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Hersteller diskreter Halbleiter und passiver elektronischer Bauelemente wie Dioden, MOSFETs, Widerstände, Kondensatoren und Induktivitäten.
Vishay Intertechnology, Inc.
Malvern (US) · Selb · Heide · Heilbronn · Landshut · ItzehoeNeu auf Amplifa
Über Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology ist ein US-amerikanischer Hersteller diskreter Halbleiter und passiver elektronischer Bauelemente mit Hauptsitz in Malvern (Pennsylvania). Das Portfolio umfasst Dioden, Gleichrichter, MOSFETs einschließlich Siliziumkarbid-Bauelemente, Leistungsmodule, Optoelektronik sowie Widerstände, Kondensatoren (Aluminium-Elektrolyt, Keramik, Film, Polymer, Tantal), Induktivitäten, Sensoren und weitere Komponenten. Die Fertigung erfolgt in eigenen Produktionsstätten in 17 Ländern; in Deutschland gibt es Standorte in Selb (Europazentrale, vormals Draloric), Heide (vormals Beyschlag), Heilbronn (vormals Temic/Telefunken), Landshut (vormals Roederstein) und Itzehoe (vormals Siliconix) mit rund 1900 Beschäftigten. Die Bauelemente werden unter anderem in der Automobil-, Luft- und Raumfahrt-, Industrie-, Medizin-, Computer-, Consumer- und Telekommunikationselektronik eingesetzt. 2024 erzielte das börsennotierte Unternehmen (NYSE) einen Umsatz von 2,9 Mrd. USD und beschäftigte etwa 22.700 Mitarbeiter.
- Standort
- Malvern, PA (US-Hauptsitz); Selb (Europazentrale)
- Verfahren
- Herstellung diskreter Halbleiter (Dioden, Gleichrichter, Thyristoren), MOSFET-Fertigung (inkl. Silicon Carbide MaxSiC MOSFETs), Herstellung von Leistungsmodulen (IGBT-, MOSFET-, Diode-, Thyristor-, Bridge-Module), Dickschicht-Widerstände (Thick Film Power Resistor, Vishay Sfernice), Oberflächenmontage (SMD)-Bauelemente kompatibel mit Reflow-Lötprozessen bis 270 °C für 10 s, Herstellung von Kondensatoren (Aluminium-Elektrolyt, Keramik, Film, Polymer, Tantal, Thin Film,, Herstellung von Induktivitäten, Transformatoren, planaren Magnetics und Custom Magnetics, Optoelektronik-Fertigung (Optokoppler, IR-Emitter, Photodetektoren, LEDs, optische Sensoren)
- Werkstoffe
- Silizium, Siliziumkarbid, Tantal, Aluminium (Elektrolytkondensatoren), Keramik, Kunststoff-Folie (Film-Kondensatoren), Kupfer (Chip-Verbindung, Spulen), Aluminium
- Gegründet
- 1962
- Mitarbeiter
- 22.700
- Branchen
- Automotive, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Computer, Consumer, Industrie, Medizintechnik
- 01
Halbleiterfertigung (Die und Wafer)
- 02
Chip-Verbindung und Modulaufbau
- 03
Montage von Leistungsmodulen
- 04
Fertigung passiver Bauelemente (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten)
- 05
Prüfung und Qualifizierung
- 06
Vertrieb weltweit
Werkstoffe und Technologien
Silizium
Grundwerkstoff für Dioden, MOSFETs, ICs, Optoelektronik und Die-/Wafer-Produkte.
Siliziumkarbid
Eingesetzt in MaxSiC®-MOSFETs für leistungselektronische Anwendungen.
Tantal
Werkstoff für Tantal- und Wet-Tantal-Kondensatoren.
Aluminium
Basis für Aluminium-Elektrolytkondensatoren.
Keramik
Träger- und Dielektrikumswerkstoff für Keramikkondensatoren und Dickschicht-Widerstände.
Kunststoff-Folie
Dielektrikum für Film-Kondensatoren.
Kupfer
Verwendet für Chip-Verbindungen, Spulen und erhöhten Kupferanteil in Leistungsgehäusen.
Ferrit
Kernwerkstoff für Induktivitäten, Transformatoren und planare Magnetics.
Standorte
Malvern
USHauptsitz
Selb
DEProduktionsstandort (vormals Draloric), Europazentrale
Heide
DEProduktionsstandort (vormals Beyschlag)
Heilbronn
DEProduktionsstandort (vormals Temic/Telefunken)
Landshut
DEProduktionsstandort (vormals Roederstein)
Itzehoe
DEStandort (vormals Siliconix)
Bauelemente
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Herstellung diskreter Halbleiter (Dioden, Gleichrichter, Thyristoren)Halbleiter | – | – | – | – | Silizium, Siliziumkarbid |
| MOSFET-Fertigung (inkl. Silicon Carbide MaxSiC MOSFETs)Halbleiter | – | – | – | – | Silizium, Siliziumkarbid |
| Herstellung von Leistungsmodulen (IGBT-, MOSFET-, Diode-, Thyristor-, Bridge-Module)Montage | – | – | – | – | Silizium, Siliziumkarbid |
| Dickschicht-Widerstände (Thick Film Power Resistor, Vishay Sfernice)Elektronik | – | – | – | – | Dickfilm-Pasten, Keramik |
| Oberflächenmontage (SMD)-Bauelemente kompatibel mit Reflow-Lötprozessen bis 270 °C für 10 sMontage | – | – | – | – | Kupfer, Keramik |
| Herstellung von Kondensatoren (Aluminium-Elektrolyt, Keramik, Film, Polymer, Tantal, Thin Film,Elektronik | – | – | – | – | Aluminium, Tantal, Keramik, Kunststoff-Folien, Polymer |
| Herstellung von Induktivitäten, Transformatoren, planaren Magnetics und Custom MagneticsElektronik | – | – | – | – | Kupfer, Ferrit |
| Optoelektronik-Fertigung (Optokoppler, IR-Emitter, Photodetektoren, LEDs, optische Sensoren)Halbleiter | – | – | – | – | Silizium, Galliumarsenid (ableitbar) |
| Custom Products: Die and Wafer Fertigung, Module, Custom Capacitors/Resistors/MagneticsHalbleiter | – | – | – | – | Silizium, Siliziumkarbid |
Zusatzleistungen
Historie
- 1962
Gründung durch Felix Zandman mit Foliewiderständen und Dehnungsmessstreifen; benannt nach Veisiejai
- 1985
Übernahme Dale Electronics; Beginn der Akquisitionsstrategie
- 1987
Übernahme Draloric
- 1988
Übernahme Sfernice
- 1992
Übernahme Sprague Electric
- 1993
Übernahme Roederstein
- 1994
Übernahme Vitramon
- 1998
Übernahme Siliconix und Telefunken
- 2000
Übernahme Electro-Films, Cera-Mite und Spectrol
- 2001
Übernahme General Semiconductor und des Infrarotgeschäfts von Infineon
- 2002
Übernahme BCcomponents (Beyschlag), BLH, Celtron, Sensortronics und Tedea-Huntleigh
- 2007
Übernahme des Power-Control-Systems-Geschäfts von International Rectifier
- 2008
Übernahme des Wet-Tantalum-Kondensatorgeschäfts von KEMET
- 2010
Abspaltung der Vishay Precision Group (VPG)
- 2012
Übernahme HiRel Systems
- 2023
Vereinbarung zum Kauf der Inmos-Fabrik von Nexperia für 177 Mio. USD