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Nasschemische Produktionsanlagen für die Halbleiterherstellung – Ätzen, Reinigen, Strippen und Galvanik
Höllmüller Maschinenbau GmbH
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Über Höllmüller Maschinenbau
Die Höllmüller Maschinenbau GmbH ist auf die Entwicklung und den Bau von Nasschemischen Produktionsanlagen für die Halbleiterherstellung spezialisiert. Das Angebot umfasst Anlagen zum Ätzen, Reinigen und Strippen von Wafern – von manuellen und halbautomatischen Nassbänken bis hin zu vollautomatischen Batch- und Einzelwafer-Anlagen. Darüber hinaus werden Galvanisierungsplattformen für die Beschichtung von Metallen wie Gold, Silber, Kupfer und Nickel, Wafer-Trockner sowie chemische Abgabesysteme für Säuren, Basen und Lösungsmittel angeboten. Die Anlagen verarbeiten Halbleitermaterialien wie Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid und Indiumphosphid und unterstützen die Herstellung von integrierten Schaltkreisen, MEMS-Sensoren, photonischen Geräten, RF-Komponenten und Leistungselektronik. Das Unternehmen verweist auf über 30 Jahre Erfahrung in der Nassbearbeitung von Halbleitern und steht unter www.hmsweb.de zur Verfügung.
- Verfahren
- Nassätzen von Wafern (Ätzen), Wafer-Reinigen, Strippen von Wafern (Resist-Stripping), Batch-Eintauchen (Tauch-Nassbänke, manuell/halbautomatisch/vollautomatisch), Batch Spray – Spray Acid Tool (SAT) und Spray Solvent Tool (SST), Einzelwaferbearbeitung (kritisches Ätzen), Wafer-Trocknung, Galvanik (Galvanisierungsplattformen, Nass-Plating)
- Werkstoffe
- Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid, Indiumphosphid, Gold, Silber, Kupfer
- Branchen
- Halbleiterherstellung, Integrierte Schaltkreise (ICs), MEMS-Sensoren, Photonik, RF-Komponenten, Leistungselektronik
- 01
Engineering und Konstruktion der Anlagen
- 02
Fertigung und Aufbau der Nassbänke und Behältertechnik
- 03
Prozesstechnologie (Ätzen, Reinigen, Strippen, Trocknung, Galvanik)
- 04
Chemische Abgabesysteme
- 05
Auslieferung und Inbetriebnahme
Materialien und Verfahren
Silizium
Hauptwerkstoff für Wafer-Ätzen, Reinigen, KOH-Ätzen und Einzelwaferbearbeitung.
Siliziumkarbid
Poröses und flächiges Nassätzen mit fortschrittlicher Chemie-Technologie.
Galliumnitrid
Verarbeitbar in Batch-Eintauch- und Ätzprozessen.
Galliumarsenid
Nasschemische Bearbeitung für Photonik- und RF-Anwendungen.
Indiumphosphid
Verarbeitbar in Batch-Ätz- und Reinigungsprozessen.
Gold
Galvanische Beschichtung auf Galvanisierungsplattformen.
Silber
Galvanische Beschichtung für Nass-Plating-Anwendungen.
Kupfer
Galvanische Beschichtung, z. B. für BEOL-Metallisierung.
Nickel
Galvanische Beschichtung für Reinmetall- und Legierungsdeposition.
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Nassätzen von Wafern (Ätzen)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) |
| Wafer-ReinigenOberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) |
| Strippen von Wafern (Resist-Stripping)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si) |
| Batch-Eintauchen (Tauch-Nassbänke, manuell/halbautomatisch/vollautomatisch)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) |
| Batch Spray – Spray Acid Tool (SAT) und Spray Solvent Tool (SST)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si) |
| Einzelwaferbearbeitung (kritisches Ätzen)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si) |
| Wafer-TrocknungOberfläche | – | – | – | – | – |
| Galvanik (Galvanisierungsplattformen, Nass-Plating)Oberfläche | – | – | – | – | Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Metalllegierungen |
| TruEtch - Metallätzung (Tauchtanktechnologie)Oberfläche | – | – | – | – | Metalle |
| SiEtch – anisotropes KOH-Ätzen von SiliziumOberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si) |
| Fluidjet - Metall-Lift-off und Resist-StrippingOberfläche | – | – | – | – | Metalle |
| Fortschrittliches chemisches Ätzen (poröses und flächiges Nassätzen von SiC)Oberfläche | – | – | – | – | Siliziumkarbid (SiC) |
| Chemische Abgabesysteme (Förderung von Säuren, Basen und Lösungsmitteln)Engineering | – | – | – | – | – |
| Wafering – Nassätzen und Reinigen von unstrukturierten Halbleiterwafern (vollautomatisch)Oberfläche | – | – | – | – | Silizium (Si) |
8 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Nassbank (manuell, halbautomatisch, vollautomatisch) | – | – | – | – | – |
| Batch-Ätzanlage | RENA | – | – | – | – |
| Einzelwafer-Ätzanlage | RENA | – | – | – | – |
| Sprüh-Ätzanlage (Spray Acid Tool / Spray Solvent Tool) | RENA SAT / SST | – | – | – | – |
| Galvanisierungsplattform | RENA | – | – | – | – |
| Wafer-Trockner | RENA | – | – | – | – |
| Chemisches Abgabesystem | RENA | – | – | – | – |
| Wafering-Plattform (vollautomatisch) | RENA | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Historie
Über 30 Jahre Erfahrung in der Nassbearbeitung von Halbleitern