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Siltronic fertigt Hightech-Siliziumwafer bis 300 mm Durchmesser als Basis für Halbleiterchips weltweit.

Siltronic AG

München · Burghausen · Freiberg · Singapur · Portland, ORNeu auf Amplifa

1953Beginn der F&E im Bereich Reinstsilizium

4.300Mitarbeitende weltweit

300 mmMaximaler Wafer-Durchmesser

1 Wafer/SekundeProduktionsrate (Imagebroschüre 2023)

2015Börsengang (Prime Standard, TecDAX)

Über Siltronic

Die Siltronic AG mit Hauptsitz in München ist ein Hersteller von Wafern aus Reinstsilizium und beliefert Halbleiterhersteller in aller Welt. Das Unternehmen stellt polierte und epitaktische Wafer sowie gesägte, geätzte und geläpfte Wafer mit Durchmessern von 200 mm bis 300 mm her. Die Fertigung umfasst die Reinstsilizium- und Polysiliziumherstellung, die Kristallzüchtung nach dem Czochralski- und Zonenziehverfahren sowie die Dotierung mit Bor, Phosphor, Antimon und Arsen. Kunden sind unter anderem die weltweit führenden zwanzig Unternehmen der Halbleiterindustrie, denen Siltronic als strategischer Entwicklungspartner zur Seite steht; die Innovationskraft ist durch knapp 2.000 Patente und Patentanmeldungen belegt. Produziert wird in einem globalen Netzwerk von Werken in Europa, Asien und den USA, darunter die größte 300-mm-Fab Europas in Freiberg und die 2024 eingeweihte moderne 300-mm-Fab in Singapur. Das Unternehmen beschäftigt rund 4.300 Mitarbeitende und ist seit 2015 im Prime Standard notiert.

Standort: München
Verfahren: Waferherstellung (Siliziumwafer, Durchmesser bis 300 mm), Czochralski-Kristallzüchtung (Cz-Methode), Zonenziehverfahren (Float Zone), Herstellung von Polierwafern (polished wafers), Herstellung von Epi-Wafern (epitaktisch abgeschiedene Schichten), Sägen von Wafern (as cut), Ätzen von Wafern (etched surface), Läppen von Wafern (lapped surface)
Werkstoffe: Reinstsilizium / hyperpure silicon, Polysilizium, Silizium (monokristallin), Dotierung Bor, Dotierung Phosphor, Dotierung Antimon, Dotierung Arsen, Reinstsilizium / Polysilizium
Zertifikate: IATF 16949, DIN EN ISO 14001, DIN EN ISO 9001, ISO 45001, ISO 50001, ISO/IEC 27001, ISO 9001, ISO 14001
Gegründet: 1953
Mitarbeiter: 4300
Branchen: Halbleiterindustrie, Halbleiterchip-Hersteller

01
Reinstsilizium-/Polysiliziumherstellung
02
Kristallzüchtung (Czochralski / Float Zone)
03
Dotierung (B, P, Sb, As)
04
Sägen
05
Läppen
06
Ätzen
07
Polieren
08
Epitaxie
09
Qualitätsprüfung
10
Vertrieb weltweit

Werkstoffe und Verfahren

Si-Reinst

Reinstsilizium / Polysilizium

Basisrohstoff für Monokristalle und Siliziumwafer bis 300 mm Durchmesser.

Si-Cz

Czochralski-Verfahren

Kristallzüchtung monokristalliner Silizium-Ingots für den Großteil der Waferproduktion.

Si-FZ

Zonenziehverfahren (Float Zone)

Ziehverfahren für Wafer mit besonders hohen Reinheitsanforderungen, seit 1959 im Einsatz.

B/P/Sb/As

Dotierung (Bor, Phosphor, Antimon, Arsen)

Gezielte Dotierung der Wafer zur Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit.

Epi

Epitaxie

Abscheidung epitaktischer Schichten auf polierten Wafern für anspruchsvolle Anwendungen.

Standorte

München

Hauptsitz

Burghausen

Produktion, zentrale F&E; Reinstsilizium und Wafer bis 300 mm

Werkstoffe: Reinstsilizium, Siliziumwafer bis 300 mm

Zonenziehanlage (Float Zone, seit 1959)
300-mm-Pilotfertigungslinie (ab 1998)

Freiberg

Produktion; größte 300-mm-Fab Europas

Werkstoffe: Silizium (monokristallin)

300-mm-Siliziumwafer-Fabrikationsanlage (Produktionsstart 2004)

Singapore

Produktion (200/300 mm)

Werkstoffe: Silizium (monokristallin)

Produktionsanlagen für 200 mm und 300 mm Wafer
Neue 300-mm-Fab (eingeweiht 2024)

Portland, OR

Produktion (200 mm)

Werkstoffe: Silizium (monokristallin)

