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Entwicklung von TCAD-Software für physikbasierte Bauelemente-Simulation in der Halbleiterindustrie.
Global TCAD Solutions GmbH
Wien (AT)Neu auf Amplifa
Über Global TCAD Solutions
Global TCAD Solutions ist ein Softwareunternehmen mit Sitz in Wien, das TCAD-Werkzeuge (Technology Computer Aided Design) für die Simulation von Halbleiterbauelementen entwickelt. Zum Portfolio gehören das GTS Framework, der Nano Device Simulator (NDS), Minimos-NT, der VSP-Simulator sowie der GTS Cell Designer. Die Werkzeuge decken Anwendungen von der fortgeschrittenen CMOS-Logik (FinFET, Nanosheet) über Speicher (VNAND, DRAM, Emerging) und Displays (a-Si, IGZO) bis zu Materialforschung (2D-Materialien, TMD, Ferroelektrika, GaN), Power/Analog/RF und kryogener Elektronik ab. Neben Softwarelizenzen bietet GTS Technology Path-Finding und Design-Technology Co-Optimization (DTCO) sowie Support durch Anwendungsingenieure und Schulungen an. Kunden sind Unternehmen wie Sony, NXP Semiconductors, Unisantis und Trusted Semiconductor Solutions sowie Forschungsinstitute wie das Institute of Microelectronics der Chinese Academy of Sciences und die TU Wien.
- Standort
- Wien (AT)
- Verfahren
- TCAD Device Simulation (Nano Device Simulator, VSP, Minimos-NT), DTCO – Design-Technology Co-Optimization (Technology to Design, Cell Designer), Technology Path-Finding, Heavy-Ion-Partikelsimulation (Strahlungssimulation), TCAD-Software (GTS Framework), Nano Device Simulator (NDS), Victory/VSP Device Simulation, Minimos-NT Simulation
- Werkstoffe
- IGZO (amorpher Oxidhalbleiter), a-Si (amorphes Silizium), GaN, SiGe (embedded S/D Epitaxie), Silizium, 2D-Materialien/TMD, Ferroelektrische Materialien, Phase-Change-Materialien
- Branchen
- Halbleiterindustrie, Advanced CMOS Logic, Memory (VNAND, DRAM, Emerging), Displays (a-Si, IGZO), Materialforschung (2D Materials, TMD, Ferroelektrika, GaN), Power/Analog/RF
- 01
Anforderungsanalyse beim Kunden
- 02
TCAD-Simulation (NDS, VSP, Minimos-NT)
- 03
DTCO / Technology to Design (Cell Designer)
- 04
Technology Path-Finding
- 05
Support & Schulung durch Anwendungsingenieure
Simulierte Materialsysteme
Silizium
Grundmaterial für CMOS-Bauelemente-Simulation, inklusive Heavy-Ion-Partikelsimulation.
SiGe (embedded S/D Epitaxie)
Simuliert bei Leistungsdegradationsuntersuchungen an 2 nm Nanosheet-FETs.
IGZO (amorpher Oxidhalbleiter)
Relevante Bandtail-Behandlung für Displays, DRAM und VNAND.
a-Si (amorphes Silizium)
Amorphe Materialien für Display-Anwendungen.
GaN
Für Power- und Materialforschungs-Anwendungen.
2D-Materialien/TMD
Materialforschung an zukünftigen Bauelementekonzepten.
Ferroelektrische Materialien
Simuliert im Kontext von Emerging Memory.
Phase-Change-Materialien
Materialsystem für Emerging-Memory-Anwendungen.
Standorte
Wien
ATEntwicklung & Support
- Werkstoffe
- Silizium, SiGe, IGZO, a-Si, GaN, 2D-Materialien, Ferroelektrika, PCM
- GTS Framework
- GTS Nano Device Simulator
- Minimos-NT
- VSP
- GTS Cell Designer
Simulationsprodukte & Anwendungen
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| TCAD Device Simulation (Nano Device Simulator, VSP, Minimos-NT)Engineering | – | – | – | – | Silizium, SiGe, IGZO, a-Si, GaN, 2D-Materialien, TMD, ferroelektrische Materialien, Phase-Change-Materialien |
| DTCO – Design-Technology Co-Optimization (Technology to Design, Cell Designer)Engineering | – | – | – | – | – |
| Technology Path-FindingEngineering | – | – | – | – | – |
| Heavy-Ion-Partikelsimulation (Strahlungssimulation)Prüfung | – | – | – | – | Silizium |
5 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| TCAD-Software: GTS Framework | Global TCAD Solutions GTS Framework | – | – | – | – |
| TCAD-Software: Nano Device Simulator | Global TCAD Solutions GTS Nano Device Simulator | – | – | – | – |
| TCAD-Software: Minimos-NT | Global TCAD Solutions Minimos-NT | – | – | – | – |
| TCAD-Software: VSP | Global TCAD Solutions VSP | – | – | – | – |
| TCAD-Software: Cell Designer | Global TCAD Solutions GTS Cell Designer | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Aktivitäten & Publikationen
- 2026
Teilnahme an der SISPAD 2026 in Kumamoto, Japan (September 2026).
- 2026
Teilnahme an der ESSERC 2026 mit Fokus Design-Technology Co-Optimization (September 2026).
- 2026
Publikation zu Performance-Degradationsmechanismen in 2 nm Nanosheet-FETs mit embedded SiGe S/D (Juli 2026).