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Entwickelt und fertigt Wafer-Bearbeitungssysteme für Dünnschichtdeposition (ALD, Epitaxie, PECVD) in der Halbleiterfertigung.
ASM International N.V.
Almere (NL) · Phoenix/Scottsdale, Arizona (US) · Singapur (SG) · Helsinki (FI) · Leuven (BE) · Catania (IT)Neu auf Amplifa
Über ASM
ASM International N.V. ist ein niederländisches Unternehmen, das 1968 von Arthur del Prado gegründet wurde und Wafer-Bearbeitungssysteme für die Halbleiterfertigung entwickelt und produziert. Das Portfolio umfasst Atomlagenabscheidung (ALD und PEALD), Epitaxie für Silizium, SiGe und Siliziumcarbid (SiC), PECVD für dielektrische Schichten sowie vertikale Batch-Öfen für LPCVD, Diffusion und Oxidation. Die Verfahren ermöglichen ultradünne, konforme Schichten auf 150-, 200- und 300-mm-Wafern für Advanced Logic, Memory (DRAM/HBM), Advanced Packaging und SiC-Anwendungen wie Elektrofahrzeuge. Das Unternehmen beschäftigt über 4.800 Mitarbeiter an 15 Schlüsselstandorten, davon mehr als 1.150 in Forschung und Entwicklung; die Fertigung ist in Singapur zentralisiert. Der Hauptsitz befindet sich in Almere (Niederlande), das größte R&D-Zentrum in Phoenix/Scottsdale (Arizona, USA). Weitere R&D-Standorte sind Helsinki (Material- und Prozessforschung) und Leuven (Partnerschaft mit IMEC), während der Standort Catania (Italien) nach der LPE-Übernahme 2022 SiC-Epitaxie-Equipment bietet. ASM investierte zuletzt rund 512 Mio. Euro in F&E und hält über 3.950 Patente.
- Standort
- AP Almere
- Verfahren
- Atomic Layer Deposition (ALD), Thermal ALD, Plasma Enhanced ALD (PEALD), Epitaxy (kristallines Schichtwachstum), SiC-Epitaxy (Siliziumcarbid), PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), Diffusion (Dotierung)
- Werkstoffe
- Silizium (Si), Silizium-Germanium (SiGe), Phosphor-dotiertes Silizium (SiP), Siliziumcarbid (SiC), Hafniumoxid, Hafniumsilikat, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid
- Gegründet
- 1968
- Mitarbeiter
- 4800+
- Branchen
- Halbleiterfertigung, Advanced Logic/Foundry, Memory (DRAM/HBM), Advanced Packaging, SiC/Elektrofahrzeuge, KI/Rechenzentren
- 01
R&D: Materialien & Prozesse (Helsinki)
- 02
Prozessintegration an Partnerinstituten (u. a. IMEC Leuven)
- 03
Produktentwicklung für Volumenfertigung
- 04
Zentralisierte Fertigung (Singapur)
- 05
Installation & Inbetriebnahme beim Kunden
- 06
Feldservice, Ersatzteile & Refurbishment
Technologien & Materialien
Atomic Layer Deposition (ALD)
Ultradünne, konforme Schichten mit Ångström-Kontrolle für Advanced Logic, Memory und Packaging.
Plasma Enhanced ALD
Plasmaunterstützte Abscheidung bei niedrigeren Temperaturen für Low-Thermal-Budget-Anwendungen.
Epitaxie (Si, SiGe, SiP)
Kristallines Schichtwachstum für Kanal- und Source/Drain-Regionen in fortschrittlichen Transistoren.
SiC-Epitaxie
Epitaxie-Equipment für Siliziumcarbid, u. a. für Hochvolt-Anwendungen und Elektrofahrzeuge.
PECVD
Niedertemperatur-Dielektrika-Abscheidung für Advanced Packaging und Interconnects, inkl. Flowable Carbon Gap-Fill.
Vertikale Öfen (LPCVD, Diffusion, Oxidation)
Batch-Verfahren mit hoher Produktivität für Silizium-, Nitrid-, Oxid- und Metallschichten.
Hafniumoxid / Hafniumsilikat
High-k-Gatedielektrika für fortgeschrittene CMOS-Transistoren.
Siliziumnitrid
Stress-tunbare Spacer- und Linerschichten für Mehrfachstrukturierung und Packaging.
Aluminiumoxid
Schnelle, konforme Passivierungs- und Dielektrikaschichten.
Flowable Carbon
Selbstplanarisierender Kohlenstofffilm für Void-freies Gap-Fill hoher Aspektverhältnisse.
