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CVD-Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN) in Wafer-Grösse für Anwendungen mit 2D-Materialien

SwissBN.ch
Zürich (CH)Neu auf Amplifa
Über SwissBN
SwissBN ist ein Schweizer Hersteller von 2D-Materialien mit Schwerpunkt auf hexagonalem Bornitrid (h-BN). Das Unternehmen fertigt hochwertige, flache h-BN-Materialien in Wafer-Grösse und setzt dabei auf chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) als Kernverfahren. Diese einzigartige Expertise in der h-BN-Synthese ermöglicht gebrauchsfertige Substrate und Dielektrika für Anwendungen mit zweidimensionalen Materialien in Halbleiter- und Elektronikentwicklung sowie in der Forschung. SwissBN entstand im Rahmen des 2D-Materials-Projekts der Gruppe für niedrigdimensionale Systeme am Physik-Institut der Universität Zürich und bringt damit langjährige wissenschaftliche Erfahrung in Materialsynthese und Charakterisierung mit. Seit dem 1. März 2025 ist SwissBN mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich verbunden und stärkt damit seine Position an der Schnittstelle zwischen Grundlagenforschung und Technologieentwicklung im Umfeld fortschrittlicher 2D-Materialien.
- Standort
- Zürich
- Verfahren
- Chemical Vapor Deposition (CVD) Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN), CVD-Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN), Wafer-scale Fertigung hochwertiger, flacher 2D-Bornitrid-Materialien
- Werkstoffe
- hexagonales Bornitrid (h-BN), Hexagonales Bornitrid, Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
- Branchen
- 2D-Materialien, Halbleiter/Elektronik, Forschung
- 01
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) der h-BN-Synthese
Werkstoffe und Verfahren
Hexagonales Bornitrid
2D-Bornitrid, hergestellt per CVD in Wafer-Grösse als Isolator- und Dielektrikumsmaterial für 2D-Materialien-Anwendungen.
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
Kernverfahren zur Synthese von hochwertigem, flachem h-BN in Wafer-Grösse.
Standort

Zürich
CHFertigung und Entwicklung; seit 2025 verbunden mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich, zuvor
- Werkstoffe
- Hexagonales Bornitrid (h-BN)
- CVD-Anlagen
Materialien

Einblicke in die Fertigung

Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Chemical Vapor Deposition (CVD) Synthese von hexagonalem Bornitrid (h-BN)Additiv | – | – | – | – | hexagonales Bornitrid (h-BN) |
Zusatzleistungen
Historie
Entstanden im Rahmen des 2D Materials Projekts der Gruppe für niedrigdimensionale Systeme am Physik-Institut der Universität Zürich
- 2025
Seit 1. März 2025 verbunden mit dem Institute of Electromagnetic Fields (IEF) der ETH Zürich