beschichtung durch SputternOberfläche | – | Wafer bis 8" × Wafer bis 8" | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Lasercharakterisierung und TestPrüfung | – | – | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Herstellung von Distributed-Feedback-Lasern (DFB)Additiv | – | – | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Herstellung weit abstimmbarer Monolithik-Laser (coupled cavity)Additiv | – | – | – | – | GaAs, InP, GaSb |
| Herstellung von Mid-IR-LEDs (Interband-Kaskaden-Heterostrukturen)Additiv | – | – | – | – | GaSb |
| Molekularstrahlepitaxie (MBE)Guss | – | – | – | – | GaAs, InP, GaSb |
6 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Elektronenstrahllithographie-System | – | – | Wafer bis 6" | – | Würzburg |
| Evaporationsbeschichtungssystem | – | – | Wafer bis 8" | – | Würzburg |
| Sputtersystem | – | – | Wafer bis 8" | – | Würzburg |
| Ätzsysteme (nass und trocken) | – | – | Wafer bis 8" | – | Würzburg |
| Optisches und Elektronenmikroskop (Inspektion) | – | – | – | – | Würzburg |
| Reinraum (700 m²) mit kompletter Laser-Fertigungslinie | – | 1 | 700 m² | 2022 | Würzburg |
Zusatzleistungen
Qualität
Das Qualitätsmanagementsystem ist nach DIN EN ISO 9001:2015 durch All-Cert zertifiziert (Zertifikat Nr. 301671, gültig bis 21.11.2025). Zur Inspektion stehen optische und Elektronenmikroskope sowie Charakterisierungs- und Testaufbauten für die Laserfertigung bereit.
| Nachweis | Würzburg |
|---|---|
| ISO 9001 |
Historie
- 2019
Gründung von Sensalight Technologies durch Alfred Forchel und Johannes Koeth als Spin-off aus der Halbleiterlaser-Forschung in Würzburg; beide gründeten bereits 1998 nanoplus Nanosystems and Technologies.
- 2022
Umzug in neue Räumlichkeiten mit 700 m² Cleanroom und kompletter Laser-Fertigungslinie.