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Fabless Designhaus für kundenspezifische RF- und Mixed-Signal-ASICs von der Spezifikation bis zur qualifizierten Lieferung.
Bruco Integrated Circuits B.V.
Borne (HQ), Niederlande · Nijmegen, Niederlande · Berlin, DeutschlandNeu auf Amplifa
Über Bruco IC
Bruco IC ist ein unabhängiges fabless IC-Designhaus mit Sitz in Borne (Niederlande) und weiteren Büros in Nijmegen und Berlin. Das Unternehmen entwickelt kundenspezifische RF-, Analog- und Mixed-Signal-ASICs für Anwendungen, in denen Standard-ICs die Anforderungen nicht erfüllen, und übernimmt dabei den gesamten Prozess von der Systemarchitektur über Tape-out bis zur qualifizierten Silizium-Lieferung samt Supply-Chain-Management. Entwickelt wird in Technologien wie CMOS, BiCMOS, SiGe, (RF-)SOI, BCD, FD-SOI sowie GaN und LDMOS für Leistungsbereiche von 1 W bis 1000 W bei RF-Leistungsverstärkern (Doherty-Architekturen). Zur Validierung betreibt Bruco IC ein eigenes RF-Messtestlabor in Borne mit Vector-Receiver-Load-Pull- und S-Parameter-Messungen bis 18 GHz sowie ein Mechaniklabor für Prototypen (Baseplates, Inserts). Qualifikation erfolgt nach JEDEC JESD47 und AEC-Q100. Kunden stammen aus Branchen wie Telekommunikation/Satcom, 5G-Basisstationen, GNSS/autonome Systeme, Automotive, Industrie, Verteidigung und Next-Gen-Computing (Photonik, Quantencomputing, KI). Das Team umfasst über 35 IC-Design- und Applikationsingenieure mit Bachelor-, Master- und PhD-Abschlüssen.
- Standort
- CS Borne
- Verfahren
- Turnkey ASIC Development (Feasibility bis Supply), Custom RF IC Design (DC bis mmWave, 30 GHz), Custom Mixed-Signal IC Design (ADC, DAC, Signalverarbeitung), Doherty Power Amplifier (DPA) ASIC Design 1W–1000W, 100–380 MHz, RF Engineering Support / Staff Augmentation, 3D EM Modelling, Load-Pull Messung (harmonic, fundamental), S-Parameter-Messungen (0.1–18 GHz, CW/pulsed)
- Werkstoffe
- CMOS, BiCMOS, SiGe, SOI / RF-SOI, FD-SOI, BCD, GaN (Gallium Nitride), LDMOS
- Zertifikate
- JEDEC JESD47 Qualifikation, AEC-Q100 Qualifikation
- Gegründet
- 1989
- Mitarbeiter
- 35+ (IC-Design- und
- Branchen
- Telekommunikation/Satcom, 5G-Basisstationen, Radar, GNSS/Positionierung & autonome Systeme, Drohnen & Präzisionslandwirtschaft, Automotive
- 01
Feasibility & Architekturstudie
- 02
Circuit Design & Verifikation
- 03
Testentwicklung & Silizium-Charakterisierung
- 04
Qualifikation (JEDEC JESD47 / AEC-Q100)
- 05
Tape-out über Foundry-Partner
- 06
OSAT-Assembly & Produktionstest
- 07
Supply Chain & Lifecycle-Management
Technologien & Verfahren
CMOS
Basistechnologie für Mixed-Signal-ASICs wie ADC, DAC und Signalverarbeitung.
BiCMOS
Einsatz für leistungsstarke RF-ICs von sub-6 GHz bis mmWave.
SiGe
Typische Technologie für hochfrequente RF-Designs bis 30 GHz.
SOI / RF-SOI
Für Front-End-RF-ICs wie LNAs, Switches und integrierte Empfänger.
FD-SOI
Prozessoption im Turnkey-ASIC-Portfolio für spezifische Leistungsziele.
BCD
Technologie für Gate-Treiber und Power-Anwendungen.
GaN (Galliumnitrid)
Für höchste Leistungsdichte und Effizienz, z. B. in 5G-Basisstationen, Radar und Satcom.
LDMOS
Bewährte Technologie für HF-Leistungsverstärker von 0,1 bis 4 GHz.
