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Entwickelt GaN-on-Silicon-Epiwafer für MicroLED-Displays und optische Interconnects in 200 mm und 300 mm.
ALLOS Semiconductors GmbH
DresdenNeu auf Amplifa
Über ALLOS Semiconductors
ALLOS Semiconductors ist ein 2014 gegründetes, privates Hightech-Unternehmen mit Sitz in Dresden und Anbieter von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Galliumnitrid auf Silizium) für MicroLED-Anwendungen. Die Materialien dienen zwei wachstumsstarken Märkten: MicroLED-basierte optische Interconnects für KI-Computing sowie MicroLED-Displays als visuelle Schnittstellen zu KI-Systemen, insbesondere AR-Displays. ALLOS arbeitet als Fabless-Unternehmen und nutzt ein globales Netzwerk qualifizierter Contract Manufacturer und Spezialzulieferer; das ermöglicht flexible Skalierung einschließlich Onshoring und On-Site Manufacturing. Alle Epiwafer sind vollständig siliziumfab-kompatibel und in 200 mm sowie 300 mm Waferdurchmesser verfügbar, sodass die MicroLED-Fertigung in bestehenden Silizium-Fabs einschließlich fortschrittlicher Wafer-to-Wafer-Bonding-Technologien erfolgen kann. Bereits 2020 demonstrierte ALLOS als weltweit erstes Unternehmen einen 300 mm LED-Epiwafer. Die Produkte sind durch ein IP-Portfolio von rund 100 Patenten geschützt.
- Standort
- Dresden
- Verfahren
- Herstellung von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Epitaxie-Wafer für MicroLEDs), Epiwafer-Bereitstellung in 200 mm und 300 mm Waferdurchmesser (fabless über Vertragsfertiger), Fabless-Produktion über Netzwerk qualifizierter Contract Manufacturer, Onshoring / On-Site Manufacturing, IP-Portfolio (ca. 100 Patente)
- Werkstoffe
- GaN-on-Silicon (Galliumnitrid auf Silizium, epiwafers), Silizium-Wafer, GaN-on-Silicon (Galliumnitrid auf Silizium)
- Gegründet
- 2014
- Branchen
- Halbleiter, MicroLED Displays, AR/Displays, AI-Hardware / optische Interconnects
- 01
Materialentwicklung (Epitaxie-Prozesse)
- 02
Fabless-Produktion über qualifizierte Contract Manufacturer
- 03
Onshoring / On-Site Manufacturing
- 04
Auslieferung an globale Kunden
Werkstoffe & Verfahren
GaN-on-Silicon (Galliumnitrid auf Silizium)
Epiwafer-Material für MicroLEDs in Displays und optischen Interconnects, siliziumfab-kompatibel.
Silizium-Wafer
Substratmaterial für die GaN-Epitaxie in 200 mm und 300 mm Durchmesser.
Standort
Dresden
DEHauptsitz
- Werkstoffe
- GaN-on-Silicon, Silizium
Bauteile
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Herstellung von GaN-on-Silicon-Epiwafern (Epitaxie-Wafer für MicroLEDs)Guss | – | – | – | – | GaN-on-Silicon (Epiwafer) |
| Epiwafer-Bereitstellung in 200 mm und 300 mm Waferdurchmesser (fabless über Vertragsfertiger)Engineering | – | – | – | – | GaN-on-Silicon |
Zusatzleistungen
Historie
- 2014
Gründung in Dresden, Deutschland
- 2020
Weltweit erstes Unternehmen, das einen 300-mm-LED-Epiwafer demonstrierte