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Hersteller von Laser-Gain-Kristallen (MEXL) für gelbe Laser auf Basis von III-V-Halbleiter-Epitaxie
Twenty-One Semiconductors GmbH
Stuttgart (Produktion & Entwicklung) · Neckartenzlingen (Verwaltung)Neu auf Amplifa
Über Twenty-One Semiconductors
Twenty-One Semiconductors GmbH ist ein Halbleiterhersteller mit Sitz in Neckartenzlingen, dessen Produktion und Entwicklung am Allmandring 3 auf dem Campus der Universität Stuttgart angesiedelt ist. Das Unternehmen fertigt Laser-Gain-Kristalle für Membrane External Cavity Laser (MEXL), die Laseremission im Spektralbereich von 488 nm bis 594 nm im grün-gelben Wellenlängenbereich ermöglichen. Die Kernkompetenz umfasst das Layer-Design, die Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen sowie die III-V-Halbleiter-Epitaxie nach dem MOVPE-Verfahren (Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy), die mit zwei Anlagen im Haus betrieben wird. Die gesamte Fertigung der µm dünnen Halbleitermembranen – vom Substrat bis zum Dicing – erfolgt auf Wafer-Ebene einschließlich dielektrischer Beschichtung, Goldplomierung und Endprüfung jedes einzelnen Kristalls. Abnehmerbranchen sind Biomedizin, Wissenschaft und Forschung sowie die Laser- und Photonikindustrie.
- Standort
- Neckartenzlingen
- Verfahren
- Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE), Wafer-Level-Fertigung der Gain Crystals (alle Fertigungsschritte vom Substrat bis zum Dicing auf, Dicing der Gain Crystals (Wafer-Dicing), Multifunktionale dielektrische Beschichtung (2mm Apertur, hochreflektierend, transparent 800-830nm), Goldplomierung der Oberflächen außerhalb der Aperturen (thermische Verbindung via Löten), Final Inspection (Endprüfung jedes Gain Crystals), Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen (Layer-Design), Fertigung von Membrane External Cavity Lasern (MEXL) mit Second Harmonic Generation, 488nm-594nm,
- Werkstoffe
- III-V-Halbleiterverbindungen (semiconductor gain membrane), Gold, Dielektrische Beschichtung, III-V-Halbleiterverbindungen, Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
- Branchen
- Biomedizinische Anwendungen, Wissenschaft/Forschung, Laser-/Photonikindustrie
- 01
Layer-Design und Entwicklung
- 02
MOVPE-Epitaxie (in-house)
- 03
Wafer-Level-Fertigung
- 04
Dielektrische Beschichtung
- 05
Goldplomierung
- 06
Wafer-Dicing
- 07
Final Inspection
Werkstoffe & Verfahren
III-V-Halbleiterverbindungen
Halbleiterverbindungen für die µm dünnen Gain-Membranen, deren Materialzusammensetzung die Laserwellenlänge bestimmt.
Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
Herstellungsverfahren für ultra dünne einkristalline Schichten der Gain-Membranen mit zwei in-house Anlagen.
Gold
Plomierung der Oberflächen außerhalb der Aperturen für optimierte thermische Verbindung per Löten.
Dielektrische Beschichtung
Multifunktionale Schichtung im 2-mm-Apertur-Bereich: hochreflektierend für die Laserwellenlänge, transparent bei 800–830 nm zum optischen Pumpen.
Standorte
Stuttgart
DEProduktion & Entwicklung (Universität Stuttgart, Allmandring 3)
- Werkstoffe
- III-V-Halbleiterverbindungen
- 2 MOVPE-Epitaxie-Anlagen
Neckartenzlingen
DEVerwaltung (Kiefernweg 4)
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE)Engineering | – | – | – | – | III-V-Halbleiter-Verbindungen |
| Wafer-Level-Fertigung der Gain Crystals (alle Fertigungsschritte vom Substrat bis zum Dicing aufEngineering | – | – | – | – | III-V-Halbleiter |
| Dicing der Gain Crystals (Wafer-Dicing)Zerspanung | – | – | – | – | III-V-Halbleiter |
| Multifunktionale dielektrische Beschichtung (2mm Apertur, hochreflektierend, transparent 800-830nm)Oberfläche | – | – | – | – | Dielektrika, III-V-Halbleiter |
| Goldplomierung der Oberflächen außerhalb der Aperturen (thermische Verbindung via Löten)Oberfläche | – | – | – | – | Gold, III-V-Halbleiter |
| Final Inspection (Endprüfung jedes Gain Crystals)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Analyse und Qualitätssicherung von Halbleiter-Gain-Strukturen (Layer-Design)Engineering | – | – | – | – | – |
| Fertigung von Membrane External Cavity Lasern (MEXL) mit Second Harmonic Generation, 488nm-594nm,Engineering | – | – | – | – | III-V-Halbleiter |
1 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| MOVPE-Epitaxie-Anlage | – | 2 | – | – | Stuttgart |
Zusatzleistungen