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Vertikal integrierte Fertigung von Compound-Halbleitern, Photonik und Präzisionsoptik – vom Ausgangsmaterial bis zum Bauelement.

VI

Vital Materials

54 Standorte in 20 Ländern · Quzhou (CN, geplant)Neu auf Amplifa

15.000+Mitarbeitende
54 Standorte in 20 LändernPräsenz
3.500+F&E-Mitarbeitende
6 Mio. Wafer/Jahr (geplant, Quzhou)Jahreskapazität

Über Vital Materials

Vital Materials ist ein global aufgestellter Hersteller und Entwicklungspartner für fortgeschrittene Materialien und Bauelemente. Das Unternehmen bietet vertikal integrierte Lösungen entlang der gesamten Wertschöpfungskette: von der Kristallzüchtung und Substratproduktion über Epitaxie bis zur Device-Fertigung auf Basis von Compound-Halbleitern wie Indiumphosphid (InP) und Galliumarsenid (GaAs). Weitere Fertigungskompetenzen umfassen die Herstellung optischer Transceiver mit Laser- und Empfänger-Chips, Präzisionsoptik sowie Funktionsschichten und Beschichtungen. Vital unterstützt Kunden von der Prozessentwicklung über die Skalierung bis zur Serienproduktion und bedient unter anderem die Branchen optische Kommunikation, Data Center und KI-Infrastruktur, mobile Geräte, AR-Optik und Displays, Leistungselektronik, Solar sowie Sensorik. Mit 54 Standorten in 20 Ländern, über 15.000 Mitarbeitenden und mehr als 3.500 F&E-Fachkräften deckt das Unternehmen über 46 Branchen ab. Ein neues InP- und GaAs-Waferproduktionsprojekt in Quzhou, China, ist mit einer geplanten Jahreskapazität von 6 Millionen Wafern angekündigt.

Standort
Quzhou
Verfahren
Crystal growth, Substrate production (Waferherstellung), Epitaxy, Device fabrication (Compound Semiconductor), Optical transceiver manufacturing (Laser- und Receiver-Chips), Precision optics manufacturing, Functional coatings, Process Development
Werkstoffe
Indium Phosphide, Gallium Arsenide, Indiumphosphid (InP), Galliumarsenid (GaAs)
Mitarbeiter
15000+
Branchen
Optische Kommunikation, Data Center / KI-Infrastruktur, Mobile Devices, AR-Brillen / Optik & Displays, Compound-Halbleiterfertigung, Leistungselektronik
  1. 01

    Kristallzüchtung

  2. 02

    Substratproduktion (Waferherstellung)

  3. 03

    Epitaxie

  4. 04

    Device-Fertigung

  5. 05

    Funktionsschichten/Beschichtung

  6. 06

    Optische Transceiver-Fertigung

  7. 07

    Photonics Engineering und Prozessentwicklung

  8. 08

    Skalierung von Entwicklung bis Produktion

Werkstoffe und Verfahren

InP

Indiumphosphid (InP)

Compound-Halbleiter für optische Kommunikation, Sensorik und Waferproduktion, u. a. im geplanten Werk Quzhou.

GaAs

Galliumarsenid (GaAs)

Compound-Halbleiter für u. a. optische Kommunikation, Leistungselektronik und Sensorik, u. a. im geplanten Werk Quzhou.

Standorte

Quzhou

CN

Geplante InP- und GaAs-Waferproduktion

Werkstoffe
InP, GaAs

Branchen

Optische KommunikationData Center / KI-InfrastrukturMobile DevicesAR-Brillen / Optik & DisplaysCompound-HalbleiterfertigungLeistungselektronikSolarSensingüber 46 Branchen insgesamt

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
Crystal growthGuss––––InP, GaAs
Substrate production (Waferherstellung)Engineering––––InP, GaAs
EpitaxyEngineering––––InP, GaAs
Device fabrication (Compound Semiconductor)Engineering––––InP, GaAs
Optical transceiver manufacturing (Laser- und Receiver-Chips)Montage–––––
Precision optics manufacturingEngineering–––––
Functional coatingsOberfläche–––––

Zusatzleistungen

Process DevelopmentKristallzüchtung und SubstratproduktionEpitaxieDevice-FertigungPräzisionsoptikFunktionsschichten/BeschichtungPhotonics EngineeringIntegrierte FertigungSkalierung von Entwicklung bis Produktion

Historie

  1. 2026

    Ankündigung eines neuen InP- und GaAs-Waferproduktionsprojekts in Quzhou, China, mit einer geplanten Jahreskapazität von 6 Millionen Wafern.

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