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AP&S – Fertigung

Hersteller von Nassprozessanlagen für die Reinigung, das Ätzen und die Oberflächenbehandlung von Wafern in der Halbleiterfertigung.

AP&S Logo

AP&S International GmbH

DresdenNeu auf Amplifa

GmbHRechtsform
20+ Jahre am Markt mit NassprozessanlageErfahrung
Halbleiter, MEMS, MikroelektronikBranchen
Wafer bis 300 mm DurchmesserBauteilgröße
3× productronica Innovation AwardAuszeichnungen

Über AP&S

AP&S International GmbH mit Sitz in Dresden entwickelt und fertigt Nassprozessanlagen für die Oberflächenbehandlung von Wafern. Seit über 20 Jahren beliefert das Unternehmen führende Halbleiterhersteller weltweit mit Anlagen für Batch- und Single-Wafer-Prozesse sowie prozessunterstützendem Equipment. Das modulare Produktspektrum umfasst Verfahren wie Reinigung, Ätzen, Photoresist-Stripping, Entwicklung, Metallätzen, stromloses Plating, Marangoni-Trocknung und Lift-off für Wafer bis 300 mm Durchmesser. Neben Standardanlagen werden kundenspezifische Lösungen angeboten; im eigenen Nassprozesslabor DemoLAB erfolgt Prozessentwicklung und -modifikation auch für Materialien wie SiC, GaN-on-Si/SiC und InP. Ein ganzheitliches After-Sales-Konzept umfasst Serviceeinsätze, Ersatzteilbeschaffung, Refurbishment, Nassprozess-Schulungen und das IoT-Portal AP&S WebWorker. Zum dritten Mal in Folge gewann AP&S den productronica Innovation Award im Cluster Semiconductor, zuletzt mit dem vollautomatisierten Boxenreiniger CleanSurF automated.

Standort
Dresden
Verfahren
Wafer-Reinigung (Nassreinigung mit Reinchemikalien, Batch und Single Wafer), Ätzen (Nassätzen von SC-Materialien), Photoresist (PR) Stripping, Entwicklung (Lackentwicklung), Metallätzen (Al, Ti, W und andere), Wafer bis 300 mm Durchmesser, Stromloses Plating (Under-Bump-Metallisierung für Flip-Chip-Bonding), Wafer-Trocknung (Marangoni-Trocknung), Lift-off-Verfahren (Metal-Lift-Off)
Werkstoffe
SiC, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP, Aluminium, Titan, Wolfram, Kupfer
Branchen
Halbleiterindustrie, MEMS, Mikroelektronik
  1. 01

    Prozessentwicklung und -modifikation (DemoLAB)

  2. 02

    Konstruktion und Fertigung von Nassprozessanlagen

  3. 03

    Montage und Installation

  4. 04

    Serviceeinsätze und Ersatzteilbeschaffung

  5. 05

    Refurbishment (Modernisierung)

  6. 06

    Nassprozess-Schulungen (Academy)

  7. 07

    Digitalisierung über IoT-Portal AP&S WebWorker

Werkstoffe & Verfahren

SiC

SiC (Siliziumcarbid)

Halbleitermaterial für Nassprozess-Entwicklung und -Demonstrationen im DemoLAB.

GaN-on-Si

GaN-on-Si

Materialsystem für Prozessentwicklung in der Leistungselektronik-Fertigung.

GaN-on-SiC

GaN-on-SiC

Materialsystem für innovative Nassprozesse in der Halbleiterfertigung.

InP

InP (Indiumphosphid)

III-V-Halbleitermaterial für Nassprozessdemonstrationen im DemoLAB.

Al

Aluminium

Metall für Metallätzen von Geräte- und Monitor-Wafern bis 300 mm.

Ti

Titan

Metall, das im Metallätzen von Wafern strukturiert wird.

W

Wolfram

Metall für Ätzprozesse der Metallstruktur auf Wafern.

Cu

Kupfer

Substratmaterial für stromlose Under-Bump-Metallisierung.

Standorte

Standort Dresden

Dresden

DE

Firmensitz mit Academy, Konsignationslager sowie Entwicklung und Fertigung von Nassprozessanlagen

Werkstoffe
SiC, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP, Al, Ti, W, Cu
  • CleanSurF automated (Boxenreiniger)
  • Nassprozessanlagen für Batch-Prozesse
  • Nassprozessanlagen für Single-Wafer-Prozesse
  • DemoLAB Nassprozesslabor

Bauteile

Nassprozessanlage für die Halbleiterindustrie
Nassprozessanlage für die HalbleiterindustrieNasschemie · Halbleiter

Einblicke in die Fertigung

Nassprozessanlage AP&S für die Halbleiterindustrie
Nassprozessanlage AP&S für die Halbleiterindustrie

Branchen

HalbleiterindustrieMEMSMikroelektronik

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
Wafer-Reinigung (Nassreinigung mit Reinchemikalien, Batch und Single Wafer)Oberfläche––––Silizium-Wafer, SiC, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP
Ätzen (Nassätzen von SC-Materialien)Oberfläche––––Silizium-Wafer, SiC, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP
Photoresist (PR) StrippingOberfläche–––––
Entwicklung (Lackentwicklung)Oberfläche–––––
Metallätzen (Al, Ti, W und andere), Wafer bis 300 mm DurchmesserOberfläche–300 mm (Wafer-Durchmesser)––Aluminium, Titan, Wolfram
Stromloses Plating (Under-Bump-Metallisierung für Flip-Chip-Bonding)Oberfläche––––Al-Legierungen, Kupfer
Wafer-Trocknung (Marangoni-Trocknung)Oberfläche–––––
Lift-off-Verfahren (Metal-Lift-Off)Oberfläche–––––
Boxenreinigung (CleanSurF automated, Multi-Box-Reinigung)Oberfläche–––––
Prozessentwicklung und -modifikation im Nassprozesslabor DemoLABEngineering––––SiC, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP
Refurbishment (Modernisierung von Nassprozessanlagen) und ServiceEngineering–––––

3 Anlagen & Maschinen

MaschineHersteller / ModellAnzahlArbeitsraumBaujahrStandort
Boxenreiniger (CleanSurF automated, vollautomatisiert)AP&S CleanSurF automated––––
Nassprozessanlagen für Batch-ProzesseAP&S––––
Nassprozessanlagen für Single-Wafer-ProzesseAP&S––––

Zusatzleistungen

Prozessentwicklung und -modifikation (DemoLAB Nassprozesslabor)ServiceeinsätzeErsatzteilbeschaffungModernisierung (Refurbishment)Nassprozess-SchulungenDigitalisierung/IoT-Portal (AP&S WebWorker)Konsignationslager

Historie

  1. Beginn der Lieferung von Nassprozessanlagen für die Oberflächenbehandlung von Wafern; seit über 20 Jahren am Markt

  2. 2026

    Umzug an den neuen Standort Manfred-von-Ardenne-Ring 13, Dresden (ca. 250 m vom bisherigen Standort), mit deutlich vergrößerten räumlichen Kapazitäten für Academy und Konsignationslager

  3. 2026

    Gewinn des productronica Innovation Award (Cluster Semiconductor) zum dritten Mal in Folge, zuletzt mit CleanSurF automated

  4. 2026

    Teilnahme an der SEMICON Europa, 10.–13. November 2026, Stand B 1656

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