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CCR Technology entwickelt und fertigt COPRA RF-ICP-Plasmaquellen für Beschichtung, Ätzen und Oberflächenmodifikation.
CCR GmbH
TroisdorfNeu auf Amplifa
Über CCR Technology
CCR Technology mit Sitz in Troisdorf ist Hersteller der COPRA®-Plasmatechnologie, einer filamentlosen, induktiv gekoppelten 13,56-MHz-RF-Plasmaquelle. Das Unternehmen fertigt Plasmaquellen in verschiedenen Bauformen (Round, Linear, Ring, Built In) sowie Plasma-Systeme und Faraday-Cup-Systeme und beliefert Endanwender, Anlagenhersteller (OEM) und Forschungsgruppen. Die Anwendungen umfassen PECVD von Silizium-, Metalloxid- und Nitridschichten für Barrier- und Funktionsschichten, PVD-Assist (Sputter- und E-Gun-Assist), Ätzen/Ion Milling, Plasma-Reinigung und -Aktivierung sowie PALD-Assist. Zielmärkte sind Präzisionsoptik, Solar, Halbleiter, Displays und Speichermedien, architektonische Glasbeschichtung sowie Verschleiß- und Dekorschichten. Seit der Gründung 1995 wurden mehr als 1500 Einheiten in über 40 Länder verkauft. Neben der Hardware stellt CCR einen Know-how-Pool für die Prozessentwicklung zur Verfügung.
- Standort
- Troisdorf
- Verfahren
- PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) von Silizium, Metalloxiden und Nitriden für, PVD Assist (Sputter Assist, E-Gun Assist) mittels 13,56 MHz RF-ICP Plasmaquelle, Etching / Chemical Etching / Ion Milling, Cleaning (Plasma-Reinigung), Activation (Plasma-Aktivierung), PALD Assist (Plasma-Assisted ALD Assist), Oberflächenmodifikation / Densification dünner Schichten (Ion Assist, Ion-Energie 15–150 eV), Service/Support
- Werkstoffe
- Silizium, Metalloxide, Nitride, DLC (Diamond-Like Carbon), Glas, Polymere, Induktiv gekoppeltes 13,56-MHz-RF-Plasma, Silizium, Metalloxide, Nitride
- Zertifikate
- ISO 9001
- Gegründet
- 1995
- Branchen
- Präzisionsoptik, Solar, Halbleiter, Displays, Speichermedien, Architekturglas
- 01
Entwicklung der RF-Plasmaquelle
- 02
Konstruktion und Fertigung
- 03
Vertrieb (international)
- 04
Service und Support
- 05
Know-how-Transfer/Prozessberatung
Werkstoffe und Anwendungen
Induktiv gekoppeltes 13,56-MHz-RF-Plasma
Filamentlose Plasmaexcitation mit hoher Kopplungseffizienz (bis 90 %) und Plasmadichte über 1E12/cm³.
Silizium, Metalloxide, Nitride
Abscheidung von Barrier- und Funktionsschichten sowie optischen Filterstacks.
DLC (Diamond-Like Carbon)
Verschleißfeste und dekorative Schichten auf Leit- und Nichtleitern.
Glas
Substratmaterial für Optical Multilayer und Low-E-Beschichtungen.
Polymere
Substratmaterial für optische Mehrschichtbeschichtungen.
Standorte
Troisdorf
DEHeadquarter mit Entwicklung, Vertrieb und Service
- COPRA Round Sources
- COPRA Linear Sources
- COPRA Ring Sources
- COPRA Built In Sources
- Plasma Systeme
- Faraday Cup System
Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) von Silizium, Metalloxiden und Nitriden fürOberfläche | – | – | – | – | Silizium, Metalloxide, Nitride |
| PVD Assist (Sputter Assist, E-Gun Assist) mittels 13,56 MHz RF-ICP PlasmaquelleOberfläche | – | – | – | – | – |
| Etching / Chemical Etching / Ion MillingOberfläche | – | – | – | – | leitende und nichtleitende Substratmaterialien |
| Cleaning (Plasma-Reinigung)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| Activation (Plasma-Aktivierung)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| PALD Assist (Plasma-Assisted ALD Assist)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| Oberflächenmodifikation / Densification dünner Schichten (Ion Assist, Ion-Energie 15–150 eV)Oberfläche | – | – | – | – | leitende und nichtleitende Substrate |
6 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| COPRA Plasmaquelle (RF-ICP, 13,56 MHz, inductively coupled) | CCR Technology COPRA Round Sources | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
| COPRA Plasmaquelle (RF-ICP, 13,56 MHz, inductively coupled) | CCR Technology COPRA Linear Sources | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
| COPRA Plasmaquelle (RF-ICP, 13,56 MHz, inductively coupled) | CCR Technology COPRA Ring Sources | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
| COPRA Plasmaquelle (RF-ICP, 13,56 MHz, inductively coupled) | CCR Technology COPRA Built In Sources | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
| Plasma System (unter Konstruktion) | CCR Technology | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
| Faraday Cup System | CCR Technology | – | – | – | Troisdorf, Deutschland |
Zusatzleistungen
Qualität
Die COPRA-Technologie arbeitet mit konstanten Grundplasmaparametern, sodass Prozessergebnisse unabhängig von Skalierung in Größe und Geschwindigkeit reproduzierbar sind.
| Nachweis | Troisdorf |
|---|---|
| ISO 9001 |
Historie
- 1995
Gründung von CCR Technology und Beginn der Entwicklung der RF-Plasma-Technologie (COPRA®)
Mehr als 1500 Einheiten in über 40 Ländern verkauft; 25 Jahre Tätigkeit im Bereich Plasma