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Industrieller NAND-Flash-Speicher und Hardware-Sicherheitslösungen – entwickelt in Europa, gefertigt in Berlin

Swissbit AG
Bronschhofen (CH, Hauptsitz) · Berlin (DE, Produktion) · München (DE, Vertrieb) · Konstanz & Düsseldorf (DE, Hyperstone Controller-Entwicklung) · Westford, USA · Tokio, Japan · New Taipei City,Neu auf Amplifa
Über Swissbit
Swissbit AG ist ein Hersteller industrieller Speicher- und Sicherheitslösungen mit Hauptsitz in Bronschhofen, Schweiz. Das Unternehmen entwickelt und fertigt PCIe- und SATA-SSDs, Speicherkarten (SD, microSD, CFast, CFexpress, CompactFlash), Managed NAND (e.MMC, BGA), USB-/eUSB-Speicher sowie Hardware-Sicherheitsprodukte wie FIDO-Sicherheitsschlüssel (iShield Key), sichere SD-Karten, HSM-, TSE- und Fiskalisierungslösungen. Die Fertigung erfolgt an der Swissbit Germany AG in Berlin (Bitterfelder Straße 22) auf rund 2.600 m² inklusive Reinraumproduktion: System-in-Package- und SMT-Fertigung, Wafer-Dünnung, Wire Bonding, Chip-on-Board, Firmware-Flashing und Security Provisioning, mit einer Kapazität von bis zu 2 Mio. Einheiten pro Monat. Verwendete NAND-Technologien sind SLC, MLC, 3D TLC und pSLC, ergänzt durch DRAM. Die Produkte sind für -40 °C bis +85 °C (Automotive bis +125 °C), Vibration und Dauerbetrieb ausgelegt und dienen Branchen wie Fertigung und Automation, Netzwerkkommunikation, KI-Infrastruktur, Rechenzentren, Bahn und Verkehr, Automotive, Gesundheitswesen, Defense und Aerospace sowie Kassensystemen. Controller-Expertise kommt aus der Gruppe-Tochter Hyperstone (Konstanz, Düsseldorf). Swissbit beliefert über 5.000 Kunden weltweit.
- Standort
- Bronschhofen
- Verfahren
- PCIe-SSD-Fertigung (U.2, E1.S, M.2 2280, M.2 2242/30), SATA-SSD-Fertigung (2,5", M.2, SlimSATA, mSATA), Speicherkarten-Fertigung (CFexpress, CFast, CompactFlash, SD, microSD), Managed NAND (e.MMC-BGA, M.2 PCIe BGA), USB-/eUSB-Speicherfertigung (USB 3.1), System-in-Package (SiP) Fertigung, Wafer-Schleifen (Wafer-Dünnung auf 40 µm) & Trennen (Laser-/Blatt-Trennen), Wire Bonding (Ball- & Wedge-Bonding, Fine Pitch 40 µm)
- Werkstoffe
- NAND Flash SLC, NAND Flash MLC, NAND Flash 3D TLC, pSLC (Pseudo-SLC aus MLC/TLC), DRAM, NXP P71D600 Secure Chip (JCOP 4.5), Bonddraht Gold, Bonddraht Kupfer
- Zertifikate
- ISO 9001, IATF 16949, ISO 14001, ISO 27001, ISO 50001, FIPS 140-3 Level 3 (iShield Key 2), FIDO-Zertifizierung (iShield Key Serie)
- Gegründet
- 2001
- Branchen
- Fertigung & Automation, Netzwerk & Kommunikation, KI-Infrastruktur, Data Center & Enterprise, Transport & Bahn, Automotive
- 01
Controller-Entwicklung (Hyperstone)
- 02
Substrat-Design (Fine-Line 35/35 µm, 2.5D/3D)
- 03
Wafer-Dünnung bis 40 µm & Trennen
- 04
Chip-on-Board / Die-Bonding (bis 15 x 15 mm)
- 05
Wire Bonding (Ball/Wedge, Fine Pitch 40 µm)
- 06
Underfill (kapillar & No-Flow)
- 07
SMT-Montage
- 08
Firmware-Flashing, Security Provisioning & Data Preload
- 09
Marking (Laser, Tampondruck, UV-Inkjet)
- 10
100 % elektrische Endprüfung (-40 °C bis +85 °C)
Werkstoffe & Verfahren
NAND Flash SLC
Single-Level-Cell-NAND mit höchster Zelllebensdauer für dauerbelastete Industrieanwendungen.
NAND Flash MLC
Multi-Level-Cell-NAND als Grundlage für pSLC-Konfigurationen und Speicherprodukte mit ausgewogener Balance von Kapazität und Ausdauer.
NAND Flash 3D TLC
Für kapazitätsstarke SSDs in Rechenzentren, KI-Infrastruktur und Enterprise-Servern.
pSLC (Pseudo-SLC)
Pseudo-SLC aus MLC/TLC für erhöhte Ausdauer, z. B. in Bahn-Logging-Anwendungen (S-56u).
DRAM
Optionaler DRAM-Chip in Managed-NAND-BGA-Gehäusen.
Bonddrähte Gold, Kupfer, Silberlegierung, Aluminium
Bonddrähte (15-32 µm) für Wire Bonding je nach Anforderungsprofil.
NXP P71D600 Secure Chip (JCOP 4.5)
Secure Element im iShield Key 2 für hardwarebasierte Authentifizierung.
Standorte
Bronschhofen
CHHauptsitz
Berlin
DEProduktion, Fertigung & Vertrieb (Swissbit Germany AG)
- Stückgewicht / Größe
- Die bis 15 x 15 mm
- Losgröße
- bis 2 Mio. Einheiten/Monat
- Werkstoffe
- NAND Flash, DRAM, Halbleiter-Dies
- SiP-Fertigungslinie (Waferbearbeitung, Systemmontage, Tests)
- SMT-Fertigungslinie
- Chip-on-Board (COB) Fertigung
- Reinraum 2.600 m²
München
DEVertrieb
Konstanz
DEHyperstone GmbH – Controller-Entwicklung
Düsseldorf
DEHyperstone GmbH – Controller-Entwicklung
Westford
USSwissbit NA Inc., Vertrieb
Tokio
JPSwissbit Japan Co., Ltd., Vertrieb
New Taipei City
TWSwissbit Taiwan, Vertrieb
China
CNSwissbit China, Vertrieb
Bauteile & Produkte





