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Entwickelt und fertigt Epitaxie-Produktionssysteme und monokristalline Templates für Wide-Bandgap-Halbleiter
ELEMENT 3-5 GmbH
BaesweilerNeu auf Amplifa
Über ELEMENT 3-5
Die ELEMENT 3-5 GmbH ist ein 2010 als Spin-off der RWTH Aachen (Vorgänger: AIXaTECH GmbH) gegründetes Halbleiterunternehmen mit Sitz in Baesweiler bei Aachen. Das Unternehmen entwickelt und fertigt Epitaxie-Produktionssysteme auf Basis der eigenen Technologie Next Level Epitaxy, die monokristalline Schichten bei Prozesstemperaturen unter 300 °C abscheidet – mit bis zu 90 % Energieeinsparung, bis zu zehnfach höherem Durchsatz und ohne Einsatz toxischer Prozessgase. Kernprodukte sind das Produktionssystem ACCELERATOR 3500K für monokristalline Templates für Wide-Bandgap-Halbleiter (u. a. LEDs, miniLEDs, microLEDs, HEMTs, Leistungselektronik) sowie das System ENABLER 150K für monokristalline Bulk-Acoustic-Wave-Filter auf Basis von AlN und AlScN. Neben dem Systemgeschäft bietet ELEMENT 3-5 Substratbeschichtungen im eigenen Technikum, Prozessentwicklung, Technology-Roadmaps sowie Prozessunterstützung und Monitoring vor Ort beim Kunden. Die bearbeiteten Werkstoffe sind vor allem Siliziumkarbid (SiC) und III-V-Verbindungshalbleiter. Mit einer EU-Beihilfegenehmigung von 353 Mio. EUR (2026) baut das Unternehmen eine Fabrik für SiC-Epiwafer in Baesweiler auf. Das Team umfasst weniger als 50 Beschäftigte in Deutschland; 2025 wurde das Unternehmen als 'Innovator of the Year' (TOP 100, Größenklasse A) ausgezeichnet.
- Standort
- Baesweiler
- Verfahren
- Next Level Epitaxy (Plasma-Epitaxie, Herstellung monokristalliner Schichten/Templates), SiC-Epiwafer-Produktion, Abscheidung monokristalliner Strukturen bei Prozesstemperaturen unter 300 °C, Epitaxie zur Herstellung monokristalliner Templates für LEDs, miniLEDs, microLEDs und HEMTs, Epitaxie zur Herstellung monokristalliner Bulk-Acoustic-Wave-Filter (BAW-Filter), Epitaxie mit integrierter Nanostrukturierung (Laserstrukturierung, Projekt EPIWIN), Epitaxie von Halbleiterschichten (Next Level Epitaxy), Herstellung von Monokristallinen Templates/Epiwafern
- Werkstoffe
- Siliziumkarbid, AlN, AlScN, Wide-Bandgap-Halbleiter (Verbindungen der 3. und 5. Hauptgruppe), Wide-Bandgap-Halbleiter (III-V-Verbindungen)
- Zertifikate
- ISO 9001
- Gegründet
- 2010
- Mitarbeiter
- < 50 (Deutschland)
- Branchen
- Halbleiterindustrie, LED-/MiniLED-/MicroLED-Displays, Leistungselektronik (SiC-Leistungshalbleiter), Telekommunikation (BAW-Filter), Beleuchtung
- 01
Anforderungsanalyse und Technology-Roadmap
- 02
Substratbeschichtung im eigenen Technikum
- 03
Charakterisierung und Prozess-Feintuning
- 04
Serienfertigung der Epitaxie-Systeme
- 05
Inbetriebnahme und Prozessunterstützung beim Kunden
- 06
Monitoring von Prozessmerkmalen und Spezifikationen
Werkstoffe & Verfahren
Siliziumkarbid
Grundmaterial für die geplante SiC-Epiwafer-Fabrik und die Leistungselektronik-Anwendungen.
AlN
Material für monokristalline Bulk-Acoustic-Wave-Filter im System ENABLER 150K.