Produkte

**Siliziumwafer**Kristallzüchtung, Polieren · Halbleiterindustrie

Einblicke in die Fertigung

Über Siltronic – Einblick in die Fertigung

Branchen

HalbleiterindustrieHalbleiterchip-Hersteller

Verfahren & technische Grenzen

Verfahren	Toleranz	Max. Bauteil	Gewicht	Losgröße	Werkstoffe
Waferherstellung (Siliziumwafer, Durchmesser bis 300 mm)Halbleiter/Wafer-Fertigung	–	300 mm Durchmesser	–	–	Reinstsilizium
Czochralski-Kristallzüchtung (Cz-Methode)Kristallzüchtung	–	–	–	–	Silizium
Zonenziehverfahren (Float Zone)Kristallzüchtung	–	–	–	–	Silizium
Herstellung von Polierwafern (polished wafers)Oberfläche	–	–	–	–	Reinstsilizium
Herstellung von Epi-Wafern (epitaktisch abgeschiedene Schichten)Halbleiter/Wafer-Fertigung	–	–	–	–	Reinstsilizium
Sägen von Wafern (as cut)Zerspanung	–	–	–	–	Silizium
Ätzen von Wafern (etched surface)Oberfläche	–	–	–	–	Silizium
Läppen von Wafern (lapped surface)Oberfläche	–	–	–	–	Silizium
Reinstsilizium-Herstellung (Polysilizium)Halbleiter/Wafer-Fertigung	–	–	–	–	Reinstsilizium, Polysilizium
Herstellung von Monocrystals (Ingots)Kristallzüchtung	–	300 mm Durchmesser	–	–	Silizium
Dotierung von Wafern (Bor, Phosphor, Antimon, Arsen)Halbleiter/Wafer-Fertigung	–	–	–	–	Silizium, Bor, Phosphor, Antimon, Arsen

4 Anlagen & Maschinen

Maschine	Hersteller / Modell	Anzahl	Arbeitsraum	Baujahr	Standort
Zonenziehanlage (Float Zone)	–	–	–	1959	Burghausen
300 mm Wafer-Fabrikationsanlage (Fab)	–	–	–	2023/2024	Singapur
300 mm Siliziumwafer-Fabrikationsanlage (Fab)	–	–	–	2004	Freiberg
Produktionsanlagen für 200 mm und 300 mm Wafer	–	–	–	–	Singapur

Zusatzleistungen

Waferlösungen (polierte und epitaxierte Wafer, gesägte, geätzte, geläppte Wafer)Kristallzüchtung (Czochralski- und Zonenziehverfahren)Dotierung (B, P, Sb, As)Verkaufsbüros mit Key-Account-Teams (Applikationstechnik, Prozessengineering, Qualitätsmanagement)

Referenzkunden

weltweit führende 20 Halbleiterunternehmen (strategische Entwicklungspartnerschaften)Samsung (Joint Venture Siltronic Silicon Wafer Pte. Ltd.)

Qualität

An allen Standorten arbeitet Siltronic nach denselben Technologien und zertifizierten Standards; das integrierte Managementsystem (IMS) bündelt Qualität, Arbeitssicherheit, Umweltschutz, Informations- und Energiemanagement.

Nachweis	Burghausen	Freiberg	Singapore	Portland, OR
IATF 16949
ISO 9001
ISO 14001
ISO 45001
ISO 50001

Historie

1953
Beginn der F&E im Bereich Reinstsilizium
1958
Beginn der Halbleiterproduktion
1961
Großtechnische Reinstsiliziumproduktion
1962
Entwicklung des ersten Siliziumwafers
1968
Gründung Wacker-Chemitronic mbH, Burghausen
1978
Gründung Wacker Siltronic Corporation, Portland (USA)
1984
Erste 200-mm-Wafer
1995
Wafer-Geschäft der Wacker-Chemitronic auf Wacker Siltronic übertragen; Erwerb Freiberger Elektronikwerkstoffe
1996
Umwandlung in AG (Wacker Siltronic AG)
1997
Gründung Wacker Siltronic Singapore Pte. Ltd.
1999
Produktionsstart der Fabrikationsanlage Singapur
2004
Produktionsstart 300-mm-Fab Freiberg; Umfirmierung in Siltronic AG
2006
Gründung JV Siltronic Samsung Wafer Pte. Ltd. mit Samsung; Baubeginn 300-mm-Fab Singapur
2014
Erwerb 78 % an Siltronic Silicon Wafer Pte. Ltd.
2015
IPO, Börsennotierung Prime Standard, TecDAX
2020
Bekanntgabe geplante Übernahme durch GlobalWafers für 3,7 Mrd. EUR (2021 auf 4,4 Mrd. EUR erhöht)
2022
Deutsche Bundesregierung erteilt keine Zustimmung zum Verkauf an GlobalWafers
2023
Produktion erster 300-mm-Wafer in der neuen Fab Singapur
2024
Einweihung der neuen 300-mm-Fab in Singapur