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Halbleiterbasierte Licht- und Sensorlösungen: LED-Chips, Laserdioden, Sensoren und CMOS-Foundry-Dienstleistungen.
ams-OSRAM AG
Premstätten (AT) · München (DE) · Penang (MY) · Wuxi (CN) · Calamba (PH) · Singapur (SG) · Tokio (JP) · Seoul (KR) · Taipeh (TW) · Hongkong (HK) · Peking (CN) · Shanghai (CN) · Shenzhen (CN)Neu auf Amplifa
Über ams OSRAM
Die ams-OSRAM AG mit Hauptsitz in Premstätten/Graz (Österreich) und Co-Hauptsitz in München (Deutschland) ist ein Technologieunternehmen für Licht- und Sensortechnologie. Das Portfolio umfasst halbleiterbasierte Lichtemitter (LEDs, Laserdioden, VCSEL), optische Sensoren, Time-of-Flight-Sensoren, CMOS-ICs sowie traditionelle Beleuchtungstechnologien für Automobil- und Spezialanwendungen. Über die Full-Service-Foundry werden analoge und Mixed-Signal-CMOS-Prozesse (110 nm, 180 nm, 350 nm), High-Voltage-CMOS und BiCMOS auf 200-mm-Wafern gefertigt, ergänzt durch Wafer Sort, Packaging, Final Test sowie Spezialtechnologien wie TSV, Die Stitching, Trench Dicing, 3D-IC-Integration und optische Filter. Werkstoffbasis sind Silizium-Wafer und III-V-Halbleitermaterialsysteme. Die Fertigungsstandorte in Europa sind automotive-zertifiziert und medizintauglich (medical grade), hinzu kommt eine Wafer-Fabrik in Penang (Malaysia). Kernmärkte sind Automobil & Mobilität, Industrie, Medizin & Gesundheit, Consumer-Elektronik, Beleuchtung, Computing sowie Luft- und Raumfahrt. Das Unternehmen beschäftigt rund 18.500 Mitarbeitende und erzielte 2025 einen Umsatz von 3,3 Milliarden Euro.
- Standort
- Premstätten, Österreich
- Verfahren
- CMOS-Foundry-Fertigung (analog/mixed-signal), CMOS-Prozessknoten 110nm, 180nm, 350nm; High-Voltage CMOS, BICMOS, RF, low-noise, high-voltage, BCD, Through Silicon Via (TSV), elektrisch und optisch, Die Stitching (Zusammenfügen mehrerer Reticle auf einem Wafer in der Fotolithografie), Optische Filter (diverse Typen), Trench Dicing, 3D-IC Integration, Wafer Sort (Wafer-Sortierung und -Test)
- Werkstoffe
- Silizium (Wafer), CMOS-Silizium (Photodioden mit aufgedampften Interferenzfiltern), Kupfer (für Blue-Laser-Absorption im Material Processing), Gold (reflektive Metalle für Blue-Laser-Anwendungen), Halbleiter-Halbleitermaterialsysteme III-V (LED/Laser, seit Jahrzehnten in Automotive/Industrie, Silizium (200 mm Wafer), III-V-Halbleitermaterialsysteme, Kupfer
- Zertifikate
- ISO 9001, IATF 16949, ISO 14001, ISO 45001, ISO 50001, ISO 27001, TISAX
- Gegründet
- 1906
- Mitarbeiter
- 18500
- Branchen
- Automobil & Mobilität, Industrie, Medizin & Gesundheit, Consumer Elektronik (Mobile & Wearables), Beleuchtung, Computing
- 01
IC-Design & Design-Support (ASIC, Simulation, IP)
- 02
Waferfertigung CMOS/HV-CMOS/BiCMOS auf 200 mm (8-inch)
- 03
Fotolithografie inkl. Die Stitching
- 04
Spezialtechnologien (TSV, 3D-IC, optische Filter)
- 05
Post-Wafer-Processing (Sawing/Trench Dicing, Sorting)
- 06
Wafer Sort (Test)
- 07
Packaging / Assembly (u. a. WLCSP, Tape and Reel)
- 08
Final Test
- 09
Supply-Chain-Management & Lieferung
Werkstoffe & Verfahren
Silizium (200 mm Wafer)
Trägermaterial für CMOS-Mixed-Signal-ICs, Sensoren und Photodioden mit aufgedampften Interferenzfiltern.
III-V-Halbleitermaterialsysteme
Basis für LED-Chips (Thin-Film-Technologie), Laserdioden, Laserbars und Mikro-Emitter-Arrays.
Kupfer
Zielmaterial für Blue-Laser-Absorption (450 nm) im Material Processing.
