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Schweizer Hersteller erbium-dotierter photonischer integrierter Schaltkreise (EDWA/EDWL) für optische Verstärkung und Laser auf Chip-Ebene.
EDWATEC SA
Lausanne (EPFL Innovation Park)Neu auf Amplifa
Über EDWATEC
EDWATEC SA ist ein Schweizer High-Tech-Startup, das seltenerd-dotierte photonische integrierte Schaltkreise (PICs) herstellt. Kernprodukte sind Erbium-dotierte Wellenleiter-Verstärker (EDWA) mit 30 dB On-Chip-Gain, 300 mW Ausgangsleistung und Rauschzahl unter 5 dB sowie Erbium-dotierte Wellenleiter-Laser (EDWL) mit Linienbreiten unter 50 Hz, abstimmbare über die C+L-Bänder. Die Technologie basiert auf verlustarmen Siliziumnitrid-Wellenleitern, die über kontrollierte Ionenimplantation mit Erbium dotiert werden; die Fertigung erfolgt wafer-level und ist kompatibel mit Silicon-Photonics-Foundry-Prozessen für monolithische und hybride Integration. EDWATEC versteht sich als Integrated Device Manufacturer (IDM) und deckt den gesamten R&D-Zyklus – Design, Nanofabrikation und Charakterisierung – im Haus ab, mit direktem Zugang zu den Nanofabrikationsanlagen des EPFL Center of MicroNanoTechnology (CMi). Abnehmerbranchen sind optische Transceiver, Datenzentren und Telekommunikation, Fiber Sensing, Satellitenkommunikation sowie Spektroskopie. Das Unternehmen wurde 2023 als Spin-off des Laboratory of Photonics and Quantum Measurements (LPQM) der EPFL gegründet und hat seinen Hauptsitz im EPFL Innovation Park in Lausanne.
- Standort
- CH-1015 Lausanne
- Verfahren
- Ionenimplantation von Erbium / Seltenerd-Ionen in Siliziumnitrid-Wellenleiter (EDWA-Herstellung), Wafer-Level-Nanofabrikation photoner integrierte Schaltkreise (monolithische Integration mit, Custom Design & Fabrication mittels 3D-Druck, Custom Design & Fabrication mittels CNC-Bearbeitung, Custom Design & Fabrication mittels Laserschneiden, Erbium-Dotierte Wellenleiter-Laser (EDWL) - Herstellung, On-Chip-Optische Verstärker (EDWA) - Herstellung (30 dB Gain, 300 mW Output, NF <5 dB), Hybride Integration von photonischen Produkten
- Werkstoffe
- Siliziumnitrid, Erbium-dotiertes Siliziumnitrid, Erbium (Seltenerd-Ion, Dotierung), Silizium (Photonics-Plattform), Silizium
- Zertifikate
- In-House Charakterisierung & Test
- Gegründet
- 2023
- Branchen
- Telekommunikation, Datenzentren / KI, Optische Kommunikation, Fiber Sensing, Satellitenkommunikation, Spektroskopie
- 01
Design (In-House R&D)
- 02
Ionenimplantation von Erbium in Siliziumnitrid-Wellenleiter
- 03
Wafer-Level-Nanofabrikation (monolithische Silicon-Photonics-Integration)
- 04
Hybride Integration photonischer Komponenten
- 05
Optische Charakterisierung und Test
- 06
Auslieferung
Werkstoffe & Verfahren
Siliziumnitrid
Verlustarme Wellenleiterplattform, dotiert über kontrollierte Ionenimplantation für effiziente On-Chip-Verstärkung.
Erbium-dotiertes Siliziumnitrid
Aktives Wellenleitermaterial für EDWA-Verstärker und EDWL-Laser über die C+L-Bänder.
Silizium
Photonics-Plattform für monolithische Integration der Verstärker auf einem Chip.
Standorte
Lausanne
CHHauptsitz, R&D und Fertigung (Zugang zu EPFL-Nanofabrikation CMi)
- Losgröße
- Prototyp bis Wafer-Level-Großserie
- Werkstoffe
- Siliziumnitrid, Erbium, Silizium
- Nano-Fabrikationsanlagen (EPFL CMi)
- Optische Test- und Mess-Infrastruktur
Bauteile & Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Ionenimplantation von Erbium / Seltenerd-Ionen in Siliziumnitrid-Wellenleiter (EDWA-Herstellung)Engineering | – | – | – | – | Siliziumnitrid, Erbium (Seltenerd-Ionen) |
| Wafer-Level-Nanofabrikation photoner integrierte Schaltkreise (monolithische Integration mitEngineering | – | – | – | – | Siliziumnitrid, Silizium |
| Custom Design & Fabrication mittels 3D-DruckAdditiv | – | – | – | – | – |
| Custom Design & Fabrication mittels CNC-BearbeitungZerspanung | – | – | – | – | – |
| Custom Design & Fabrication mittels LaserschneidenZerspanung | – | – | – | – | – |
| Erbium-Dotierte Wellenleiter-Laser (EDWL) - HerstellungEngineering | – | – | – | – | Erbium-dotiertes Siliziumnitrid |
| On-Chip-Optische Verstärker (EDWA) - Herstellung (30 dB Gain, 300 mW Output, NF <5 dB)Engineering | – | – | – | – | Erbium-dotiertes Siliziumnitrid |
| Hybride Integration von photonischen ProduktenFügen | – | – | – | – | Silizium |
2 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Nano-Fabrikationsanlagen (Zugang via EPFL Center of MicroNanoTechnology CMi) | EPFL | – | – | – | EPFL Innovation Park, Lausanne |
| Optische Test- und Mess-Infrastruktur (Characterization) | – | – | – | – | EPFL Innovation Park, Lausanne |
Zusatzleistungen
Qualität
Der gesamte Entwicklungszyklus inklusive Design, Fabrikation und Charakterisierung erfolgt in-house; eine dedizierte optische Test- und Mess-Infrastruktur sichert konsistente Geräteleistung und Prozesskontrolle. Zertifikate sind derzeit nicht veröffentlicht.
| Nachweis | Lausanne |
|---|---|
| In-House Charakterisierung & Test |
Historie
- 2023
Gründung als Spin-off des Laboratory of Photonics and Quantum Measurements (LPQM) der EPFL, co-gegründet von Dr. Amir Youssefi und Prof. Tobias Kippenberg; Hauptsitz im EPFL Innovation Park, Lausanne.