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Entwickelt und fertigt Halbleiter und eingebettete Lösungen für Automotive, Industrie, Infrastruktur und IoT.
Renesas Electronics Corporation
Tokio (Zentrale) · Yonezawa · Oita · Nishiki · Naka · Takasaki · Saijo · Kawashiri · Kulim · Beijing · SuzhouNeu auf Amplifa
Über Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation ist ein japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio und beschäftigt nach eigenen Angaben mehr als 21.000 Mitarbeitende in über 30 Ländern. Das Portfolio umfasst Mikrocontroller (MCU), Mikroprozessoren (MPU), analoge ICs, Power- und GaN-Halbleiter, Sensorik sowie Konnektivitätslösungen, ergänzt durch Software, Entwicklungswerkzeuge und Referenzdesigns. Die Produkte werden unter anderem in der Automobiltechnik, industriellen Automatisierung, Unterhaltungselektronik, Kommunikationsinfrastruktur, Robotik, im Gesundheitswesen und in KI-Rechenzentren eingesetzt. Eigene Fertigungsbetriebe mit IATF-16949-Zertifizierung liegen in Japan (u. a. Yonezawa, Oita, Nishiki, Naka, Takasaki, Saijo, Kawashiri) sowie in Malaysia und China; die GaN-Technologie basiert auf einer vertikal integrierten eigenen Waferfertigung. Das Unternehmen unterstützt Kunden zusätzlich bei Funktionssicherheit nach ISO 26262, IEC 61508 und IEC/UL 60730 sowie bei Embedded-Security und Edge-AI-Entwicklung.
- Standort
- Yonezawa
- Verfahren
- Embedded-/Systemlösungen, Entwicklungstools, Software & Referenzdesigns, AI/ML-Entwicklungsumgebung (e-AI Translator, Reality AI Tools), Funktionssicherheits-Support (ISO 26262, IEC 61508, IEC/UL 60730), Technischer Support, Support-Communities, Knowledge Base
- Werkstoffe
- Galliumnitrid (GaN), PR40-Prozesstechnologie, Silizium
- Zertifikate
- ISO 9001, IATF 16949, Funktionssicherheit-Support (ISO 26262/IEC 61508)
- Mitarbeiter
- >21000
- Branchen
- Automotive, Industrie/Industrial Automation, Consumer Electronics, Communications Infrastructure, IoT, Robotik
- 01
Chipentwurf (Design)
- 02
Waferfertigung
- 03
Test
- 04
Package & Final Test
- 05
Software und Entwicklungswerkzeuge
- 06
Technischer Support
Technologien und Verfahren
Galliumnitrid (GaN)
Wide-Bandgap-Halbleiter für diskrete Power-GaN-FETs, GaN-Treiber und -Controller in 45 W bis über 10 kW Anwendungen, gefertigt im eigenen Waferprozess.
PR40-Prozesstechnologie
Komplementärer Bipolarprozess auf gebondeten SOI-Substraten für Hochspannungs-Präzisionsanaloganwendungen.
Silizium
Basismaterial für MCU-, MPU-, Analog- und Connectivity-ICs.
Fertigungsstandorte
Yonezawa
JPFabrik
- Werkstoffe
- Halbleiter
Oita
JPFabrik
- Werkstoffe
- Halbleiter
Nishiki
JPFabrik
- Werkstoffe
- Halbleiter
Naka
JPFabrik (Renesas Semiconductor Manufacturing)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Takasaki
JPFabrik (Renesas Semiconductor Manufacturing)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Saijo
JPFabrik (Renesas Semiconductor Manufacturing)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Kawashiri
JPFabrik (Renesas Semiconductor Manufacturing)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Kulim
MYFabrik (Renesas Semiconductor KL)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Beijing
CNFabrik (Renesas Semiconductor Beijing)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Suzhou
CNFabrik (Renesas Semiconductor Suzhou)
- Werkstoffe
- Halbleiter
Bauteile








Einblicke in die Fertigung







Branchen
Zusatzleistungen
Qualität und Zertifizierungen
Renesas folgt einer groupweiten Qualitätsrichtlinie mit einheitlichem Qualitätsmanagementsystem über Vertrieb, Entwicklung und Fertigung; Fabriken in Japan, Malaysia und China sind nach IATF 16949 zertifiziert, zahlreiche Gruppengesellschaften nach ISO 9001. Zu den Prüf- und Unterstützungsleistungen gehören Zuverlässigkeitsberichte (auch für frühere Intersil-Produkte) sowie Funktionssicherheits-Support nach ISO 26262, IEC 61508 und IEC/UL 60730.
| Nachweis | Unternehmen |
|---|---|
| IATF 16949 | |
| ISO 9001 | |
| Funktionssicherheit-Support (ISO 26262/IEC 61508) |
Historie
- 2019
Einführung der RA-Familie 32-Bit Arm Cortex-M Mikrocontroller für IoT-Anwendungen.
- 2024
Renesas rad-harte ICs (Intersil-Marke) an Bord des ersten japanischen Mondlanders SLIM der JAXA.
- 2026
Ausbau des GaN-Portfolios: 650-V-GaN im beidseitig gekühlten 8x8-mm-Gehäuse und erste Low-Voltage-GaN-FETs für KI-Rechenzentren und Robotik.