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CCRAFT – Fertigung

Unabhängige Pure-Play-Foundry für photonic integrated circuits aus Thin-Film-Lithiumniobat (TFLN) – von MPW-Prototypen bis zur High-Volume-Fertigung.

CCRAFT Logo

CCRAFT

SchweizNeu auf Amplifa

2025Gegründet (CSEM Spin-off)
2.000 Wafer/MonatZielkapazität der eigenen TFLN-Fab
40+Partner weltweit in der Pilotproduktion
6 JahreF&E und Prozessentwicklung am CSEM

Über CCRAFT

CCRAFT ist eine unabhängige Pure-Play-Foundry für photonische integrierte Schaltungen (PICs) auf Basis von Thin-Film-Lithiumniobat (TFLN). Das 2025 als Spin-off des Schweizer Forschungszentrums CSEM gegründete Unternehmen fertigt monolithische TFLN-Chips auf Lithiumniobat-on-Insulator-Substraten (LNOI) mit bis zu zehn Hauptprozessschritten, darunter präzises TFLN-Micromachining, Mehrlagen-Metallisierung, Cladding, Lagenöffnungen, Device-Layer-Undercut und Back-End-of-Line-Prozesse. Das Angebot reicht von Multi-Project-Wafer-Läufen für Prototyping über dedizierte Wafer-Runs ab vier Wafern bis zur High-Volume-Produktion mit einer Zielkapazität von 2.000 Wafern pro Monat in einer eigenen TFLN-Fab. Ergänzend werden TFLN-Chiplets für Micro-Transfer-Printing, Sonderprozesse wie Ätzen, Metall- und Oxiddeposition sowie periodisches Poling (PPLN) und Micromachining-Dienstleistungen für Silicon-Photonics-Fabs angeboten. Abnehmer finden sich in Kommunikation, Quantentechnologien, KI/Datacenter und Sensorik. Die Fertigung erfolgt mit In-house-Cleanroom und Charakterisierungslabor in der Schweiz.

Standort
Schweiz
Verfahren
TFLN Etching (Thin-Film Lithium Niobate Ätzen), Metallization Layers (Mehrschicht-Metallisierung), Cladding and Layer Openings (Cladding & Lagenöffnungen), Back End of Line (BEOL) Processes, Precision TFLN Micromachining, Multilayer Metallization, Device-Layer Undercut, Metal Deposition (Sonderprozess)
Werkstoffe
Thin-Film Lithium Niobate (TFLN), Lithium Niobate on Insulator (LNOI) Substrate, PPLN (periodisch gepoltes Lithium Niobat), Silizium-Photonik (SiPh) Wafer, Thin-Film Lithium Niobat, Lithium Niobat on Insulator Substrate, Periodisch gepoltes Lithium Niobat, Silizium-Photonik Wafer
Gegründet
2025
Branchen
Kommunikation/Telekommunikation, Quantentechnologien, KI/Datacenter, Sensorik, Spektroskopie, Silicon-Photonics-Foundries
  1. 01

    Prozessdesign & PDK

  2. 02

    MPW / Custom Wafer Runs

  3. 03

    TFLN-Waferfertigung (Etching, Metallisierung, Cladding, BEOL)

  4. 04

    Sonderprozesse (PPLN, Deposition)

  5. 05

    Charakterisierung

  6. 06

    Chiplets & Integration

Werkstoffe & Verfahren

TFLN

Thin-Film Lithium Niobat

Kernmaterial für monolithische photonische integrierte Schaltungen mit elektro-optischer und akusto-optischer Modulation.

LNOI

Lithium Niobat on Insulator Substrate

Substratplattform für die monolithische TFLN-Chipfertigung mit bis zu zehn Hauptprozessschritten.

PPLN

Periodisch gepoltes Lithium Niobat

Ermöglicht Frequenzumwandlung für Spektroskopie sowie optisches und Quantencomputing.

SiPh

Silizium-Photonik Wafer

Substrate für TFLN-Micromachining-Dienstleistungen und hybride/heterogene Integration mit Silicon-Photonics-Fabs.

