AIXTRON SE

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das 1983 als Ableger der RWTH Aachen gegründete Unternehmen mit Sitz in Herzogenrath entwickelt und fertigt MOCVD-Anlagen (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) mit Planetary Reactor- und Close Coupled Showerhead-Technologie sowie SiC-CVD-Anlagen nach dem Warmwand-Planeten-Prinzip. Das Produktportfolio umfasst Anlagen für die Hochdurchsatz-Epitaxie von 150/200-mm-Wafern für SiC-Leistungselektronik, GaN power & RF sowie GaAs/InP-basierte Optoelektronik und RF-Anwendungen, ergänzt durch (PE)CVD-Systeme für Graphen, Kohlenstoffnanoröhren und 2D-Nanomaterialien. Bis heute wurden über 3.000 Depositionsanlagen weltweit ausgeliefert. Kunden kommen aus LED- und Displaytechnologie, Datenübertragung, Sensorik, Leistungselektronik und Forschung, darunter IQE, Lumentum, Epistar, Infineon, Fraunhofer-Institute und Universitäten. Neben dem Hauptsitz in Herzogenrath mit einem 16.000 m² F&E-Zentrum unterhält AIXTRON Niederlassungen in Cambridge (UK), Santa Clara (USA) und an mehreren Standorten in Asien.

Standort

Herzogenrath

Verfahren

MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) für Verbindungshalbleiter (Planetary Reactor /, SiC-CVD (Warmwand-Planeten-Prinzip / VPE) für SiC-Epitaxie, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE)CVD, Thermische CVD für 2D-Nanomaterialien, MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für SiC-Leistungselektronik, MOCVD-Hochdurchsatz-Epitaxie 150/200 mm für GaN power & RF, MOCVD für Hochvolumenproduktion von GaAs/InP-Materialien, MOCVD-Anlagenbau (Hersteller von Depositionsanlagen, keine Lohnfertigung)

Werkstoffe

Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si-Substrate), Saphir (Substrat), Graphen

Zertifikate

ISO 9001:2015 (DQS), ISO 50001:2018, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018, EN ISO/IEC 27001:2022, CE / TÜV / ETL / UL

Branchen

Halbleiterindustrie, LED- und Displaytechnologie, Leistungselektronik (SiC/GaN), Optoelektronik und Laser, RF-Elektronik, Datenübertragung

1. 01

   Forschung & Entwicklung

2. 02

   Anlagenkonstruktion (Engineering)

3. 03

   Fertigung und Montage der Depositionsanlagen

4. 04

   Inbetriebnahme und Installation beim Kunden

5. 05

   Wartung, Upgrades und Ersatzteilversorgung

6. 06

   Schulungen im Training Center & Lab

Technologien & Materialklassen

Standorte

Herzogenrath

DE

Hauptsitz, F&E-Zentrum (16.000 m²), Anlagenbau, Training Center & Lab

Werkstoffe

GaAs, InP, GaN, AlGaN, SiC

• G10-SiC MOCVD-Batch-Reaktor (9x150 mm & 6x200 mm)
• G10-GaN MOCVD-Cluster-Anlage (3 Prozesskammern)
• G10-AsP vollautomatischer MOCVD-Planetenreaktor
• AIX G5+ C Planetenreaktor
• AIX 2800G4-TM (IC2) Planetenreaktor
• AIX G5 WW C SiC-VPE-Reaktor

Cambridge (UK)

GB

F&E und MOCVD-Anlagenbau (Close Coupled Showerhead)

Werkstoffe

GaAs, GaN

• CCS Flip Top Reactor (F&E-Anlage)

Santa Clara (USA)

US

Niederlassung und Service Center

Shanghai

CN

Vertrieb und Service Center

Tokyo

JP

Vertrieb und Service Center

Hwaseong (Gyeonggi-do)

KR

Vertrieb und Service Center

Hsinchu

TW

Vertrieb und Service Center

Kulim (Kulim Hi-Tech Park)

MY

Niederlassung

Depositionsanlagen

Einblicke in die Fertigung

Verfahren & technische Grenzen

8 Anlagen & Maschinen

Qualitätsgarantie

AIXTRON setzte 1994 mit der ISO-9001-Zertifizierung einen Branchenmaßstab und erweitert das Managementsystem kontinuierlich um ISO 50001, ISO 14001 und ISO 45001. Anlagen erfüllen CE-Konformität, TÜV- und ETL-Zertifizierung; die meisten Baugruppen sind UL-gelistet.

Historie

1. 1983

   Gründung durch Mitarbeiter des Instituts für Halbleitertechnik der RWTH Aachen durch Dr. Holger Jürgensen und Dr. Meino Heyen.

2. 1985

   Inbetriebnahme der ersten AIXTRON MOCVD-Anlage.

3. 1989

   Exklusive Lizenz von Philips für die Planetary Reactor-Technologie.

4. 1990

   Auslieferung der ersten MOCVD-Multi-Wafer-Anlage.

5. 1994

   ISO-9001-Zertifizierung; erste Depositionsanlage zur Herstellung blauer LEDs.

6. 1997

   Börsengang an der Frankfurter Wertpapierbörse (Neuer Markt/TecDAX).

7. 1999

   Übernahme der Thomas Swan Scientific Equipment Division (AIXTRON Ltd, CCS-Technologie) und der EPIGRESS AB (SiC-CVD).

8. 2005

   Erwerb der Genus, Inc. (USA) mit ALD-Technologie.

9. 2007

   Übernahme der Nanoinstruments Ltd. (UK), Erweiterung um (PE)CVD-Nanotechnologie.

10. 2010

    Umwandlung in SE; Inbetriebnahme des 16.000-m²-F&E-Zentrums in Herzogenrath; Launch der Anlagengenerationen G5 und CRIUS II.

11. 2011

    Auslieferung der 2.000sten MOCVD-Anlage an Changelight Co., Ltd.

12. 2012

    Eröffnung des Training Center & Lab in Suzhou, China.

13. 2013

    30-jähriges Jubiläum; AIX G5+ Planetenreaktor mit CS Industry Award und Aurora Award ausgezeichnet.

14. 2017

    Verkauf der ALD/CVD-Produktlinie für Speicherchips; dena Energy Efficiency Award; Fokussierung des Produktportfolios.

15. 2020

    AIXTRON wird Teil des MDAX.

16. 2022

    AIXTRON wird Teil des EUROSTOXX 600; OLED-Geschäft (APEVA) eingestellt.

17. 2023

    G10-GaN- und G10-AsP-Launch komplettiert die G10-Produktfamilie.

18. 2024

    Eröffnung des Innovationszentrums in Herzogenrath.