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NanoWired – Fertigung

NanoWired entwickelt galvanische NanoWiring- und KlettWelding-Verfahren zum Fügen metallischer Substrate ohne Löten oder Sintern.

NanoWired Logo

NanoWired GmbH

Gernsheim (HQ) · New Taipei City (TechCenter Asia) · Stains (Vertrieb)Neu auf Amplifa

2019Gegründet
>800 m²Fläche HQ mit Reinräumen ISO5–ISO10
50+Patente
3Standorte (DE, TW, FR)

Über NanoWired

Die NanoWired GmbH ist ein 2019 gegründetes Technologieunternehmen mit Sitz in Gernsheim (Hessen), das nach der EXIST-Forschungstransfer-Bewilligung aus dem Kick-off 2015 in Darmstadt hervorging. Kern der Firma ist das patentierte NanoWiring-Verfahren: ein galvanischer Prozess, der metallische Nanostrukturen (NanoWires) auf nahezu beliebigen Oberflächen erzeugt. Darauf basierende Fügetechnologien wie KlettWelding, KlettSintering und KlettGlueing sowie KlettWelding-Tapes ersetzen Löten, Silber-/Kupfer-Sintern, TLPS und Brazing bei metallischen oder metallisierten Substraten. Werkstoffe sind unter anderem Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Zink und Platin; als Träger eignen sich Kunststoff, Glas, Keramik, Stahl, Aluminium, Messing oder Halbleitermaterial. Anwendungen liegen in der Halbleiter- und Elektronikverpackung (Flip Chip, Die Attach, 3D Packaging, Chiplet-Integration), der Leistungselektronik mit Busbars, der Automobil-, Luft- und Raumfahrt- und Sensorik-Branche. Am Hauptsitz stehen über 800 m² mit Büros, Laboren (Spray Coater, Lithographie, Plasma Cleaner, Sinterpresse, SEM, Shear Tester) und Reinräumen der Klasse ISO5–ISO10 zur Verfügung; ein TechCenter in Taiwan und ein Vertriebsbüro in Frankreich komplettieren das Unternehmen.

Standort
Gernsheim
Verfahren
NanoWiring (galvanisches Verfahren zur Herstellung metallischer NanoWires), KlettWelding (Fügen zweier NanoWiring-Substrate bei Raumtemperatur, Scherfestigkeit 6–20 MPa), KlettWelding+ (Fügen beider NanoWiring-Flächen, 170–240 °C, Scherfestigkeit 20–65 MPa), KlettWelding-Underfill (Fügen mit Klebstoff, niedrige Temperatur, Scherfestigkeit ca. 10–50 MPa), KlettSintering (Fügen mit einer NanoWiring-Fläche, 170–240 °C, 10–30 MPa, Scherfestigkeit 20–50 MPa), KlettSintering+ (Fügen mit KlettWelding Tape, 170–240 °C, Scherfestigkeit 30–60 MPa), KlettGlueing (Fügen mit Klebstoff, 20–150 °C, 1–5 MPa, Scherfestigkeit ca. 20 MPa), KlettGlueing+ (Fügen mit KlettWelding Tape + Klebstoff, 20–150 °C, reparierbar)
Werkstoffe
Kupfer, Silber, Gold, Nickel, Zink, Platin, Polyimid (Isoliermaterial / Tape-Kern), Kunststoff (Trägermaterial)
Zertifikate
ISO 9001:2015, ISO 9001:2015 (DEKRA)
Gegründet
2019
Branchen
Halbleiter- und Elektronikverpackung, Leistungselektronik, Automotive, Luft- und Raumfahrt, Sensorik
  1. 01

    Engineering & F&E-Dienstleistung

  2. 02

    Substratvorbereitung (Reinigung, Maskierung, Lithographie)

  3. 03

    NanoWiring (galvanische NanoWire-Abscheidung)

  4. 04

    Stripping & Reinigung

  5. 05

    Fügen (KlettWelding / KlettSintering / KlettGlueing, ggf. mit Tape)

  6. 06

    Pick & Place / Montage (Die Attach, Power Module, TIM)

  7. 07

    Prüfung (SEM, konfokale Mikroskopie, Shear Tester)

Standorte

Standort Gernsheim

Gernsheim

DE

Headquarters mit Büro, Labor und Reinräumen ISO5–ISO10

Losgröße
Prototyp bis Serie
Werkstoffe
Cu, Ag, Au, Ni, Zn, Pt
  • NanoWiring Cube
  • Spray Coater
  • Lito (Lithographie)
  • Plasma Cleaner
  • Labor Sinterpresse
  • SEM
  • Shear Tester

New Taipei City (Xizhi)

TW

TechCenter Asia (NanoWired GmbH, Taiwan Branch) – alle Prozesse verfügbar, Netzwerk für Vor- und Analyseprozesse

Stains

FR

Vertriebsbüro (Davum TMC)

Anwendungen & Bauteile

3D Packaging / Chiplet-Integration
3D Packaging / Chiplet-IntegrationKlettWelding · Halbleiterverpackung
Die/Substrate Attach
Die/Substrate AttachKlettSintering · Leistungselektronik
Power Module
Power ModuleSingle Step Assembly · Automotive/Leistungselektronik
Wire Bonding Replacement / FPC
Wire Bonding Replacement / FPCNanoWiring · Elektronik
Thermal Interface Material (TIM)
Thermal Interface Material (TIM)KlettWelding Tape · Leistungselektronik

