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IHP Solutions – Fertigung

ASIC-Fertigung auf SiGe-BiCMOS-Technologie: Foundry-Services, Packaging und Messtechnik für Industrie und Forschung

IHP Solutions Logo

IHP Solutions GmbH

Frankfurt (Oder), DeutschlandNeu auf Amplifa

2015Gegründet als Technologietransfergesellschaft des IHP
Frankfurt (Oder)Standort mit 1500 m² Reinraum (Klasse 3)
200 mm / 0,13 µmWafergröße / Technologie der SiGe-BiCMOS-Fabrik
unterer zweistelliger Mio.-€-BereichJahresumsatz
24/7Betriebsmodus der Fertigungslinie

Über IHP Solutions

Die IHP Solutions GmbH ist die 2015 gegründete Verwertungs- und Technologietransfergesellschaft des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP) in Frankfurt (Oder). Das Unternehmen überträgt die Halbleitertechnologie des Instituts an Industriekunden und Forschungseinrichtungen weltweit. Kernangebot sind Foundry-Services für anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs) in SiGe-BiCMOS-Technologie in 0,25 µm und 0,13 µm auf 200-mm-Wafern, einschließlich integrierter RF-Module und Silizium-Photonik. Die Chipfertigung erfolgt in der 1500 m² großen Reinraumfabrik (Klasse 3) des IHP im 24/7-Betrieb – vom Prototyping über Multi-Project-Wafer- und Engineering-Runs bis zur Low Volume Production. Ergänzend bietet IHP Solutions Packaging und Value Added Services (Grinding, Dicing, Sortierung, Advanced Packaging, PCB Assembly), Messtechnik- und Testdienstleistungen, IC-Design-Services sowie IP-Lizenzierung. Abnehmer finden sich vor allem in der HF-/Mikrowellentechnik, in der drahtlosen Kommunikation in höheren GHz-Bändern, im Radarbereich und in der Silizium-Photonik. Vertretungen bestehen in den USA (Americas/Japan) und in Hongkong (China/Hongkong/Taiwan).

Standort
Frankfurt (Oder)
Verfahren
SiGe BiCMOS Chipproduktion (MPW Runs, 40 ICs pro Run), Engineering Runs (kundenspezifische Produktion, 6 Wafer), Low Volume Production (LVP), Wafer Grinding (Thinning) 200/300 µm, TAIKO bis 50 µm, Blade-Dicing, Laser-Dicing, Stealth-Dicing, Dicing before Grinding
Werkstoffe
Silizium, SiGe (Silizium-Germanium), Kupfer, Lötzinn (Solder Balls), SiGe-BiCMOS-Technologie (0,25 µm und 0,13 µm), Silizium (200-mm-Wafer), Silizium-Photonik auf SOI-Wafern, TSV (Through-Silicon-Vias)
Zertifikate
Measurement & Test Support (device, functional, analog/RF, digital), Automatische optische Inspektion (AOI 2D/3D, 0,25 µm/pixel), ISO 9001
Gegründet
2015
Mitarbeiter
< 500 (kleine
Branchen
Mikroelektronik / Halbleiter (ASIC-Fertigung), HF- und Mikrowellentechnik / Radar, Drahtlose Kommunikation (höhere GHz-Bänder), Silizium-Photonik, Forschungseinrichtungen und Universitäten, Mikroelektronik/Halbleiter (ASIC-Fertigung)
  1. 01

    IC-Design und Design Services (Cadence, ADS)

  2. 02

    Masken-/Waferproduktion (MPW, Engineering Runs)

  3. 03

    Low Volume Production

  4. 04

    Wafer Grinding / Thinning

  5. 05

    Dicing (Blade, Laser, Stealth)

  6. 06

    AOI-Inspektion

  7. 07

    Die Sorting und Packaging

  8. 08

    Advanced Packaging (RDL, Solder Balls, Flip Chip, Bonding)

  9. 09

    PCB Assembly

  10. 10

    Measurement & Test Support

Technologien und Verfahren

SiGe BiCMOS

SiGe-BiCMOS-Technologie (0,25 µm und 0,13 µm)

Halbleiterprozess mit integrierten HBTs mit Grenzfrequenzen bis 500 GHz für HF- und Radar-Anwendungen.

