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Auftragshersteller für analoge, Mixed-Signal- und spezialisierte Halbleitertechnologien auf 200-mm-Silicium-Wafern

LFoundry S.r.l.

Avezzano (IT) · Landshut (DE)Neu auf Amplifa

2008Gegründet (Landshut, Deutschland)

1.300+Mitarbeitende

40.000 Wafer/MonatFab-Kapazität (200 mm)

200 mmWafergröße; kleinste Struktur 65 nm, 90 nm in

112,8 Mio. USD100-%-Übernahme durch Wuxi Xichanweixin (2019)

Über LFoundry

LFoundry S.r.l. ist ein kundenspezifischer Halbleiterhersteller (Foundry) mit Firmenzentrale und Fertigung in Avezzano, Italien. Das Unternehmen produziert integrierte Schaltkreise und spezialisierte Bauelemente auf 200-mm-Silicium-Wafern mit eigenen Technologien für 150-nm- und 110-nm-Knoten sowie optimierten CMOS-Image-Sensor-Prozessen (CIS) bis 90 nm, inklusive Back-Side-Illumination (BSI). Ergänzend werden Optoelektronik wie SiPM, SPAD und X-Ray-Detektoren, Smart-Power-Prozesse (LDMOS), MEMS, Wafer Thinning and Stacking, DBI Bonding (3D-Stacking), Lithographic Stitching sowie Back-End-Services wie Wafertest und Prototypen-Packaging angeboten. Mit MPW- und MLM-Services, PDKs, IP-Portfolios und Reference Flows unterstützt LFoundry Kunden von der Entwicklung bis zur Serienfertigung. Abnehmbranchen sind Automotive, Industrie, Medizintechnik, Sicherheit, Wissenschaft, Space Imaging und Telekommunikation. Das Werk in Avezzano erreicht eine Kapazität von 40.000 Wafern pro Monat; Vertrieb, Marketing und F&E sitzen in Landshut, Deutschland.

Standort: Avezzano (AQ)
Verfahren: CMOS Halbleiterfertigung 150nm (Basisprozess 1.8V MOS, 3.3V/5V Optionen, bis 6 Al-Metallelebenen,, CMOS Halbleiterfertigung 110nm (1.2V Core, 4-6 Metallelebenen, Lithografie down to 193nm ArF), CMOS Image Sensor (CIS) Fertigung mit optimierten Prozessen down to 90nm, Back Side Illumination (BSI) Technology, Optoelektronik Fertigung (SiPM, SPAD, X-Ray Detektoren), Smart Power Fertigung (LDMOS), MEMS Fertigung, Back-End Services: Wafertest
Werkstoffe: Silicium (200mm Wafer), Silicium (200-mm-Wafer), CMOS-Technologie 150 nm, CMOS-Technologie 110 nm, CMOS Image Sensor (CIS/BSI) bis 90 nm, Smart Power / LDMOS, MEMS-Fertigung, Al- und Cu-Metallisierung
Zertifikate: ISO 9001:2015, IATF 16949:2016, TL9000, OHSAS 18001, ISO 14001, ISO 9001:2015 (DEKRA), IATF 16949:2016 (DEKRA)
Gegründet: 2008
Mitarbeiter: 1300+
Branchen: Automotive, Industrie, Medizintechnik, Sicherheit, Wissenschaft, Space Imaging

01
Design Enablement (PDK, IP, Reference Flows)
02
MPW/MLM Service
03
Waferfertigung (CMOS 150/110 nm, CIS bis 90 nm)
04
Spezialmodule (BSI, Thinning, Stacking, DBI Bonding)
05
Back-End Services (Wafertest, Prototypen-Packaging)
06
Lieferung an Kunden weltweit

Technologien & Prozesse

Si-200mm

Silicium (200-mm-Wafer)

Basismaterial der gesamten CMOS- und Sensorspezialfertigung.

150nm

CMOS-Technologie 150 nm

Basisprozess 1,8 V MOS mit 3,3 V/5 V Optionen, bis 6 Aluminium-Metallelebenen und LDMOS bis 200 V für Mixed-Signal, RF und Hochspannung.

110nm

CMOS-Technologie 110 nm

1,2-V-Core-Prozess mit 4–6 Metallelebenen, Lithografie down to 193 nm ArF, für leistungsstarke analoge und digitale Produkte.

CIS

CMOS Image Sensor (CIS/BSI) bis 90 nm

Optimierte Prozesse inklusive Back Side Illumination für Bildsensoren, u. a. in Automotive und Industrie.

LDMOS

Smart Power / LDMOS

Hochspannungs-Leistungsprozesse bis 200 V für Automotive- und Industrieanwendungen.

MEMS

MEMS-Fertigung

Mikromechanische Bauelemente auf Basis von Standard- und Spezial-CMOS-Prozessen.

Al/Cu

Al- und Cu-Metallisierung

Aluminium-Standardmetallisierung mit Kupfer-Back-End-of-Line für Serienproduktion bei 90 nm.

