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Thermische Prozesstechnologie und integrierte Produktionslösungen für Halbleiter, Solarzellen und Carbonfasern
centrotherm international AG
Zentrale (Deutschland) · Shanghai (China)Neu auf Amplifa
Über centrotherm
centrotherm international AG ist ein Technologieanbieter für thermische Prozesstechnologie und integrierte Produktionslösungen in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Das Portfolio umfasst PECVD- und Diffusionsanlagen, RTP-Systeme, Hochtemperaturöfen für SiC-Oxidation und -Annealing, Vertikal- und Horizontalöfen für Waferprozesse, Vakuumsinter- und Vakuumlötanlagen, DCB-Muffelöfen (Direct Copper Bonding), Bandöfen sowie Karbonisierungs- und Graphitisierungsöfen für Carbonfasern. Die Anlagen verarbeiten Silizium-Wafer bis 200 mm bzw. 300 mm sowie Verbindungshalbleiter wie SiC, GaN, GaAs, Saphir und Diamant, ferner Präkursoren für Carbonfasern wie PAN, Homo-PAN, Zellulose und Lignin. Abnehmerbranchen sind Halbleiter & Mikroelektronik, Photovoltaik, Leistungshalbleiter/E-Mobility, MEMS, Optoelektronik, Advanced Packaging und Leichtbau. Die zentrale Fertigungs- und Entwicklungsstätte befindet sich in Deutschland, ein Vertriebsbüro in Shanghai bedient den chinesischen Markt. Ausgeliefert wird weltweit, unter anderem nach Indien, China und Korea.
- Standort
- Zentrale (Deutschland)
- Verfahren
- PECVD (SiNx-, AlOx-, SiOx-, SiONx-, PolySi-Abscheidung, c.PLASMA/c.PLASMA Q MAX), Diffusion (LPCVD-/Niedrigdruck-Diffusionsanlagen), Oxidation (Trocken-/Nassoxidation, Hochtemperatur-SiC-Oxidation), Rapid Thermal Processing/RTP (RTA, Silizidbildung, Reflow, Dotierstoff-Aktivierung), Annealing (H2, N2, Ar; NO/N2O/NH3-POA; Hochtemperatur-WBG-Kristall annealing), LPCVD (Polysilizium, Si3N4, TEOS, PSG, BPSG, LTO, HTO, SIPOS), Vakuumsintern (Mehrplatten-Vakuumsinteranlage), Vakuumlöten/-schweißen (Vakuumschweißsystem für R&D und Pilotproduktion)
- Werkstoffe
- Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid, Saphir, Diamant, Polyacrylnitril (PAN), Homo-PAN
- Zertifikate
- Thermische Prozesskalibrierung
- Branchen
- Halbleiter & Mikroelektronik, Photovoltaik, Leistungshalbleiter/E-Mobility, MEMS, Optoelektronik, Advanced Packaging
- 01
Engineering und Anlagenentwicklung
- 02
Fertigung und Zusammenbau thermischer Prozessanlagen
- 03
Prozessqualifikation
- 04
Vertrieb und Auslieferung
- 05
Service und Support
Werkstoffe & Prozesse
Silizium
Wafer bis 200/300 mm für Diffusion, Oxidation, LPCVD, Annealing und RTP.
Siliziumkarbid
Hochtemperatur-Oxidation (900–1500 °C) und Annealing für SiC-MOSFET-Prozesse.
Galliumnitrid
RTP- und Annealing-Prozessierung von WBG-Substraten bis 1350 °C.
Galliumarsenid
Verbindungshalbleiter-Substrate für RTP in Suszeptor- oder Box-Konfiguration.
Saphir
WBG-Substrat für emissivitätsunabhängige RTP-Prozessierung.
Diamant
WBG-Substrat für Hochtemperatur-RTP-Prozesse.
Polyacrylnitril (PAN)
Präkursor für Carbonfaser-Herstellung mit Stabilisierung, Karbonisierung und Graphitisierung.
Zellulose, Lignin
Nachhaltige Präkursoren für die Faserproduktion in c.OXI Carbon-Anlagen.
Kupfer/Keramik (Direct Copper Bonding)
DCB-Muffelöfen für das Direktkupferbonding von Leistungshalbleiter-Substraten.
