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Entwickelt GaN- und SiC-Leistungshalbleiter, Treiber-ICs und System-in-Package-Lösungen für effiziente Leistungselektronik.
NovaWave AG
Biel (Schweiz) · Shenzhen (China)Neu auf Amplifa
Über NovaWave
NovaWave ist ein 2021 gegründeter Schweizer Anbieter innovativer Lösungen für Wide-Bandgap-Leistungsbauelemente der nächsten Generation. Das Unternehmen ist auf fortgeschrittene GaN- und Treibertechnologien spezialisiert und bietet ein Portfolio, das Treiber-ICs für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, GaN-Leistungsschalter (HEMTs und Bare Die) sowie komplette System-in-Package-Lösungen umfasst. Dazu kommen die GaN-on-Si-Schottky-Barriere-Diode Flash-SBD und die eigene Epitaxie-Plattform GaN-on-QST. NovaWave arbeitet als Fabless-Unternehmen: Die Waferfertigung der E-Mode-GaN-Leistungsbauelemente übernimmt der koreanische Foundry-Partner DB HiTek. Der Hauptsitz mit R&D- und Designzentrum befindet sich in Biel im Swiss Innovation Park; ein Büro in Shenzhen sichert die weltweite Kundenbetreuung. Die Produkte dienen Anwendungen in Consumer-Elektronik, drahtlosem Laden, KI und Rechenzentren, Robotik, industriellen Stromversorgungen sowie E-Mobility.
- Standort
- Biel, Schweiz
- Verfahren
- GaN/SiC power devices and driver solutions, Smart-GaN™ SiP (System-in-Package: integrierter GaN HEMT und Driver IC), Smart-Drive™ IC – Driver IC für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, Flash-SBD™ – GaN-on-Si Schottky Barrier Diode (2A – 8A), GaN HEMTs und Bare Die (650V, 100 – 600mΩ Rdson), GaN epitaxial growth (GaN-on-QST Plattform), Treiber-ICs für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETs, GaN-Leistungsschalter (HEMTs, Bare Die)
- Werkstoffe
- Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC), Silizium, Galliumnitrid (GaN), Siliziumcarbid (SiC), QST-Substrat
- Gegründet
- 2021
- Branchen
- Consumer Elektronik / Schnellladegeräte, Drahtloses Laden, Rechenzentren und KI-Infrastruktur, Erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen, Elektro- und Hybridfahrzeuge, Robotik und Automation
- 01
Device- und Schaltungsdesign (R&D, Biel)
- 02
GaN-Epitaxie-Technologie (GaN-on-QST)
- 03
Waferfertigung durch Foundry-Partner DB HiTek
- 04
Packaging / System-in-Package (SiP)
- 05
Test und Validierung
- 06
Globaler Kundensupport (Biel, Shenzhen)
Materialien & Technologien
Galliumnitrid (GaN)
Wide-Bandgap-Halbleiter für höhere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Schaltverluste und höhere Leistungsdichte als Silizium.
Siliziumcarbid (SiC)
Wide-Bandgap-Material für Treiber-ICs und Leistungsanwendungen in der industriellen Elektronik.
Silizium
Substratmaterial für die GaN-on-Si-Schottky-Barriere-Dioden (Flash-SBD).
QST-Substrat
Substratplattform für die eigene GaN-Epitaxie-Technologie GaN-on-QST.
Standorte
Biel
CHHeadquarter, R&D- und Designzentrum im Swiss Innovation Park
- Werkstoffe
- GaN, SiC
Shenzhen
CNBüro für globalen Kundensupport
Produkte & Bauelemente
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| GaN/SiC power devices and driver solutionsEngineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC) |
| Smart-GaN™ SiP (System-in-Package: integrierter GaN HEMT und Driver IC)Engineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN) |
| Smart-Drive™ IC – Driver IC für GaN, SiC, IGBTs und MOSFETsEngineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC) |
| Flash-SBD™ – GaN-on-Si Schottky Barrier Diode (2A – 8A)Engineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN), Silizium |
| GaN HEMTs und Bare Die (650V, 100 – 600mΩ Rdson)Engineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN) |
| GaN epitaxial growth (GaN-on-QST Plattform)Engineering | – | – | – | – | Gallium Nitride (GaN), QST-Substrat |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Historie
- 2021
Gründung durch ein Expertenteam aus der Leistungselektronik mit industriellen und akademischen Hintergründen; Teammitglieder (Dr. Nela, Dr. Erne) veröffentlichen ein Forschungspaper zu Multi-Channel-Nanowire-Bauelementen in Nature Electronics.
- 2022
Eröffnung des Hauptsitzes in Biel im Swiss Innovation Park als zentrales R&D- und Designzentrum.
- 2024
Teilnahme an der PCIM Europe 2024 in Nürnberg (Stand 6-210).
- 2026
Auswahl von DB HiTek (Korea) als Foundry-Partner für die Fertigung von E-Mode-GaN-Leistungsbauelementen; Teilnahme an der PCIM Europe 2026 in Nürnberg; gemeinsame Testreihe mit der University of Strathclyde: GaN-Treiberchips der 2511U1-Serie funktionieren bei –196 °C in flüssigem Stickstoff.