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Hersteller vertikal integriert gefertigter SiC-Leistungshalbleiter – von Wafern bis zu Dioden und MOSFETs
Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd
Hunan (CN) · Chongqing (CN)Neu auf Amplifa
Über Sanan Semiconductor
Sanan Semiconductor (Hunan San'an Semiconductor Co., Ltd) ist ein chinesischer Hersteller von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Das Unternehmen betreibt eine vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Mega Fab), die die gesamte Wertschöpfungskette vom Material und Wafer bis zum fertigen Bauelement abdeckt. Das Produktportfolio umfasst SiC-Schottky-Dioden (SBD) in der fünften Generation mit Spannungsplattformen von 650 V, 1200 V und 1700 V sowie SiC-MOSFETs für leistungselektronische Anwendungen; von den SiC-Dioden wurden kumulativ 200 Millionen Einheiten ausgeliefert. Einsatzgebiete sind Automotive, Photovoltaik und Energiespeicher, Industrie, Rechenzentren und USV-Systeme, Hochleistungs-Haushaltsgeräte sowie Ladetechnik. 2023 gründeten Sanan Optoelectronics und STMicroelectronics ein Joint Venture in Chongqing zur SiC-Waferproduktion. Seit 2024 kooperiert Sanan Semiconductor mit der FAU Erlangen-Nürnberg in der Leistungselektronik-Forschung und expandiert in Überseemärkte, u. a. nach Japan und Europa.
- Standort
- Hunan (CN)
- Verfahren
- SiC-Dioden (SBD) Fertigung, 5. Generation, 650V/1A-50A, 1200V/1A-60A, 1700V, SiC-MOSFET Leistungshalbleiterfertigung, Vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Whole Industry Chain Vertical Integration Manufacturing, Vertikal integrierte SiC-Halbleiterfertigung (Wafer bis Bauelemente), Technical Support, Sales Channels
- Werkstoffe
- Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN)
- Branchen
- Automotive, Erneuerbare Energien (Photovoltaik, Energiespeicher), Industrie, Rechenzentren / USV, Hochleistungs-Haushaltsgeräte, Ladetechnik / Charging Pile
- 01
SiC- und GaN-Material- und Waferfertigung
- 02
Vertikal integrierte Chipfertigung (Mega Fab)
- 03
Bauelementefertigung SiC-Dioden (SBD) und SiC-MOSFETs
- 04
Qualitätsmanagement
- 05
Technical Support und Vertriebskanäle
Werkstoffe & Halbleitermaterialien
Siliziumkarbid (SiC)
Breitband-Halbleitermaterial für SiC-Dioden und SiC-MOSFETs mit reduzierten Wandlungsverlusten und höherer Leistungsdichte in leistungselektronischen Systemen.
Galliumnitrid (GaN)
Breitband-Halbleitermaterial, das Sanan Semiconductor neben SiC-Wafern und -Bauelementen im Portfolio führt.
Standorte
Hunan
CNVertikal integrierte SiC-Fertigung (Mega Fab)
- Werkstoffe
- SiC, GaN
- Vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Whole Industry Chain Vertical Integration Manufacturing Platform, Mega Fab)
Chongqing
CNJoint Venture mit STMicroelectronics zur SiC-Waferproduktion
- Werkstoffe
- SiC
- SiC-Waferproduktion (Joint Venture Sanan Optoelectronics / STMicroelectronics)
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| SiC-Dioden (SBD) Fertigung, 5. Generation, 650V/1A-50A, 1200V/1A-60A, 1700VHalbleiter-/Chipfertigung | – | – | – | – | Siliziumkarbid |
| SiC-MOSFET LeistungshalbleiterfertigungHalbleiter-/Chipfertigung | – | – | – | – | Siliziumkarbid |
| Vertikal integrierte SiC-Produktionslinie (Whole Industry Chain Vertical Integration ManufacturingHalbleiter-/Chipfertigung | – | – | – | – | Siliziumkarbid |
2 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Mega Fab (vertikal integrierte SiC-Fabrik) | Sanan Semiconductor | – | – | – | – |
| SiC-Waferproduktion (Joint Venture Sanan Optoelectronics / STMicroelectronics) | Sanan Optoelectronics / STMicroelectronics | – | – | 2023 | Chongqing |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Historie
- 2021
Hunan Sanan startet Chinas erste vertikal integrierte SiC-Produktionslinie.
- 2023
Debüt auf der SEMICON Taiwan; Sanan Optoelectronics und STMicroelectronics vereinbaren ein Joint Venture in Chongqing zur SiC-Waferproduktion.
- 2024
Forschungsvereinbarung mit der FAU Erlangen-Nürnberg für Leistungselektronik (SiC); strategische Kooperation mit Vertiv Technology; Expansion in Überseemärkte u. a. mit Auftritt auf der NEPCON JAPAN.
- 2025
Teilnahme an der Panel-Diskussion „Electrification Market & WBG Adoption“ beim ISES EU Summit in Dresden.