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Entwicklung und Hybridisierung optoelektronischer InGaAs- und Silizium-Bildsensoren für wissenschaftliche Anwendungen
ANDANTA GmbH Detektortechnologie
OlchingNeu auf Amplifa
Über Andanta
Die ANDANTA GmbH wurde im Januar 2009 gegründet und ist auf die Entwicklung und Bereitstellung von optoelektronischen Bildsensoren und Detektorfeldern spezialisiert. Das Produktspektrum umfasst InGaAs-Matrixdetektoren (FPAs) und Lineardetektoren (LDAs) für den Nah-Infrarotbereich (0,9–2,2 µm), hochauflösende Si-CCD-Sensoren für UV bis Nahinfrarot, kundenspezifische Si-TDI-Sensoren, Röntgen-CCDs sowie gekrümmte Bildsensoren. Neben Standardprodukten entstehen vermehrt kundenspezifische Sonderentwicklungen in enger Zusammenarbeit mit Fertigungspartnern. Ergänzend bietet das Unternehmen einen Flip-Chip-Bonding-Service zur Hybridisierung von Fotodiodenfeldern mit Si-CMOS-Ausleseschaltkreisen sowie ein Bildsensor-Testlabor an. Kunden sind Kameraentwickler und -hersteller sowie Hersteller von Spektrometern, Teleskopen und wissenschaftlichen optoelektronischen Systemen. Der Sitz befindet sich in Olching bei München.
- Standort
- Olching
- Verfahren
- Flip-Chip Bonding Service (Hybridisierung Fotodiodenfeld mit Si-CMOS Ausleseschaltkreis), Si-CMOS Ausleseschaltkreis-Assemblierung / Bildsensor-Assemblierung, Flip-Chip Bonding Service, Bildsensor-Testlabor, Beratung bei Detektorlösungen, anwendungsspezifische Sonderentwicklungen mit Fertigungspartnern
- Werkstoffe
- Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs), Silizium, Kovar, Indium-Gallium-Arsenid
- Zertifikate
- Bildsensor-Testlabor
- Gegründet
- 2009
- Branchen
- Kameraentwicklung und -herstellung, Spektrometer, Teleskope, wissenschaftliche optoelektronische Systeme, NIR-Spektroskopie, Interferometrie
- 01
Beratung bei Detektorlösungen
- 02
Sonderentwicklung mit Fertigungspartnern
- 03
Flip-Chip-Bonding (Hybridisierung)
- 04
Sensor-Assemblierung
- 05
Test im Bildsensor-Testlabor
- 06
Vertrieb
Werkstoffe und Halbleitertechnologien
Indium-Gallium-Arsenid
Halbleitermaterial für NIR-Bildsensoren im Spektralbereich 0,9 (0,6) µm bis 1,7 (2,2) µm.
Silizium
Material für CCD-, CMOS- und TDI-Bildsensoren für UV bis nahes Infrarot (300–1100 nm).
Kovar
Gehäusematerial für gekühlte InGaAs-Matrix- und Linearsensoren.
Standort
Olching
DEHauptsitz
- Werkstoffe
- InGaAs, Silizium, Kovar
- Bildsensor-Testlabor
Produkte und Bauelemente
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Flip-Chip Bonding Service (Hybridisierung Fotodiodenfeld mit Si-CMOS Ausleseschaltkreis)Montage | – | 60 mm (Flip chip) / 150 mm (Target chip) | – | – | InGaAs, Silizium (Si-CMOS) |
| Si-CMOS Ausleseschaltkreis-Assemblierung / Bildsensor-AssemblierungMontage | – | – | – | – | Silizium |
Zusatzleistungen
Qualität und Prüfung
Ein eigenes Bildsensor-Testlabor steht zur Charakterisierung und Prüfung der Sensorassemblierungen zur Verfügung; die Hybridisierung erfolgt im Flip-Chip-Verfahren ohne Anschlussdrähte.
| Nachweis | Olching |
|---|---|
| Bildsensor-Testlabor |
Unternehmenshistorie
- 2009
Gründung der ANDANTA GmbH im Januar; Spezialisierung auf Entwicklung und Bereitstellung hochwertiger optoelektronischer Bildsensoren und Detektorfelder.
- 2021
News zur Vision 2021: VIS-InGaAs-Matrixsensoren (QVGA/VGA), 64x64 InGaAs-Matrix-Sensoren, 4k-Si-TDI-CCD, InGaAs-APD/PIN/4-Quadranten-Fotodioden.
- 2022
News zur Vision 2022: Lineare InGaAs-Sensoren, ins Infrarot erweiterte 1.9 µm-InGaAs-Matrizen, Flip-Chip-Bondservice.
- 2024
News zur Vision 2024: 1280x1024 InGaAs-Matrixsensor, 2048x1 InGaAs-Linearsensor, Preissenkung 640x512 InGaAs-Matrixsensoren (Badger).