Gold
Reflektives Metall für Blue-Laser-Anwendungen.
Polymer-Folie (ALIYOS™)
Trägermaterial für ultradünne LED-Folien (< 1 mm) in der LED-on-Foil-Technologie.
Standorte
Premstätten
ATHauptsitz, Halbleiterfertigung (automotive-zertifiziert, medical grade)
- Werkstoffe
- Silizium
- Wafer-Fabrik 200 mm (8-inch)
- Test- und Sortieranlagen
- Packaging-/Assembly-Anlagen
München
DECo-Hauptsitz
Penang
MYFertigung (Wafer)
- Werkstoffe
- Silizium
- Wafer-Fabrik
Wuxi
CNFertigung/Niederlassung
Calamba
PHNiederlassung (ams Asia Inc.)
Foshan
CNNiederlassung
Bauteile & Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| CMOS-Foundry-Fertigung (analog/mixed-signal)Engineering | – | – | – | – | Silizium (200mm/8-inch Wafers) |
| CMOS-Prozessknoten 110nm, 180nm, 350nm; High-Voltage CMOS, BICMOS, RF, low-noise, high-voltage, BCDEngineering | – | – | – | – | Silizium |
| Through Silicon Via (TSV), elektrisch und optischFügen | – | – | – | – | Silizium |
| Die Stitching (Zusammenfügen mehrerer Reticle auf einem Wafer in der Fotolithografie)Fügen | – | – | – | – | Silizium |
| Optische Filter (diverse Typen)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| Trench DicingZerspanung | – | – | – | – | Silizium |
| 3D-IC IntegrationFügen | – | – | – | – | Silizium |
| Wafer Sort (Wafer-Sortierung und -Test)Prüfung | – | – | – | – | Silizium |
| Final Test von ICs (mixed-signal)Prüfung | – | – | – | – | Silizium |
| Packaging / Assembly (z. B. Tape and Reel, WLCSP)Fügen | – | – | – | – | Silizium |
| Post-Wafer-Processing: Sawing, Sorting, PackagingZerspanung | – | – | – | – | Silizium |
| Herstellung von LED-Chips (Thin-Film-Technologie, Thinfilm IR:6 Chip-Technologie)Additiv | – | – | – | – | Halbleiter (III-V), Silizium |
| Herstellung von Laserdioden und Laserbars (z. B. 5-junction edge-emitting laser, Blue Laser 450 nm)Additiv | – | – | – | – | Halbleiter (III-V) |
| Micro-Emitter-Arrays / 2D-Arrays für optische Interconnects (EVIYOS)Additiv | – | – | – | – | Halbleiter (III-V) |
| LED-on-Foil-Technologie ALIYOS™ (ultradünne LED-Folien <1 mm)Fügen | – | – | – | – | Folie/Kunststoff |
| ASIC-Entwicklung und FertigungEngineering | – | – | – | – | Silizium |
| Semiconductor Manufacturing Sites mit automotive-zertifizierten und medical-grade BetriebsstättenEngineering | – | – | – | – | Silizium |
3 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Halbleiter-Fertigungsanlagen (Wafer-Fabrik, 200 mm / 8-inch) | – | – | – | – | Europa (automotive-zertifiziert, medical-grade) |
| Test- und Sortieranlagen (Wafer Sort, Final Test) | – | – | – | – | – |
| Packaging-/Assembly-Anlagen | – | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität & Zertifizierungen
Die Fertigungsstandorte in Europa sind automotive-zertifiziert und erfüllen medical-grade-Anforderungen; das Qualitätsmanagement umfasst Wafer Sort, Final Test und präzise Charakterisierung mit erweiterten Design-Tools.
| Nachweis | Premstätten |
|---|---|
| ISO 9001 | |
| IATF 16949 | |
| ISO 14001 | |
| ISO 45001 | |
| ISO 50001 | |
| ISO 27001 | |
| TISAX |
Historie
- 1906
OSRAM als Marke eingetragen
- 1919
Zusammenschluss der Lampenproduktion unter OSRAM
- 1925
BILUX® Zweitonlichtlampe
- 1936
erste Leuchtstofflampe
- 1954
Xenon-Kurzbogenlampe
- 1967
Halogenlampe
- 1976
erste Infrarot-LEDs
- 1996
erste weiß konvertierte LED
- 2001
Dünnschicht-Technologie
- 2021
Start von ams OSRAM
- 2023
Volumenlieferungen von EVIYOS an die Automobilindustrie
- 2024
Deutscher Zukunftspreis für 'Digital Light'
- 2025
Umsatz 3,3 Mrd. €
- 2026
120 Jahre OSRAM-Marke