Si

Silizium (200-mm-Wafer)

Substratmaterial der Chipfertigung, optional als SOI-Wafer für photonische Designschichten.

PIC

Silizium-Photonik auf SOI-Wafern

Zusätzliche photonische Designschichten zusammen mit BiCMOS-BEOL-Lagen für integrierte photonische ICs.

TSV

TSV (Through-Silicon-Vias)

Option in SG13S/SG13G2 zur RF-Erdung durch Vias durch das Silizium.

LBE

Localized Backside Etching

Lokales Abätzen von Silizium auf der Wafer-Rückseite zur Verbesserung der passiven Bauelemente.

Cu/RDL

Kupfer (RDL, Copper Pillars)

Werkstoff für Redistribution Layers und Copper Pillars in der Advanced Packaging.

Solder

Lötzinn (Solder Balls)

Werkstoff für Bump-Metallisierung und Flip-Chip-Montage.

Standort

Standort Frankfurt (Oder)

Frankfurt (Oder)

DE

Hauptsitz; SiGe-BiCMOS-Pilot-Fabrik des IHP (Reinraum, Prototyping, LVP, Packaging, Messtechnik)

Losgröße
MPW Runs (40 ICs pro Run), Engineering Runs (6 Wafer), Low Volume Production
Werkstoffe
Silizium, SiGe (BiCMOS 0,25 µm und 0,13 µm)
  • SiGe-BiCMOS-Waferfab (200 mm, 0,13 µm), 1500 m² Reinraum Klasse 3, 24/7-Betrieb
  • AOI-Inspektionssystem 2D/3D, max. 0,25 µm/pixel
  • Grinding bis 12" (150–750 µm, TAIKO bis 50 µm)
  • Dicing: Blade, Laser, Stealth, Dicing before Grinding
  • Die Sorting & Packaging (Waffle Pack, Vacuum Release Tray, Gel Pack, Tape)
  • Advanced Packaging: RDL, Solder Balls, Copper Pillars, Flip Chip, Chip on Board, Die/Wire Bonding
  • PCB Assembly
  • Mess- und Testausrüstung (device/functional/RF/digital)

Bauteile und Dienstleistungen

ASIC auf Multi-Project-Wafer (MPW)
ASIC auf Multi-Project-Wafer (MPW)SiGe-BiCMOS-Fertigung · Halbleiter/HF-Kommunikation
Verpackte ASICs (Packaging & VAS)
Verpackte ASICs (Packaging & VAS)Grinding, Dicing, Sorting · Halbleiter
Advanced Packaging (Flip Chip, RDL, Solder Balls)
Advanced Packaging (Flip Chip, RDL, Solder Balls)Advanced Packaging · Mikroelektronik
On-Wafer-Messung
On-Wafer-MessungMeasurement & Test Support · HF-/RF-Messtechnik

Einblicke in die Fertigung

Foundry Services: Prototyping & Low Volume Production
Foundry Services: Prototyping & Low Volume Production
Wafer Grinding (Thinning) bis 50 µm (TAIKO)
Wafer Grinding (Thinning) bis 50 µm (TAIKO)
Wafer Dicing: Blade, Laser und Stealth
Wafer Dicing: Blade, Laser und Stealth
Die Sorting und Packaging
Die Sorting und Packaging
Automatische optische Inspektion (AOI), 2D/3D
Automatische optische Inspektion (AOI), 2D/3D
Anfahrtsskizze Frankfurt (Oder)
Anfahrtsskizze Frankfurt (Oder)

Branchen

Mikroelektronik / Halbleiter (ASIC-Fertigung)HF- und Mikrowellentechnik / RadarDrahtlose Kommunikation (höhere GHz-Bänder)Silizium-PhotonikForschungseinrichtungen und UniversitätenMikroelektronik/Halbleiter (ASIC-Fertigung)HF-/Mikrowellen-Technik und Radar