Standorte
Zentrale
DEZentrale/Hauptsitz, Entwicklung und Fertigung
- Werkstoffe
- Silizium, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Diamant, PAN
- PECVD-Batchsysteme (c.PLASMA/c.PLASMA Q MAX)
- Vertikalöfen (c.VERTICOO 200/Mini)
- RTP-Anlage c.RAPID 200
- Hochtemperatur-Oxidationsofen c.OXIDATOR 200
- DCB-Muffelöfen
- Vakuumsinteranlagen
- Bandöfen
- c.OXI Carbon
Shanghai
CNVertrieb China (Photovoltaik, Halbleiter & Mikroelektronik)
Anlagen & Bauteile
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| PECVD (SiNx-, AlOx-, SiOx-, SiONx-, PolySi-Abscheidung, c.PLASMA/c.PLASMA Q MAX)Engineering | – | – | – | – | Silizium-Wafer |
| Diffusion (LPCVD-/Niedrigdruck-Diffusionsanlagen)Engineering | – | – | – | – | Silizium, SiC |
| Oxidation (Trocken-/Nassoxidation, Hochtemperatur-SiC-Oxidation)Engineering | – | – | – | – | Silizium, SiC |
| Rapid Thermal Processing/RTP (RTA, Silizidbildung, Reflow, Dotierstoff-Aktivierung)Engineering | – | – | – | – | Silizium, SiC, GaN, Saphir, Diamant, GaAs |
| Annealing (H2, N2, Ar; NO/N2O/NH3-POA; Hochtemperatur-WBG-Kristall annealing)Engineering | – | – | – | – | Silizium, SiC, GaN |
| LPCVD (Polysilizium, Si3N4, TEOS, PSG, BPSG, LTO, HTO, SIPOS)Engineering | – | – | – | – | Silizium |
| Vakuumsintern (Mehrplatten-Vakuumsinteranlage)Engineering | – | – | – | – | Leistungshalbleiter-Substrate |
| Vakuumlöten/-schweißen (Vakuumschweißsystem für R&D und Pilotproduktion)Engineering | – | – | – | – | – |
| Direct Copper Bonding (DCB-Muffelofen)Engineering | – | – | – | – | Kupfer, Keramik |
| Bandofen-Prozesse (Transportbandofen für R&D und Serienfertigung)Engineering | – | – | – | – | – |
| Carbonfaser-Herstellung (Stabilisierung/Oxidation, Karbonisierung, Graphitisierung von PAN-,Engineering | – | – | 1 t/Jahr – 1000 t/Jahr | – | PAN, Homo-PAN, Zellulose, Lignin |
| Solarzellenproduktion (PERC, IBC, TOPCon – integrierte Produktionslösungen)Engineering | – | 210 mm | – | – | Silizium |
| Keramikfaser-Produktion (Kettenofen)Engineering | – | – | – | – | Keramik |
18 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| PECVD-Batchsystem (direktes Plasma) | centrotherm c.PLASMA Q MAX | – | bis 10.000 Wafer/h; 3 Graphitschiffchen gleichzeitig; M10/M12/G12R/Halbzellen | – | – |
| PECVD-Röhrensystem | centrotherm c.PLASMA X | – | 10-Röhren-Design, Wafer bis 210 mm (>1250 installiert) | – | – |
| Vertikalofen (atmosphärisch/LPCVD) | centrotherm c.VERTICOO 200 | – | Wafer bis 200 mm, Batch bis 150 Wafer, Temperaturen bis 1100 °C | – | – |
| Vertikalofen Kleincharge | centrotherm c.VERTICOO Mini | – | Wafer bis 200 mm, max. 50 Wafer/Charge | – | – |
| RTP-Anlage | centrotherm c.RAPID 200 (Gen 2) | – | Wafer 150–200 mm, RT–1350 °C, Vakuum/Atmosphärendruck | – | – |
| Hochtemperatur-Oxidationsofen | centrotherm c.OXIDATOR 200 (PRO) | – | Wafer bis 200 mm, 900–1500 °C | – | – |
| Hochtemperatur-Annealingofen (Ar/N2/H2) für SiC | centrotherm | – | – | – | – |
| Horizontalofen 300 mm | centrotherm | – | 300 mm-Wafer | – | – |
| Horizontalofen (Multi-Applikation) | centrotherm | – | – | – | – |
| Niedrigdruck-Diffusionsanlage | centrotherm | – | – | – | – |
| Vakuumsinteranlage (Mehrplatten) | centrotherm | – | – | – | – |
| Vakuumschweißsystem | centrotherm | – | – | – | – |
| DCB-Muffelofen (Direct Copper Bonding) | centrotherm | – | – | – | – |
| Transportbandofen | centrotherm | – | – | – | – |
| Niedrigdruck-Oxidationsanlage Carbonfaser (Stabilisierung) | centrotherm c.OXI Carbon | – | 1–1000 t/Jahr | – | – |
| Kontinuierliche Niedrigtemperatur-Karbonisierungsofen (Labor) | centrotherm | – | – | – | – |
| Kontinuierlicher Ultrahochtemperatur-Graphitisierungsofen (Labor) | centrotherm | – | – | – | – |
| Kettenofen für Keramikfasern | centrotherm | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Qualität
Prozesse werden mit pyrometerbasierter Temperaturmessung, profilierenden Thermoelementen und prädiktiver PID-Regelung auf thermische Genauigkeit und Reproduzierbarkeit geprüft; automatisierte Kalibrierung und SMIF-kompatible Handling-Systeme sichern die Prozessstabilität.
| Nachweis | Zentrale |
|---|---|
| Thermische Prozesskalibrierung |