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Hersteller von GaAs-basierten Quantenpunkt-Laserdioden und photonischen Bauelementen von 780 bis 1350 nm
Innolume GmbH
Dortmund · San DiegoNeu auf Amplifa
Über Innolume
Innolume GmbH ist ein Hersteller von Halbleiter-Laserdioden und photonischen Bauelementen auf GaAs-Basis mit Wellenlängen von 780 nm bis 1350 nm. Das Portfolio umfasst Single-Mode- und multimodale Laserdioden, DFB- und FBG-Laser, Halbleiter- und Booster-Optische Verstärker (SOA/BOA), Comb-Laser, Gain-Chips, Superlumineszenzdioden (SLD), Laserdioden-Treiber sowie Pulsed-Laser-Turnkey-Systeme. Die Fertigung ist vertikal integriert: Von der Epitaxie mit zwei produktionsnahen MBE-Reaktoren über die Waferprozessierung inklusive Elektronenstrahllithographie und Facet-Coating bis zum Chip-Packaging als Chip-on-Carrier oder faserpigtailiertes Modul erfolgt alles im Dortmunder Werk. Kern der Technologie sind InAs-Quantenpunkte in GaAs mit AlGaAs-Barrieren, die verbesserte Eigenschaften wie niedrige relative Intensitätsrauschen und temperaturunabhängiges Verhalten ermöglichen. Innolume entwickelte kundenspezifische photonische Bauelemente, fertigt mittlere Stückzahlen in-house und überträgt Hochvolumenfertigung an Contract Manufacturer. Die Bauelemente werden in medizinischer Diagnostik und Therapie, wissenschaftlicher Forschung, industrieller Fertigung, Cloud-Netzwerkinfrastruktur und KI-Systemen eingesetzt. Das Unternehmen beliefert über 100 Kunden weltweit.
- Standort
- Dortmund
- Verfahren
- Epitaxie (MBE, In,Al,Ga,AsP/GaAs-Heterostrukturen, InAs-Quantenpunkte auf GaAs-Substraten, MOCVD, Wafer-Front-End-Prozessierung inkl. Elektronenstrahllithographie (Laserchips), Facet-Coating (Oberflächenpassivierung der Spaltflächen, Antireflex-Beschichtung <0,01% Reflexion,, Chip-Package: Chip-on-Carrier (CoC) und faserpigtailierte Module, Burn-in und Qualitätskontrolle, Gerätecharakterisierung/Prüfung: LIV-Kurven, Far/Near Field, PER, optische Spektren, Noise Figure,, Design und Entwicklung kundenspezifischer photonischer Bauelemente (Custom design,, Custom design maßgeschneiderter photonischer Bauelemente, Mid-Volume-Fertigung in-house, Transfer zu Contract Manufacturing für High-Volume
- Werkstoffe
- GaAs (Galliumarsenid), InGaAs (Indium-Gallium-Arsenid), InAs (Indiumarsenid, Quantenpunkte), AlGaAs (Aluminium-Gallium-Arsenid, Barrieren), In,Al,Ga,AsP/GaAs-Heterostrukturen, Galliumarsenid, Indiumarsenid, Indium-Gallium-Arsenid
- Zertifikate
- Burn-in & outgoing QC
- Gegründet
- 2003
- Branchen
- Medizintechnik (Diagnostik und Therapie), Wissenschaftliche Forschung, Industrielle Fertigung, Datenkommunikation / Cloud-Netzwerkinfrastruktur, Künstliche Intelligenz
- 01
Custom Design & Device-Modelling
- 02
Epitaxie (MBE)
- 03
Wafer-Front-End-Prozessierung
- 04
Facet-Coating / Passivierung
- 05
Chip-Packaging (CoC, faserpigtailierte Module)
- 06
Burn-in & Qualitätskontrolle
- 07
Gerätecharakterisierung
Materialsysteme & Verfahren
Galliumarsenid
Substratmaterial für alle Laserchips und Heterostrukturen.
Indiumarsenid
Bildet die selbstorganisierten Quantenpunkte als aktives Gain-Medium.
Indium-Gallium-Arsenid
Quantum-Well-Strukturen für den Wellenlängenbereich 780–1120 nm.
Aluminium-Gallium-Arsenid
Barrierenschichten um die Quantenpunkte in den Heterostrukturen.
Molekularstrahlepitaxie
Epitaxie von In,Al,Ga,AsP/GaAs-Heterostrukturen auf zwei produktionsnahen Reaktoren.
Elektronenstrahllithographie
Front-End-Waferprozessierung für hochwertige Laserchips.
Standorte
Dortmund
DEHauptsitz, Halbleiterlaser-Fabrik (Epitaxie, Waferprozessierung, Packaging)
- Losgröße
- Klein- bis Mittelserie in-house; Hochvolumen via Contract Manufacturing
- Werkstoffe
- InAs/GaAs, InGaAs, AlGaAs
- 2 produktionsnahe MBE-Epitaxiereaktoren
- Elektronenstrahllithographie
- Facet-Coating/Passivierung
- Chip-Packaging
- Mess- und Charakterisierungsausrüstung
San Diego
USVertriebsrepräsentanz (Axalume Inc.)
Bauelemente
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Epitaxie (MBE, In,Al,Ga,AsP/GaAs-Heterostrukturen, InAs-Quantenpunkte auf GaAs-Substraten, MOCVDEngineering | – | – | – | – | GaAs, InAs, InGaAs, AlGaAs, In,Al,Ga,AsP/GaAs |
| Wafer-Front-End-Prozessierung inkl. Elektronenstrahllithographie (Laserchips)Engineering | – | – | – | – | GaAs, InGaAs/GaAs |
| Facet-Coating (Oberflächenpassivierung der Spaltflächen, Antireflex-Beschichtung <0,01% Reflexion,Oberfläche | – | – | – | – | GaAs, InGaAs/GaAs |
| Chip-Package: Chip-on-Carrier (CoC) und faserpigtailierte Module, Burn-in und QualitätskontrolleMontage | – | – | – | Low volumes – mid-volume, via Contract Manufacturing | GaAs, InGaAs/GaAs |
| Gerätecharakterisierung/Prüfung: LIV-Kurven, Far/Near Field, PER, optische Spektren, Noise Figure,Prüfung | – | – | – | – | – |
| Design und Entwicklung kundenspezifischer photonischer Bauelemente (Custom design,Engineering | – | – | – | – | – |
1 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| MBE-Epitaxiereaktor (Production-scale MBE reactor) | – | 2 | – | – | Dortmund, Konrad-Adenauer-Allee 11 |
Zusatzleistungen
Qualität
Jedes Modul durchläuft vor dem Versand eine Burn-in-Prozedur und eine outgoing-Qualitätskontrolle. Die Gerätecharakterisierung umfasst u. a. LIV-Kurven, Far/Near-Field, PER, optische Spektren, Noise Figure, RIN sowie Frequenz- und Phasenrauschen.
| Nachweis | Dortmund |
|---|---|
| Burn-in & outgoing QC |
Historie
- 2003
Gründung; Innolume brachte als erstes Team Quantenpunkt-Halbleiterbauelemente kommerziell auf den Markt