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
SiGe BiCMOS Chipproduktion (MPW Runs, 40 ICs pro Run)Halbleiter-Fertigung–200 mm (Wafer)–40 ICsSilizium, SiGe
Engineering Runs (kundenspezifische Produktion, 6 Wafer)Halbleiter-Fertigung–200 mm (Wafer)–6 WaferSilizium, SiGe
Low Volume Production (LVP)Halbleiter-Fertigung–200 mm (Wafer)––Silizium, SiGe
Wafer Grinding (Thinning) 200/300 µm, TAIKO bis 50 µmOberflächen- und Dünnschichttechnik–12" (Wafer)––Silizium
Blade-DicingTrennen–12" (Wafer)––Silizium
Laser-DicingTrennen–12" (Wafer)––Silizium
Stealth-DicingTrennen–12" (Wafer)––Silizium
Dicing before GrindingTrennen–12" (Wafer)––Silizium
Automatic Optical Inspection (AOI), 2D/3D, max. 0,25 µm/pixelPrüfen––––Silizium
Die Sorting und Packaging (Waffle Pack, Vacuum Release Tray, Gel Pack, Tape)Handhabung/Verpackung–––––
PCB AssemblyMontage––––Kupfer
Redistribution Layer (RDL)Packaging/Verbindungstechnik––––Kupfer
Solder Balls AufbringenPackaging/Verbindungstechnik––––Lötzinn, Kupfer
Copper Pillars AufbringenPackaging/Verbindungstechnik––––Kupfer
Flip ChipPackaging/Verbindungstechnik–––––
Chip on BoardPackaging/Verbindungstechnik–––––
Die BondingPackaging/Verbindungstechnik–––––
Wire BondingPackaging/Verbindungstechnik–––––
On-Wafer Measurements (device/functional/RF/digital)Prüfen–200 mm (Wafer)–––
IC Design Services / PCB DesignEngineering/Design–––––

2 Anlagen & Maschinen

MaschineHersteller / ModellAnzahlArbeitsraumBaujahrStandort
SiGe BiCMOS Pilot Foundry (Wafer Fab)IHP–1500 m² Class-3 Cleanroom, 200 mm Wafer, 0.13 µm Technologie–Frankfurt (Oder)
AOI Inspektionssystem (2D/3D)––max. Auflösung 0,25 µm/pixel–Frankfurt (Oder)

Zusatzleistungen

Foundry Services (SiGe BiCMOS 0,25 µm und 0,13 µm)Prototyping: MPW Runs (40 ICs pro Run) und Engineering Runs (6 Wafer)Low Volume ProductionPackaging & Value Added Services (Grinding bis 12", Dicing: Blade/Laser/Stealth, AOI, Sorting &Advanced Packaging: RDL, Solder Balls, Copper Pillars, Flip Chip, Chip on Board, Die/Wire Bonding,Measurement & Test Support (Gerätemessungen, Funktionaltest, analog/RF, digital)Design Services (IC-Design, PCB-Design)IP-Lizenzierung und in Silizium erprobte Design-BlöckeTSV-Option, LBE (Localized Backside Etching), photonische Designschichten (PIC auf SOI-Wafern)Design Kits (Cadence, ADS)

Qualität und Messtechnik

IHP Solutions bietet Zugang zur vollständigen Mess- und Testausrüstung des IHP, einschließlich automatischer optischer Inspektion (AOI, 2D/3D) mit einer maximalen Auflösung von 0,25 µm/pixel sowie Device-, Funktions-, analog/RF- und digitalen Messungen. Fertigung und Packaging erfolgen in einem 1500 m² großen Reinraum der Klasse 3 im 24/7-Betrieb.

NachweisFrankfurt (Oder)
Measurement & Test Support (device, functional, analog/RF, digital)
Automatische optische Inspektion (AOI 2D/3D, 0,25 µm/pixel)
ISO 9001

Historie

  1. 2015

    Gründung der IHP Solutions GmbH als Verwertungs- und Technologietransfergesellschaft des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP).

  2. 2022

    Mirtha Valenzuela Vera wird am 15.11.2022 alleinige Geschäftsführerin.

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