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NQW – Fertigung

Hersteller kundenspezifischer Quarz-, Glas- und LT/LN-Wafer sowie Präzisionsoptik mit Fertigung in Langenzenn

NQW Logo

Nano Quarz Wafer GmbH

Langenzenn (90579) · DENeu auf Amplifa

HRB 13935, AG FürthHandelsregister
2" – 300 mmWafer-Durchmesser
100 µm – 10 mmWafer-Dicke
Klasse 4–6Reinraumklasse
20+ JahreErfahrung in Wafer-Technologie

Über Nano Quarz Wafer

Nano Quarz Wafer GmbH (NQW) ist ein Hersteller von kundenspezifischen Quarz-, Glas-, Lithiumtantalat- (LT) und Lithiumniobat-Wafern (LN) sowie Präzisionsoptiken mit Sitz in Langenzenn bei Nürnberg. Das Angebot umfasst Fused-Silica-, Glas-, Kristallquarz-, Si-, SOI- und SiC-Wafer sowie optische Filter und Dünnschichtbeschichtungen wie Anti-Reflective-, High-Reflective-, Metall-, ITO- und FTO-Coatings. Neben der Neuproduktion blanker Wafer bietet das Unternehmen Reclaim- und Prozessierungsdienste an, darunter ein- und beidseitiges Schleifen, Lappen und Polieren (bis 100 µm Dünnschicht), Reinigung, Ätzen, Downsizing, Lasermarking nach SEMI M1 sowie CNC-Kantenpolitur. Die Produktion erfolgt in Reinraumumgebung der Klasse 4-6; Wafer werden von 2" bis 300 mm Durchmesser und von 100 µm bis 10 mm Dicke gefertigt, mit Ra < 0,5 nm poliert. Abnehmerbranchen sind Mikrosystemtechnik, Medizintechnik, Laserindustrie, Telekommunikation, Halbleiter- und Optikindustrie sowie OLED-Produktion und SAW/Telecom-Anwendungen. Über Vertriebspartner liefert NQW nach Europa, in die USA, nach Singapur, China und Taiwan.

Standort
Langenzenn
Verfahren
Waferfertigung (blanke Wafer) / Wafer Technology, Thin Film Coating (Anti-Reflective, High-Reflective, Metall, ITO), Reclaim Processing (Grinding, Lapping, Polishing, Etching, Downsizing, Lasermarking), Single & Double Side Polishing, Grinding (double or single side, Front-/Backside Grinding bis 100 µm), Lapping (double or single side), Etching Service, CMP & Reclaim Process für LT/LN Wafer
Werkstoffe
Fused Silica (Quarzglas), Glas Wafer, Borofloat33, Lithium tantalate (LT, LiTaO3), Lithium niobate (LN, LiNbO3), Crystal Quartz, Silicon Wafer, SOI Wafer
Zertifikate
Integriertes Managementsystem mit Wafer-Tracking
Branchen
Mikrosystemtechnik, Medizintechnik, Laserindustrie, Telekommunikation, Halbleiterindustrie, Optikindustrie
  1. 01

    Substratzuschnitt (Glas/Kristall)

  2. 02

    Schleifen / Lapping

  3. 03

    Polieren (ein-/beidseitig)

  4. 04

    Reinigung & Ätzen

  5. 05

    Dünnschichtbeschichtung

  6. 06

    Lasermarking

  7. 07

    Messtechnik / Prüfung

Standorte

Standort Langenzenn

Langenzenn

DE

Headquarter, Produktion, Forschung & Entwicklung

Stückgewicht / Größe
2" – 300 mm Durchmesser
Losgröße
Kleine Evaluation-/Entwicklungsserien bis High Volume Production
Werkstoffe
Fused Silica, Glas, Borofloat33, Crystal Quartz, LT, LN, Si, SOI, SiC, Filterglas
  • Reinraum Klasse 4–6
  • KEYENCE 3D-Laser-Scanning-Mikroskop (2025)
  • Mitutoyo 3D-Koordinatenmessgerät
  • Poliermaschinen
  • Halbleiter-Standard-Reinigungssystem

Bauteile & Produkte

100 µm dünner Glas-Wafer
100 µm dünner Glas-WaferSchleifen/Polieren · Mikrosystemtechnik
LT-/LN-Wafer
LT-/LN-WaferCMP & Reclaim · SAW/Telecom
Strukturierter Wafer
Strukturierter WaferKundenspezifische Strukturierung · Halbleiter
Beschichtete optische Komponenten
Beschichtete optische KomponentenThin Film Coating · Optik
Prozessierte Si-Wafer auf Dicing tape
Prozessierte Si-Wafer auf Dicing tapeReclaim Processing · Halbleiter

Einblicke in die Fertigung

Poliermaschine in der Fertigung
Poliermaschine in der Fertigung
3D-Koordinatenmessgerät
3D-Koordinatenmessgerät
Waferfertigung
Waferfertigung
Genutze Wafer
Genutze Wafer
Wafer in Verpackung
Wafer in Verpackung

Branchen

MikrosystemtechnikMedizintechnikLaserindustrieTelekommunikationHalbleiterindustrieOptikindustrieOLED-ProduktionSAW/TelecomSAW/Telecom (LT/LN)

