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Hersteller ultra-low-noise pHEMT-Transistoren – vom Epitaxie-Design bis zur Charakterisierung und zum Device-Modelling

DIRAMICS AG

Steinhausen, CH · Zürich (Gründungsort)Neu auf Amplifa

2016Gegründet (Spin-off der ETH Zurich)

RechtsformAG

pH-100Transistoren seit über 10 Jahren im Feldeinsatz bei ESA

Horizon 2020EU-Förderung Grant No 855915 (2019)

Über Diramics

Diramics wurde 2016 in Zürich als Spin-off der ETH Zurich gegründet, um die Ultra-Low-Noise-pHEMT-Technologie aus der Forschung auf den Markt zu bringen. Das Unternehmen fertigt anpassbare ultra-low-noise HEMT-Transistoren (pH-100) auf Indiumphosphid-Basis, die seit über zehn Jahren in ESA-Erdstationen im Feldeinsatz sind. Die Wertschöpfung umfasst sämtliche Schritte: Epitaxie-Schichtdesign (Epi-Design), Transistor-Fabrikation im eigenen Reinraum mit MBE-Anlage, Device-Charakterisierung und Device-Modelling. Die Transistoren werden in hybriden Low-Noise-Verstärkern für Radioastronomie und Weltraumanwendungen eingesetzt, etwa bei der Yebes-Sternwarte (IGN/CDT, Spanien) und im Deep Space Network. 2019 wurde die Kommerzialisierung der InP-HEMT-Technologie im Rahmen des EU-Programms Horizon 2020 (Grant Agreement No 855915) gefördert. Der Hauptsitz mit Fertigung und Reinraum befindet sich in Steinhausen, Schweiz.

Standort: Steinhausen
Verfahren: Epi-Design (Epitaxial-Schichtdesign), Transistor-Fabrikation (pHEMT/HEMT Herstellung), Device Characterization und Modelling, Epi-Design (Epitaxie-Schichtdesign), Transistor-Fabrikation, Device-Charakterisierung, Device-Modelling, Angepasste ultra-low-noise pHEMT Transistoren
Werkstoffe: InP HEMT / pHEMT Technologie (Indiumphosphid), Indiumphosphid (InP HEMT / pHEMT), Molecular Beam Epitaxy, Atomic Layer Deposition, Plassys Beschichtungs-/Ätzanlage
Zertifikate: ISO 9001, Sonstiges
Gegründet: 2016
Branchen: Halbleiter, Weltraum/Erdstationen (ESA), Radioastronomie, Mikrowellentechnik, Kryogene Empfänger

01
Epi-Design (Epitaxie-Schichtdesign)
02
MBE-Epitaxie
03
Transistor-Fabrikation (Reinraum)
04
Device-Charakterisierung
05
Device-Modelling

Technologie & Verfahren

InP

Indiumphosphid (InP HEMT / pHEMT)

Substrat- und Halbleitertechnologie für ultra-low-noise HEMT-Transistoren in Mikrowellen- und Kryogenanwendungen.

MBE

Molecular Beam Epitaxy

Epitaxieverfahren zum Aufwachsen der Kristallschichten gemäss eigenem Epi-Design.

ALD

Atomic Layer Deposition

Dünnschichtabscheidung im Reinraum für die Transistor-Fabrikation.

PVD

Plassys Beschichtungs-/Ätzanlage

Vakuum-Beschichtung und -Ätzen prozesskritischer Schichten.

Standorte

Steinhausen

Hauptsitz, Fertigung, Reinraum, Charakterisierung

Losgröße: Prototyp, Kleinserie
Werkstoffe: InP

MBE-Anlage (Molecular Beam Epitaxy)
Plassys Beschichtungs-/Ätzanlage
ALD-Anlage (Atomic Layer Deposition)
Wet Bench (Nasschemie)
Wet-Chemie Cleanroom-Bereich
Mikroskop
Rasterelektronenmikroskop (SEM)

Bauteile & Produkte

**pH-100 HEMT-Transistor**pHEMT · Halbleiter / Mikrowellentechnik

**C-Band LNA-Modul Messergebnis (Yebes, 15 K)**pH-100 · Radioastronomie

**Ka-Band LNA-Modul Messergebnis (15 K)**pH-100 · Deep Space Network

**Ka-Band LNA-Modul Messergebnis (300 K)**pH-100 · Deep Space Network

**Ka-Band LNA-Modul Messergebnis (300 K, dB)**pH-100 · Deep Space Network

Einblicke in die Fertigung

Reinraum: ALD-Anlage (Atomic Layer Deposition)

Branchen

HalbleiterWeltraum/Erdstationen (ESA)RadioastronomieMikrowellentechnikKryogene Empfänger

Verfahren & technische Grenzen

Verfahren	Toleranz	Max. Bauteil	Gewicht	Losgröße	Werkstoffe
Epi-Design (Epitaxial-Schichtdesign)Engineering	–	–	–	–	InP
Transistor-Fabrikation (pHEMT/HEMT Herstellung)Additiv	–	–	–	–	InP
Device Characterization und ModellingPrüfung	–	–	–	–	InP

7 Anlagen & Maschinen

Maschine	Hersteller / Modell	Anzahl	Arbeitsraum	Baujahr	Standort
MBE-Anlage (Molecular Beam Epitaxy)	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
Plassys Beschichtungs-/Ätzanlage	Plassys	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
Mikroskop	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
Wet Bench (Nasschemie)	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
ALD-Anlage (Atomic Layer Deposition, Cleanroom)	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
Wet-Chemie Cleanroom-Bereich	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz
Rasterelektronenmikroskop (SEM)	–	–	–	–	Steinhausen, Schweiz

Zusatzleistungen

Epi-Design (Epitaxie-Schichtdesign)Transistor-FabrikationDevice-CharakterisierungDevice-ModellingAngepasste ultra-low-noise pHEMT Transistoren

Referenzkunden

ESA (European Space Agency)Yebes Observatory (IGN/CDT, Spanien)

Qualität

Die Charakterisierung und das Device-Modelling gehören zur integrierten Wertschöpfung; Messdaten der Bauelemente und Verstärkermodule werden veröffentlicht.

Nachweis	Steinhausen
ISO 9001
Sonstiges

Historie

2016
Gründung in Zürich als Spin-off der ETH Zurich zur Kommerzialisierung der Ultra-Low-Noise-pHEMT-Technologie
2019
EU-Förderung im Rahmen von Horizon 2020 (Grant Agreement No 855915) für die Kommerzialisierung der InP HEMT Technologie
2025
Website-Aktualisierung; pH-100 Transistoren >10 Jahre im Feldeinsatz bei ESA-Erdstationen