Standorte
Almere
NLHauptsitz (HQ)
Phoenix/Scottsdale (Arizona)
USGrößtes R&D-Zentrum, Büros
- Neues R&D-Zentrum im Bau (LEED-Zertifizierung angestrebt)
Singapore
SGZentralisierte Fertigung (Manufacturing)
Helsinki
FIR&D (Material- und Prozessforschung)
Leuven
BER&D (Partnerstandort IMEC)
Catania
ITSiC-Epitaxie (LPE, 2022 übernommen)
Systeme & Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Atomic Layer Deposition (ALD)Oberfläche | – | – | – | – | Oxide, Nitride, Metalle (Ultradünnschichten) |
| Thermal ALDOberfläche | – | – | – | – | Metalloxide, Dielektrika, Metallnitride, Reinmetalle |
| Plasma Enhanced ALD (PEALD)Oberfläche | – | – | – | – | SiO, SiN, TiO, Siliziumnitrid (SiN) |
| Epitaxy (kristallines Schichtwachstum)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si), Silizium-Germanium (SiGe), Phosphor-dotiertes Silizium (SiP) |
| SiC-Epitaxy (Siliziumcarbid)Oberfläche | – | – | – | – | Siliziumcarbid (SiC) |
| PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)Oberfläche | – | – | – | – | SiO, SiCN, SiN (stress-tunable), Flowable Carbon |
| LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)Oberfläche | – | – | – | – | Reinsilizium, dotiertes Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxide, Metallschichten |
| Diffusion (Dotierung)Wärmebehandlung | – | – | – | – | Silizium |
| OxidationWärmebehandlung | – | – | – | – | Silizium |
| Surface Preclean (Waferreinigung)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium-Wafer |
| Flowable Carbon Gap-Fill und Planarisierung (PECVD)Oberfläche | – | – | – | – | Flowable Carbon (Kohlenstofffilm) |
| Dry Cleaning (hochselektiv, säurefrei)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| ALD-Beschichtung / Oberflächenmodifikation / hochpräzises RefurbishingOberfläche | – | – | – | – | – |
17 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD-Prozessmodul (metal/dielectric ALD) | ASM XP4 EmerALD | – | – | – | – |
| ALD-Reaktor (High-k) | ASM XP4 Pulsar (AXIS) | – | – | – | – |
| Thermal-ALD-System (bis 4 DCM, 8 Kammern) | ASM XP8 Synergis | – | 300 mm | – | – |
| PEALD-System (Dual Chamber Module, 8 Kammern) | ASM XP8 DCM PEALD | – | 300 mm | – | – |
| PEALD-System (Quad Chamber Module, 16 Kammern) | ASM XP8 QCM PEALD | – | 300 mm | – | – |
| PEALD-System (SiN-Deposition) | ASM XP8 JQCM PEALD | – | 300 mm | – | – |
| PEALD-System | ASM XP8 Magma PEALD | – | 300 mm | – | – |
| Single-Wafer-Epitaxy-Werkzeug | ASM Epsilon 2000 | – | 150 mm und 200 mm Wafer | – | – |
| Epitaxy-Deposition-Werkzeug (300 mm) | ASM Intrepid ES / Intrepid ESA | – | 300 mm | – | – |
| Preclean-Modul | ASM Previum (V3, NEXT, VP) | – | – | – | – |
| SiC-Epitaxy-Werkzeug | ASM PE1O6A / PE1O8 | – | – | – | – |
| SiC-Epitaxy-Werkzeug | ASM PE2O8 | – | – | – | – |
| PECVD-System (Dual Chamber Module, 8 Kammern) | ASM XP8 DCM PECVD | – | 300 mm | – | – |
| PECVD Gap-Fill/Planarisierungssystem | ASM XP8 Vertos | – | – | – | – |
| Batch-Vertikaler Ofen (300 mm, atmosphärisch/LP) | ASM SONORA | – | 300 mm | – | – |
| Batch-Vertikaler Ofen (200 mm und kleiner) | ASM A400 DUO | – | 200 mm und kleinere Wafer | – | – |
| Robotersystem für Präzisionswartung (PM-bot) | ASM PM-bot | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Unternehmenshistorie
- 1968
ASM (Advanced Semiconductor Materials) wurde von Arthur del Prado in den Niederlanden gegründet.
- 1970s
Furnace-Deposition-Fertigung in den Niederlanden; Gründung von ASM America (Epitaxie-Basis) und ASMPT in Hongkong.
- 1980s
Gründung ASM Japan; Beteiligung am Philips-Joint Venture (heute ASML), Anteil 1988 verkauft.
- 1990s
Fokus auf Deposition; Investitionen in ALD.
- 1999
Übernahme ASM Microchemistry.
- 2004
Übernahme ASM Genitech Korea.
- 2007
Pulsar ALD: erstes System in Hochvolumenfertigung mit Hafnium-basiertem High-k-Gatedielektrikum.
- 2013
Verkauf der Mehrheitsbeteiligung an ASMPT.
- 2022
Übernahme von LPE (Italien), Einstieg in SiC-Epitaxie-Equipment; Einrichtung des Executive Committee.
- 2024
Hichem M'Saad zum CEO ernannt; 100 % erneuerbare Elektrizität für alle globalen Standorte (H1 2024).
- 2025
Investor Day: Ziel Umsatz > 5,7 Mrd. Euro und Operating Margin > 30 % bis 2030.