Standorte

Standort Schweiz

Schweiz

DE

Fertigung, F&E und Charakterisierung

Losgröße
MPW (Shared Wafer); Custom Runs ab 4 Wafern; High-Volume (Ziel 2.000)
Werkstoffe
TFLN, LNOI, PPLN, Silizium-Photonik Wafer
  • In-house Cleanroom
  • Characterization Lab

Bauteile & Produkte

TFLN photonische Chips aus MPW-Läufen
TFLN photonische Chips aus MPW-LäufenMonolithische TFLN-PIC-Fertigung · Kommunikation/Quanten/Sensorik
TFLN-Chiplets für Micro-Transfer-Printing
TFLN-Chiplets für Micro-Transfer-PrintingChiplet-Fertigung · Heterogene Integration

Einblicke in die Fertigung

Prozessierter TFLN-Wafer und singulierte photonische integrierte Schaltung
Prozessierter TFLN-Wafer und singulierte photonische integrierte Schaltung

Branchen

Kommunikation/TelekommunikationQuantentechnologienKI/DatacenterSensorikSpektroskopieSilicon-Photonics-FoundriesFabless-PhotonikSilicon-Photonics-Foundries und Plattform-EntwicklerFabless-Photonik-Unternehmen

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
TFLN Etching (Thin-Film Lithium Niobate Ätzen)Oberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film), LNOI
Metallization Layers (Mehrschicht-Metallisierung)Oberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Cladding and Layer Openings (Cladding & Lagenöffnungen)Oberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film), LNOI
Back End of Line (BEOL) ProcessesOberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Precision TFLN MicromachiningOberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film), LNOI, Silizium-Photonik Wafer
Multilayer MetallizationOberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Device-Layer UndercutOberfläche––––Lithium Niobat (Thin-Film), LNOI
Metal Deposition (Sonderprozess)Oberfläche–––4 WafersTFLN, ähnliche Materialien
Oxide Deposition (Sonderprozess)Oberfläche–––4 WafersTFLN, ähnliche Materialien
Periodic Poling (PPLN)Oberfläche–––4 WafersLithium Niobat (Thin-Film)
Monolithic TFLN PIC Fertigung (bis zu 10 Hauptprozessschritte)Additiv––––Lithium Niobat on Insulator (LNOI)
Multi-Project Wafer (MPW) RunsAdditiv––––Lithium Niobat on Insulator (LNOI)
Custom Dedicated Wafer RunsAdditiv–––4 WafersLithium Niobat on Insulator (LNOI)
High-Volume TFLN Manufacturing (Zielkapazität 2.000 Wafers/Monat)Additiv–––2.000 Wafers/Monat (Ziel)Lithium Niobat on Insulator (LNOI)
TFLN Chiplets (kompatibel mit Micro-Transfer-Printing)Montage––––Lithium Niobat (Thin-Film)
TFLN-Enhanced Silicon Photonics (Micromachining-Dienstleistung für SiPh-Fabs)Engineering––––Silizium-Photonik Wafer, Lithium Niobat (Thin-Film)
Hybrid & Heterogeneous Integration mit Silicon Photonics (Interface)Montage––––Silizium-Photonik Wafer, Lithium Niobat (Thin-Film)
Low-Loss Fiber CouplingMontage––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Elektro-Optische Modulatoren (On-Chip Komponente)Engineering––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Akusto-Optische Modulation (On-Chip Funktionalität)Engineering––––Lithium Niobat (Thin-Film)
Frequenzumwandlung via PPLN (Spektroskopie, optische/quantum Computing)Engineering––––Lithium Niobat (Thin-Film), PPLN
PDK-Entwicklung & Charakterisierung (C-band 1550 nm qualifiziert; O-band 1310 nm Alpha; 500–900 nmPrüfung––––Lithium Niobat (Thin-Film)

2 Anlagen & Maschinen

MaschineHersteller / ModellAnzahlArbeitsraumBaujahrStandort
In-house Cleanroom–––––
Characterization Lab–––––

Zusatzleistungen

TFLN Foundry Services (Pure-Play)Multi-Project Wafer (MPW) RunsCustom Dedicated Wafer Runs (ab 4 Wafern)High-Volume TFLN ManufacturingTFLN Chiplets (kompatibel mit Micro-Transfer-Printing)TFLN-Enhanced Silicon Photonics (Micromachining für SiPh-Fabs)Specialty Process Services: TFLN-Etching, Metalldeposition, Oxiddeposition, Periodisches PolingProcess Design Kit (PDK): C-Band 1550 nm qualifiziert, O-Band 1310 nm Alpha, Quanten/sichtbarIn-house Cleanroom und Charakterisierungslabor

Referenzkunden

Über 40 Partner weltweit beliefert (Pilotproduktion über CSEM)

Historie

  1. 2019–2025

    Über sechs Jahre Forschung und Prozessentwicklung am CSEM führen zu einer industrielosen TFLN-PIC-Plattform; Pilotproduktion mit tausenden Chips an über 40 Partnern weltweit.

  2. 2025

    Gründung von CCRAFT als CSEM Spin-off zur Skalierung der Produktionskapazität; CSEM agiert weiter als R&D-House

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