Ist das Ihr Unternehmen? Profil übernehmen
Entwicklung von SRAM-Computing-in-Memory-KI-Inferenzchips, HBF-Speicher und KI-Inferenzservern
深圳市九天睿芯科技有限公司 (REEXEN)
Shenzhen (Futian, Shenzhen New Generation Industrial Park, Gebäude 3, 1501-1502) · CNNeu auf Amplifa
Über REEXEN
Die Shenzhen Jiutian Ruixin Technology Co., Ltd. (REEXEN) ist ein 2019 in Shenzhen gegründetes Technologieunternehmen für KI-Inferenzarchitektur. Im Zentrum steht die MPM-Methodik (Memory–Processor–Model), bei der Speicher, Prozessor und Modell gemeinsam entwickelt werden. Das Unternehmen entwickelt SRAM-Computing-in-Memory-Chips (CIM), realisiert über 3D-vertikale Integration mit TSV und Hybrid Bonding eine Stapelung von NAND- oder DRAM-Speicher über den Rechenchips und liefert mit HBF (High Bandwidth Flash) eine Festkommerspeicher-Architektur für Modellgewichte, KV-Cache und Checkpoints. Die ADA-Produktfamilie umfasst die Inferenzboards ADA300N (NAND-Stapel), ADA300D (DRAM-Stapel) und ADA400-DN-Board mit über 2 TB Kapazität und über 4 TB/s Bandbreite für Trillion+-Parameter-Modelle, ergänzt durch KI-Inferenzserver mit Systemsoftware für LLM-, multimodale- und Agent-Anwendungen. Einsatzfelder sind Cloud-Inferenzplattformen, Edge-Knoten, Robotik, End-Cloud-Kollaboration und KI-Speichersysteme. Das Unternehmen sitzt im Shenzhen New Generation Industrial Park im Bezirk Futian und wurde als National High-Tech Enterprise sowie als Spezialisiertes und Innovatives KMU ausgezeichnet.
- Standort
- 0 Shenzhen, Futian (Meilin)
- Verfahren
- SRAM 存算一体芯片设计 (SRAM Computing in Memory), 3D 垂直集成/堆叠 (TSV, Hybrid Bonding, NAND/DRAM 垂直堆叠), HBF 高带宽固态存储 (HBF SSD ADA400), AI 推理板卡与服务器 (ADA400-DN-BOARD, 2 TB+ 容量, 4 TB/s+ 带宽), AI推理芯片与板卡设计, HBF高带宽固态存储, AI推理服务器与系统软件, 存算一体(SRAM-CIM)技术
- Werkstoffe
- SRAM, NAND (闪存), DRAM, SRAM Computing in Memory, High Bandwidth Flash (NAND), DRAM (vertikal gestapelt)
- Zertifikate
- National High-Tech Enterprise, 专精特新中小企业 (Spezialisiertes/Innovatives KMU)
- Gegründet
- 2019
- Branchen
- Generative KI / LLM-Inferenz, Edge-Computing, Robotik und Edge-Knoten, End-Cloud-Kollaboration, Cloud-KI-Inferenzplattformen, KI-Speicher
- 01
MPM-Systemdefinition und Chip-Architektur
- 02
SRAM-CIM-Chipentwurf (Custom-Schaltkreise, Datenfluss, Software-Mapping)
- 03
3D-vertikale Integration (TSV, Hybrid Bonding, NAND/DRAM-Stapelung)
- 04
HBF-固态存储-Entwicklung (ADA400)
- 05
Board-Design und Server-Integration
- 06
Systemsoftware und Modell-Mapping
Technologien & Speichertechnik
SRAM Computing in Memory
Speicher und Berechnung verschmelzen auf Transistorebene; Multiplikations-Additions-Operationen erfolgen direkt im SRAM-Array mit reduziertem Datentransfer und Energieverbrauch.
High Bandwidth Flash (NAND)
High-Bandwidth-Flash organisiert Modellgewichte, KV-Cache und Checkpoints näher an der Berechnung mit hoher Kapazität und anhaltender Bandbreite.
DRAM (vertikal gestapelt)
Stapel-DRAM (ADA300D) liefert hochbandbreitigen, latenzarmen Zugriff für Attention-Berechnungen und heißen KV-Cache.
Standorte
Shenzhen (Futian)
CNHauptsitz, Chip- und Systementwicklung
- Werkstoffe
- SRAM, NAND, DRAM
- SRAM-CIM-Chipdesign
- 3D-Integration (TSV/Hybrid Bonding)
- HBF-SSD-Entwicklung (ADA400)
- Board- und Serverintegration (ADA400-DN-Board)
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| SRAM 存算一体芯片设计 (SRAM Computing in Memory)Engineering | – | – | – | – | SRAM |
| 3D 垂直集成/堆叠 (TSV, Hybrid Bonding, NAND/DRAM 垂直堆叠)Engineering | – | – | – | – | NAND, DRAM |
| HBF 高带宽固态存储 (HBF SSD ADA400)Engineering | – | – | – | – | NAND |
| AI 推理板卡与服务器 (ADA400-DN-BOARD, 2 TB+ 容量, 4 TB/s+ 带宽)Montage | – | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Qualität & Auszeichnungen
Das Unternehmen wurde als National High-Tech Enterprise (2020, Rezertifizierung 2024) ausgezeichnet, ist Träger einer Postdoktoranden-Innovationspraxis und Mitglied der Arbeitsgruppe Supercomputing-Internet des nationalen Standardisierungsgremiums für intelligente Berechnung.
| Nachweis | Shenzhen (Futian) |
|---|---|
| National High-Tech Enterprise | |
| 专精特新中小企业 (Spezialisiertes/Innovatives KMU) |
Historie
- 2019
Unternehmensgründung in Shenzhen; erste Preisgewinnungen, u. a. 1. Platz der Shenzhen Innovation & Entrepreneurship Competition (Elektronik/IT) und FPGA-Wettbewerb der China Smart Expo.
- 2020
Anerkennung als National High-Tech Enterprise.
- 2021
Alibaba Damo „Pingtouge Track Star“ (Futian, Shenzhen); Technologie-Innovationspreis der Shenzhen High-Tech Promotion Association.
- 2022
Shenzhen „Peacock Team“ für产学研übergreifende Technologieentwicklung; NICT-Innovationsproduktpreis für ADA100; Aufnahme in die China Potential Unicorn List.
- 2023
Auszeichnung als Spezialisiertes und Innovatives KMU (专精特新); Top 30 China AI Chip Pioneer der Global AI Chip Summit.
- 2024
Rezertifizierung als National High-Tech Enterprise; Shenzhen Major Science & Technology Project; Mitglied der Standardarbeitsgruppe Supercomputing-Internet.
- 2025
B-Finanzierungsrunde über 100 Mio. CNY; Einrichtung einer Postdoktoranden-Innovationspraxis; Top 100 Shenzhen Industry Leaders.
- 2026
B+-Finanzierungsrunde; Vorstellung einer Lösung für Trillion-Parameter-Modell-Inferenz auf einer einzelnen Karte (HBF/SSD als HBM-Alternative).