Standorte

Avezzano

Firmenzentrale und Fertigung (200-mm-Fab)

Losgröße: MPW/MLM bis Serienfertigung; Kapazität 40.000 Wafer/Monat
Werkstoffe: Silicium; CMOS 150/110 nm, CIS bis 90 nm, LDMOS, MEMS

200-mm-Halbleiterfab
193-nm-ArF-Lithografie
Reinraumfertigung
Wafertest (Back-End)

Landshut

Vertrieb, Marketing und R&D

Fertigungsleistungen

**CMOS Image Sensoren (CIS/BSI)**CMOS bis 90 nm · Automotive, Industrie, Medizintechnik

**Analoge/Mixed-Signal-ICs**CMOS 150/110 nm · Industrie, Telekommunikation

**Optoelektronische Detektoren (SiPM, SPAD, X-Ray)**Si-Spezialprozesse · Sicherheit, Wissenschaft, Space Imaging

**Smart-Power-Bauelemente (LDMOS)**Hochspannung bis 200 V · Automotive

Einblicke in die Fertigung

Branchen

AutomotiveIndustrieMedizintechnikSicherheitWissenschaftSpace ImagingTelekommunikationTelekom

Verfahren & technische Grenzen

Verfahren	Toleranz	Max. Bauteil	Gewicht	Losgröße	Werkstoffe
CMOS Halbleiterfertigung 150nm (Basisprozess 1.8V MOS, 3.3V/5V Optionen, bis 6 Al-Metallelebenen,Additiv	–	200 mm Wafer	–	40.000 Wafer/Monat (Gesamtkapazität)	Silicium
CMOS Halbleiterfertigung 110nm (1.2V Core, 4-6 Metallelebenen, Lithografie down to 193nm ArF)Additiv	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
CMOS Image Sensor (CIS) Fertigung mit optimierten Prozessen down to 90nmAdditiv	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
Back Side Illumination (BSI) TechnologyAdditiv	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
Optoelektronik Fertigung (SiPM, SPAD, X-Ray Detektoren)Additiv	–	–	–	–	Silicium
Smart Power Fertigung (LDMOS)Additiv	–	–	–	–	Silicium
MEMS FertigungAdditiv	–	–	–	–	Silicium
Back-End Services: WafertestPrüfung	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
Back-End Services: Packaging von PrototypenFügen	–	–	–	–	Silicium
DBI Bonding (3D-Stacking)Fügen	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
Wafer ThinningOberfläche	–	200 mm Wafer	–	–	Silicium
Design Enablement / Design Services (PDK, IP Portfolio, Reference Flows)Engineering	–	–	–	–	–
MPW (Multi Project Wafer) und MLM ServicesAdditiv	–	–	–	–	–

2 Anlagen & Maschinen

Maschine	Hersteller / Modell	Anzahl	Arbeitsraum	Baujahr	Standort
Halbleiterfab (200mm Manufacturing Plant)	–	1	200mm Wafer	–	Avezzano, Italien
193nm ArF Lithografie	–	–	–	–	Avezzano, Italien

Zusatzleistungen

MPW (Multi-Project-Wafer)MLM (Multi-Level-Mask)CMOS Image Sensor Prozesse (CIS bis 90nm, Back Side Illumination)Back-End Services (Wafertest, Packaging von Prototypen)Wafer Thinning and StackingDBI Bonding (3D-Stacking)Lithographic StitchingOptoelektronik-Support (SiPM, SPAD, X-Ray)

Qualitätsmanagement

Das Qualitätsmanagementsystem nach ISO 9001:2015 und IATF 16949:2016 (DEKRA) deckt die Fertigung integrierter Schaltkreise ab. Produktionsumgebung, Prozesskontrolle (SPC, FDC, APC) und Lieferantenmanagement sind vollständig automatisiert und folgen APQP-Prinzipien.

Nachweis	Avezzano
ISO 9001:2015 (DEKRA)
IATF 16949:2016 (DEKRA)
ISO 14001
OHSAS 18001
TL9000

Historie

1992
Fab in Landshut von Hitachi (Renesas-Vorgänger) errichtet
2008
Gründung von LFoundry in Landshut, Deutschland
2010
Übernahme des Landshuter Werks von Renesas für 1 €; Kauf der Fabrik in Rousset (Frankreich) von Atmel
2011
Insolvenz und Schließung des Landshuter Werks (6. Oktober 2011)
2013
Insolvenz der LFoundry Rousset SAS; Micron übernimmt das Werk in Avezzano
2014
Neue Unternehmensstruktur in Avezzano, Italien
2016
SMIC erwirbt 70 % der LFoundry S.r.l. in Avezzano
2017
SMIC verleiht dem Standort Avezzano den Preis 'A1 Outstanding Contribution Fab'
2018
Mitgründung der Hubruzzo Foundation (5. Februar 2018)
2019
100 % Übernahme durch Wuxi Xichanweixin Semiconductor für 112,8 Mio. USD