Standorte
Borne
NLHauptquartier: Design, RF-Labor, Mechaniklabor
- Werkstoffe
- CMOS, BiCMOS, SiGe, SOI, GaN, LDMOS
- Vector-Receiver Load-Pull Messsystem (harmonisch 0,6–9,0 GHz, fundamental 0,6–18,0 GHz, DUT max. 50 W CW / 500 W gepulst)
- 2× Maury Harmonic Tuner (0,6–18,0 GHz)
- 2× Maury Low-Loss Coupler (0,1–18,0 GHz)
- Rohde & Schwarz Vektor-Netzwerkanalysator (26 GHz)
- Keysight Netzgeräte / Keithley Multimeter
- Anteverta Universal Test Fixture
- IVCAD Software (Dassault Systèmes)
- Custom Test Fixtures für SMT und leaded devices
- Mechaniklabor für Baseplates & Inserts
Nijmegen
NLBüro / Engineering
Berlin
DEBüro / Engineering
IC-Lösungen & Leistungen
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Turnkey ASIC Development (Feasibility bis Supply)Engineering | – | – | – | – | CMOS, BiCMOS, SiGe, SOI, BCD, FD-SOI, GaN |
| Custom RF IC Design (DC bis mmWave, 30 GHz)Engineering | – | – | – | – | CMOS, BiCMOS, SiGe, RF-SOI, GaN |
| Custom Mixed-Signal IC Design (ADC, DAC, Signalverarbeitung)Engineering | – | – | – | – | CMOS |
| Doherty Power Amplifier (DPA) ASIC Design 1W–1000W, 100–380 MHzEngineering | – | – | 1 W – 1000 W | – | GaN, LDMOS |
| RF Engineering Support / Staff AugmentationEngineering | – | – | – | – | – |
| 3D EM ModellingEngineering | – | – | – | – | – |
| Load-Pull Messung (harmonic, fundamental)Prüfung | – | – | – | – | GaN, LDMOS |
| S-Parameter-Messungen (0.1–18 GHz, CW/pulsed)Prüfung | – | – | – | – | GaN, LDMOS |
| Qualifikation nach JEDEC JESD47 / AEC-Q100 (Kalterklima-, Temperaturwechsel-, Feuchtigkeits- undPrüfung | – | – | – | – | – |
| Supply Chain Management (Foundry, OSAT, Produktionstest, Lifecycle)Montage | – | – | – | – | – |
| Mechanische Prototyping (Fertigung und Löten von Baseplates und Inserts)Montage | – | – | – | – | – |
9 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Vector-Receiver Load-Pull Messsystem | Maury / Rohde & Schwarz / Keysight | 1 | Harmonic 0.6–9.0 GHz, Fundamental 0.6–18.0 GHz, DUT max. 50 W CW / 500 W pulsed | – | Borne, NL |
| Maury Harmonic Tuner | Maury | 2 | 0.6–18.0 GHz | – | Borne, NL |
| Maury Low-Loss Coupler | Maury | 2 | 0.1–18.0 GHz | – | Borne, NL |
| Vektor-Netzwerkanalysator (26 GHz) | Rohde & Schwarz | 1 | 26 GHz | – | Borne, NL |
| Netzgeräte / Multimeter | Keysight / Keithley | – | – | – | Borne, NL |
| Universal Test Fixture für leaded devices | Anteverta IVCAD (Dassault Systèmes Software) | 1 | – | – | Borne, NL |
| Custom Test Fixtures für SMT und leaded devices | – | – | – | – | Borne, NL |
| In-house RF-Messtestlabor | – | 1 | 0.7–4 GHz Tuning/Charakterisierung | – | Borne, NL |
| In-house Mechaniklabor (Fertigung/Löten Baseplates & Inserts) | – | 1 | – | – | Borne, NL |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität & Qualifikation
Die Verifikation und Qualifikation erfolgt nach standardisierten Verfahren gemäß JEDEC JESD47 (industriell) und AEC-Q100 (automotive), inklusive beschleunigter Alterung, Temperaturwechsel-, Feuchtigkeits- und Elektrotests. Im eigenen RF-Labor in Borne werden Load-Pull- und S-Parameter-Messungen (CW und gepulst) zur Charakterisierung durchgeführt.
| Nachweis | Borne |
|---|---|
| JEDEC JESD47 Qualifikation | |
| AEC-Q100 Qualifikation |
Historie
- 1989
Gründung des Unternehmens.
Über 35 Jahre Erfahrung im Turnkey-ASIC-Design; über 100 abgeschlossene Doherty-PA-Designs und mehr als 2 Millionen gelieferte IC-Lösungen.