Einblicke in die Fertigung

KlettWelding – Fügen bei Raumtemperatur
KlettWelding – Fügen bei Raumtemperatur
KlettSintering – Substratfügen
KlettSintering – Substratfügen
KlettGlueing – Fügen empfindlicher Bauteile
KlettGlueing – Fügen empfindlicher Bauteile
Aus der Forschung entwickelte Verbindungstechnologie
Aus der Forschung entwickelte Verbindungstechnologie
TIE Award 2022
TIE Award 2022

Branchen

Halbleiter- und ElektronikverpackungLeistungselektronikAutomotiveLuft- und RaumfahrtSensorik

Verfahren & technische Grenzen

VerfahrenToleranzMax. BauteilGewichtLosgrößeWerkstoffe
NanoWiring (galvanisches Verfahren zur Herstellung metallischer NanoWires)Oberfläche––––Kupfer, Gold, Silber, Nickel, Zink, Platin
KlettWelding (Fügen zweier NanoWiring-Substrate bei Raumtemperatur, Scherfestigkeit 6–20 MPa)Fügen––––Kupfer, Gold, Silber, Nickel
KlettWelding+ (Fügen beider NanoWiring-Flächen, 170–240 °C, Scherfestigkeit 20–65 MPa)Fügen––––Kupfer
KlettWelding-Underfill (Fügen mit Klebstoff, niedrige Temperatur, Scherfestigkeit ca. 10–50 MPa)Fügen––––Kupfer
KlettSintering (Fügen mit einer NanoWiring-Fläche, 170–240 °C, 10–30 MPa, Scherfestigkeit 20–50 MPa)Fügen––––Kupfer
KlettSintering+ (Fügen mit KlettWelding Tape, 170–240 °C, Scherfestigkeit 30–60 MPa)Fügen––––Kupfer
KlettGlueing (Fügen mit Klebstoff, 20–150 °C, 1–5 MPa, Scherfestigkeit ca. 20 MPa)Fügen––––Kupfer
KlettGlueing+ (Fügen mit KlettWelding Tape + Klebstoff, 20–150 °C, reparierbar)Fügen––––Kupfer
KlettWelding-Tape (Klebeband/Preform mit NanoWiring, Kern Kupfer oder Polyimid, ohne Vorbehandlung)Fügen––––Kupfer (5µm, 20µm, 100µm … 2mm), Polyimid (12µm, 25µm, 50µm), Silber, Gold, Nickel
Kleben (Klebstoffanwendung vor Niederdruck-/Niedrigtemperatur-Fügen, Substitution Löten/Kleben)Fügen––––Kupfer
3D/2D Packaging (Chiplet-Integration, Fine-Pitch-Interconnects 5–10µm, 1st-level 40–50µm, 2nd-level)Montage––––Kupfer
Power Module Montage (Single Step Assembly: NanoWiring auf Wafer/FPC/DBC, Die Pick and Place)Montage––––Kupfer
Die Attach / Substrate Attach (Substitution Löten/Sintern/TLPS, Die-Scherfestigkeit 50 MPa)Montage––––Kupfer
Wire Bonding Replacement / FPCMontage––––Kupfer
Thermal Interface Material (TIM) als Tape & Reel (leitend/isolierend)Montage––––Kupfer
R&D/Dienstleistung: Verbindungs-Technologien als Ersatz für Löten, Silber-/Kupfer-Sintern und TLPSFügen––––Kupfer, Silber, Gold, Nickel
Prüfung/Messung der NanoWiring-Strukturen mittels SEM oder konfokaler MikroskopiePrüfung––––Kupfer

7 Anlagen & Maschinen

MaschineHersteller / ModellAnzahlArbeitsraumBaujahrStandort
NanoWiring Cube (vollautomatische NanoWiring-Anlage)NanoWired NanoWiring Cube–Produktionsfläche 400*300 mm, max. Substrathöhe 120 mm–Gernsheim / Kundeneinrichtungen
Spray Coater––––Gernsheim (Lab)
Lito (Lithographie)––––Gernsheim (Lab)
Plasma Cleaner––––Gernsheim (Lab)
Labor-Sinterpresse––––Gernsheim (Lab)
SEM (Rasterelektronenmikroskop)––––Gernsheim (Lab)
Shear Tester––––Gernsheim (Lab)

Zusatzleistungen

NanoWiring (galvanisches Verfahren zur Herstellung metallischer Nanostrukturen)KlettWelding (Raumtemperatur-Fügeprozess)KlettSinteringKlettGlueingKlettWelding Tape (Preforms)NanoWiring Cube (Vollautomat für Leadframe, Wafer, DBC/PCB)F&E-Dienstleistungen und Laboranwendungen3D Packaging / Chiplet-IntegrationPower-Module-LösungenDie/Substrate AttachTIM-Lösungen (leitfähig/isolierend)

Qualität & Zertifizierung

NanoWired ist nach ISO 9001:2015 durch DEKRA zertifiziert. NanoWiring-Strukturen werden per SEM oder konfokaler Mikroskopie gemessen, Oberflächen per Stereomikroskop geprüft; mechanische Eigenschaften werden mit Shear Testing verifiziert.

NachweisGernsheim
ISO 9001:2015 (DEKRA)

Historie

  1. 2015

    Gründung der Idee – Kick-off-Meeting in Darmstadt, Verbindung von Wissenschaft und Industrie um das NanoWired-Konzept

  2. 2019

    Firmengründung der NanoWired GmbH nach EXIST-Forschungstransfer-Bewilligung

  3. 2020

    Gewinner des Falling Walls Venture Award 2020

  4. 2021

    Technologischer Durchbruch: Entwicklung der Lab Machine und erste Kundeninstallationen, internationale Expansion

  5. 2022

    Gewinner des TIE Award 2022

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