Einblicke in die Fertigung



Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| PCIe-SSD-Fertigung (U.2, E1.S, M.2 2280, M.2 2242/30)Engineering | – | – | – | – | NAND Flash (SLC, MLC, 3D TLC) |
| SATA-SSD-Fertigung (2,5", M.2, SlimSATA, mSATA)Engineering | – | – | – | – | NAND Flash |
| Speicherkarten-Fertigung (CFexpress, CFast, CompactFlash, SD, microSD)Engineering | – | – | – | – | NAND Flash |
| Managed NAND (e.MMC-BGA, M.2 PCIe BGA)Engineering | – | – | – | – | NAND Flash, DRAM |
| USB-/eUSB-Speicherfertigung (USB 3.1)Engineering | – | – | – | – | NAND Flash |
| System-in-Package (SiP) FertigungMontage | – | bis 15 x 15 mm (Die-Handling) | – | 2 Mio. Einheiten/Monat (Standort Berlin) | Halbleiter-Dies, passive Komponenten, Sensoren |
| Wafer-Schleifen (Wafer-Dünnung auf 40 µm) & Trennen (Laser-/Blatt-Trennen)Montage | – | bis 15 x 15 mm Die × bis 15 x 15 mm Die | – | – | Halbleiterwafer |
| Wire Bonding (Ball- & Wedge-Bonding, Fine Pitch 40 µm)Montage | – | – | – | – | Gold, Kupfer, Silberlegierung, Aluminium (Bonddrähte 15-32 µm) |
| IC-/Advanced-Substrate-Design & -Prozessierung (Fine-Line 35/35 µm, Build-up, 2.5D/3D)Engineering | – | – | – | – | Substrate |
| Underfill (kapillar & No-Flow)Montage | – | – | – | – | Underfill-Material |
| Marking (Laserbeschriftung, Tampondruck, UV-Inkjet, Labeling)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| Firmware-Flashing, Security Provisioning & Data PreloadEngineering | – | – | – | – | – |
| Surface-Mount Technology (SMT)Montage | – | – | – | 2 Mio. Einheiten/Monat | – |
| Chip-on-Board (COB) FertigungMontage | – | – | – | 2 Mio. Einheiten/Monat | – |
| 100 % elektrische Endprüfung über Temperaturbereich (-40 °C bis +85 °C)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Security-Produktfertigung (iShield Key, HSM, TSE, Secure SD/microSD)Montage | – | 60 x 16,0 x 5,2 mm (iShield Key 2 USB-C) × 65 x 16,0 x 5,2 mm (USB-A) × 5,2 mm | – | – | – |
3 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| SiP-Fertigungslinie (Waferbearbeitung, Systemmontage, Tests) | Swissbit | – | – | – | Berlin, Deutschland |
| SMT-Fertigungslinie | Swissbit | – | 2.600 m² inkl. Reinraumproduktion | 2019 (Prod | Berlin, Deutschland |
| Chip-on-Board (COB) Fertigung | Swissbit | – | – | – | Berlin, Deutschland |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität & Zertifizierungen
Jedes Produkt durchläuft eine 100-prozentige elektrische Endprüfung über den Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C. Die Fertigung in Berlin ist nach ISO 9001, IATF 16949, ISO 14001, ISO 27001 und ISO 50001 zertifiziert; Sicherheitsprodukte sind FIPS 140-3 Level 3 und FIDO-zertifiziert.
| Nachweis | Berlin |
|---|---|
| ISO 9001 | |
| IATF 16949 | |
| ISO 14001 | |
| ISO 27001 | |
| ISO 50001 |
Historie
- 2001
Gründung von Swissbit in Bronschhofen, Schweiz
- 2002
Produktionsstart des Standorts Berlin; seitdem Millionen von Komponenten gefertigt
- 2019
Produktionsstart am aktuellen Berliner Standort (Bitterfelder Straße 22) im November
- 2021
Übernahme von Hyperstone – Erweiterung der europäischen Controller-Expertise
- 2023
Auswahl für das IPCEI-ME/CT-Programm der EU (Halbleiterinitiative)
- 2026
25-jähriges Jubiläum von Swissbit