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SwissBN – Fertigung

CVD-Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN) in Wafer-Grösse für Anwendungen mit 2D-Materialien

SwissBN Logo

SwissBN.ch

Zürich (CH)Neu auf Amplifa

2025Seit 1.3.2025 verbunden mit dem IEF der ETH Zürich

Über SwissBN

SwissBN ist ein Schweizer Hersteller von 2D-Materialien mit Schwerpunkt auf hexagonalem Bornitrid (h-BN). Das Unternehmen fertigt hochwertige, flache h-BN-Materialien in Wafer-Grösse und setzt dabei auf chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) als Kernverfahren. Diese einzigartige Expertise in der h-BN-Synthese ermöglicht gebrauchsfertige Substrate und Dielektrika für Anwendungen mit zweidimensionalen Materialien in Halbleiter- und Elektronikentwicklung sowie in der Forschung. SwissBN entstand im Rahmen des 2D-Materials-Projekts der Gruppe für niedrigdimensionale Systeme am Physik-Institut der Universität Zürich und bringt damit langjährige wissenschaftliche Erfahrung in Materialsynthese und Charakterisierung mit. Seit dem 1. März 2025 ist SwissBN mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich verbunden und stärkt damit seine Position an der Schnittstelle zwischen Grundlagenforschung und Technologieentwicklung im Umfeld fortschrittlicher 2D-Materialien.

Standort
Zürich
Verfahren
Chemical Vapor Deposition (CVD) Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN), CVD-Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN), Wafer-scale Fertigung hochwertiger, flacher 2D-Bornitrid-Materialien
Werkstoffe
hexagonales Bornitrid (h-BN), Hexagonales Bornitrid, Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
Branchen
2D-Materialien, Halbleiter/Elektronik, Forschung
  1. 01

    Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) der h-BN-Synthese

Werkstoffe und Verfahren

h-BN

Hexagonales Bornitrid

2D-Bornitrid, hergestellt per CVD in Wafer-Grösse als Isolator- und Dielektrikumsmaterial für 2D-Materialien-Anwendungen.

CVD

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

Kernverfahren zur Synthese von hochwertigem, flachem h-BN in Wafer-Grösse.

Standort

Standort Zürich

Zürich

CH

Fertigung und Entwicklung; seit 2025 verbunden mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich, zuvor

Werkstoffe
Hexagonales Bornitrid (h-BN)
  • CVD-Anlagen

Materialien

h-BN-Material in Wafer-Grösse
h-BN-Material in Wafer-GrösseCVD-Synthese · Halbleiter/2D-Materialien

Einblicke in die Fertigung

h-BN-Material, synthetisiert per CVD in Wafer-Grösse
h-BN-Material, synthetisiert per CVD in Wafer-Grösse

Branchen

2D-MaterialienHalbleiter/ElektronikForschung

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
Chemical Vapor Deposition (CVD) Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN)Additiv––––hexagonales Bornitrid (h-BN)

Zusatzleistungen

CVD-Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN)Wafer-scale Fertigung hochwertiger, flacher 2D-Bornitrid-Materialien

Historie

  1. Entstanden im Rahmen des 2D Materials Projekts der Gruppe für niedrigdimensionale Systeme am Physik-Institut der Universität Zürich

  2. 2025

    Seit 1. März 2025 verbunden mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich

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