AlScN
Alternative Filterwerkstoff-Wahl im ENABLER 150K für höhere Frequenzen der Telekommunikation.
Wide-Bandgap-Halbleiter (III-V-Verbindungen)
Deposition neuer Materialstacks jenseits konventioneller Verfahren dank niedriger Prozesstemperatur.
Standorte
Baesweiler
DEHauptsitz, Technikum und Produktion
- Losgröße
- Prototyp bis Serie (Epitaxie-Systeme)
- Werkstoffe
- SiC, AlN, AlScN, III-V-Halbleiter
- ACCELERATOR 3500K Epitaxie-Produktionssystem
- ENABLER 150K Epitaxie-System für BAW-Filter
Systeme & Bauteile
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Next Level Epitaxy (Plasma-Epitaxie, Herstellung monokristalliner Schichten/Templates)Beschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | Siliziumkarbid (SiC), Wide-Bandgap-Halbleiter, Verbindungen der 3. und 5. Hauptgruppe (III-V), temperaturempfindliche Substrate |
| SiC-Epiwafer-ProduktionBeschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | Siliziumkarbid (SiC) |
| Abscheidung monokristalliner Strukturen bei Prozesstemperaturen unter 300 °CBeschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | III-V-Verbindungshalbleiter, Wide-Bandgap-Halbleiter |
| Epitaxie zur Herstellung monokristalliner Templates für LEDs, miniLEDs, microLEDs und HEMTsBeschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | Wide-Bandgap-Halbleiter, III-V-Verbindungshalbleiter |
| Epitaxie zur Herstellung monokristalliner Bulk-Acoustic-Wave-Filter (BAW-Filter)Beschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | AlN, AlScN |
| Epitaxie mit integrierter Nanostrukturierung (Laserstrukturierung, Projekt EPIWIN)Beschichtung/Halbleiter-Fertigung | – | – | – | – | Wide-Bandgap-Halbleiter |
2 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Epitaxie-Produktionssystem (Next Level Epitaxy, Plasma-Technologie) | ELEMENT 3-5 GmbH ACCELERATOR 3500K | – | – | – | Baesweiler |
| Epitaxie-System für monokristalline Bulk-Acoustic-Wave-Filter | ELEMENT 3-5 GmbH ENABLER 150K | – | – | – | Baesweiler |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität
Prozessmerkmale und Spezifikationen werden durch Charakterisierung und kontinuierliches Monitoring überwacht; die vertikale Ausrichtung der Substrate ermöglicht partikelfreie Abscheidung mit hoher Homogenität und Reproduzierbarkeit.
| Nachweis | Baesweiler |
|---|---|
| ISO 9001 |
Historie
- 2010
Gründung als AIXaTECH GmbH als Spin-off der RWTH Aachen durch Dr. Yilmaz Dikme u. a.
- 2015
Unabhängige Validierung der Technologie durch Dr. Yilmaz Dikme und Dr. Volker Sinhoff; Volker Sinhoff übernimmt die Geschäftsführung
- 2022
Series-A-Finanzierung (geführt von AVV Investment GmbH, zweistelliger Millionenbetrag); Ghassan Barbar übernimmt Produktmanagement/Vertrieb für den ACCELERATOR 3500K
- 2022
Umzug in das neue Hauptsitz-Gebäude, Robert-Koch-Str. 6a, 52499 Baesweiler (bezugsfertig zum 1. Oktober)
- 2024
Förderzusage für das Leuchtturmprojekt GREEN EPITAXY im Rheinischen Revier
- 2025
Markteintritt mit ersten ACCELERATOR 3500K-Systemen an Pilotkunden; Auszeichnung 'Innovator of the Year' (TOP 100, Größenklasse A) am 27. Juni
- 2025
Ausstellung auf der NRW Nano Conference in Dortmund (30.09.–01.10.)
- 2026
EU-Kommission genehmigt 353 Mio. EUR Beihilfe für eine SiC-Epiwafer-Fabrik in Baesweiler
- 2026
Besuch von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur im Rahmen der Sommertour in Baesweiler