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
Waferfertigung (blanke Wafer) / Wafer TechnologyEngineeringTTV (GBIR) < 2 µm; Bow/Warp < 20 µm; LTV < 0,4 µm (5×5 mm²) · Ra < 0,5 nm poliert (AFM), Ra 0,1–2,0Durchmesser 2" bis 300 mm × Dicke 100 µm bis 10 mm–kleine Evaluation/Development Series – High Volume ProductionFused Silica, Glas, LT (LiTaO3), LN, Crystal Quartz, Si, SOI, SiC
Thin Film Coating (Anti-Reflective, High-Reflective, Metall, ITO)Oberfläche–Optiken bis 12" Durchmesser––Fused Silica, Low Expansion Glass, Filter Glass, Glas, ITO glass, FTO glass, ITO-PET
Reclaim Processing (Grinding, Lapping, Polishing, Etching, Downsizing, Lasermarking)Oberfläche–2" – 300 mm × Front-/Backside Grinding down to 100µm––Fused Silica Wafer, SiC Wafer, Silicon Wafer, Glass Wafer (Borofloat33), Quartz Crystal, LT (LiTaO3), LN (LiNbO3)
Single & Double Side PolishingOberflächeRa < 0,5 nm (poliert)2" – 300 mm––Fused Silica, Glas, Quartz, Si, SiC, LT, LN
Grinding (double or single side, Front-/Backside Grinding bis 100 µm)Zerspanung–2" – 300 mm––Fused Silica, Glas, Quartz, SiC, Si, LT, LN
Lapping (double or single side)Oberfläche–2" – 300 mm––Glas, Quartz, Fused Silica
Etching ServiceOberfläche–2" – 300 mm––Fused Silica, Glas, LT, LN
CMP & Reclaim Process für LT/LN WaferOberfläche–2" – 300 mm––Lithium tantalate, Lithium niobate
Polyimid-Film-Removal von Glaswafern (Reclaim Process)Oberfläche–2" – 300 mm––Glas (Borofloat33 u. a.)
Lasermarking (T7/OCR, SEMI M1)Oberfläche–2" – 300 mm––Glas, Quartz, Fused Silica, LT, LN
CNC edge polishing and grindingZerspanung–2" – 300 mm––Glas, Quartz, Fused Silica
Wafer-Bonding (ZIM PermanentBond, Entwicklung)FügenZiel: TTV < 2 µm–––Glas, Silicon, Lithium tantalate
Glaskreis-Substrat-Zuschnitt (glass substrate cutting)Zerspanung–bis 12"––Fused Silica, Glas, Filter Glass
Reinigung im Halbleiter-Standard-Reinigungssystem / Wafer Cleaning ServiceOberfläche––––Fused Silica, Glas, Quartz, Si, LT, LN
Optische Beschichtung nach DIN ISO 10110 / PräzisionsoptikPrüfungDIN ISO 10110–––Fused Silica, Glas, Filter Glass

4 Anlagen & Maschinen

MaschineHersteller / ModellAnzahlArbeitsraumBaujahrStandort
3D Laser Scanning MicroscopeKEYENCE1–2025Langenzenn
3D Koordinatenmessmaschine (coordinate measuring machine)Mitutoyo1––Langenzenn
Poliermaschine (Polishing Machine)––––Langenzenn
Halbleiter-Standard-Reinigungssystem (semiconductor standard cleaning system)––––Langenzenn

Zusatzleistungen

Dünnschichtbeschichtung (Anti-Reflective, High-Reflective, Metall, ITO, FTO)Reclaim Processing (LT/LN, Glass/Polyimid, Fused Silica, SiC, Si)Polishing Service (ein-/beidseitig)Schleifen/Lapping (ein-/beidseitig, bis 100µm)Cleaning & EtchingLasermarking (T7/OCR, SEMI M1)Wafer-DownsizingCNC-Kantenpolitur/-schleifenKundenspezifische Wafer-Strukturen und -Coatings

Qualität & Messtechnik

Die Produktion erfolgt in Reinraumumgebung der Klasse 4–6 mit integriertem Managementsystem und Einzel-Wafer-Tracking (QR-Code-System). Zur Messtechnik gehören ein KEYENCE 3D-Laser-Scanning-Mikroskop (2025) und ein 3D-Koordinatenmessgerät von Mitutoyo; optische Beschichtungen erfolgen nach DIN ISO 10110.

NachweisLangenzenn
Integriertes Managementsystem mit Wafer-Tracking

Historie

  1. Mehr als 20 Jahre Erfahrung in Wafer-Technologie und -Produktion

  2. 2025

    Investition in 3D-Laser-Scanning-Mikroskop (KEYENCE) und 3D-Koordinatenmessgerät (Mitutoyo)

  3. 2025

    ZIM-Projekt PermanentBond – innovatives Wafer-Bonding für Glas/Silizium/Lithiumtantalat-Verbunde

  4. 2025

    100 µm dünne Borofloat33- und Fused-Silica-Wafer in Produktion überführt

  5. 2026

    Neue Allgemeine Geschäftsbedingungen eingeführt

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