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Entwickelt und fertigt leistungsfähige Halbleiter und Embedded-Lösungen für Automotive, Industrie und vernetzte Technologien.
Renesas Electronics Corporation
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Über Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation ist ein börsennotierter Halbleiterhersteller mit Sitz in Japan, der Mikrocontroller, Mikroprozessoren, System-on-Chips, Analog-ICs, Leistungs- und Connectivity-Produkte sowie zugehörige Embedded-Software und Entwicklungswerkzeuge entwickelt. Das Portfolio umfasst 32-Bit-MCUs (RA-Familie mit Arm Cortex-M), RL78-MCUs, RZ-MPUs für HMI und Edge-AI sowie GaN-Leistungshalbleiter für Leistungswandlungen von 45 W bis über 10 kW. Die GaN-Technologie basiert auf einem vertikal integrierten Modell mit eigener Wafer-Fertigung, einschließlich epitaktischer Materialien, Device-Struktur und Packaging; im Analogbereich kommt der PR40-Prozess auf Bonded-SOI-Substraten für Hochspannungs-Präzisionsanalog-Anwendungen zum Einsatz. Neben diskreten GaN-FETs, Treibern und Controllern bietet Renesas Evaluierungs- und Prototyping-Boards, Referenzdesigns und KI-Entwicklungstools wie DRP-AI Translator und DRP-AI TVM an. Zu den Abnehmerbranchen zählen Automotive, Industrie- und Fabrikautomation, Infrastruktur und IoT, Consumer Electronics, Kommunikationsinfrastruktur, Erneuerbare Energien, Robotik und Healthcare. Das Unternehmen beschäftigt über 21.000 Mitarbeitende in mehr als 30 Ländern.
- Verfahren
- Halbleiter-Design und Embedded-Systemlösungen (MCU, MPU, SoC, Analog, Power, Connectivity), Eigene GaN-Wafer-Fertigung (vertikal integriertes Wafer-Prozess-Modell, epitaaktische Materialien,, GaN-Leistungshalbleiter: diskrete GaN-FETs (100V REXGaN®, 650V beidseitig gekühlt 8x8mm), Hi-Rel, IC-Packaging (z. B. FCLGA 5×6 mm, WLCSP, STQFN, SOI-Substrate), PR40 Prozess: komplementärer Bipolar-Prozess auf Bonded-SOI-Substraten für, Embedded Software- und Tool-Entwicklung (e² studio, FSP, DRP-AI Translator, DRP-AI TVM, e-AI, Referenzdesign- und Systemlösungsentwicklung (HMI, Motorsteuerung, Power Conversion 45W–>10kW,, Evaluierungsboard-/Kit-Entwicklung und Bereitstellung (Fast Prototyping Boards, Evaluation Kits,
- Werkstoffe
- Galliumnitrid (GaN), Silizium (Halbleiter-Wafer), Bonded-SOI-Substrat
- Mitarbeiter
- 21.000+
- Branchen
- Automotive, Industrie/Industrial Automation, Infrastruktur & IoT, Consumer Electronics, Kommunikationsinfrastruktur, Renewable Energy/Grid
- 01
Chip-Design (MCU, MPU, SoC, Analog, Power, Connectivity)
- 02
Eigene GaN-Wafer-Fertigung (vertikal integriertes Prozess-Modell)
- 03
IC-Packaging (FCLGA, WLCSP, STQFN, SOI-Substrate)
- 04
Embedded-Software- und Tool-Entwicklung
- 05
Referenzdesign- und Systemlösungsentwicklung
- 06
Evaluierungsboard-/Kit-Entwicklung und Bereitstellung
- 07
Technischer Support über Engineering Community
Werkstoffe & Verfahren
Galliumnitrid (GaN)
Leistungshalbleiter im vertikal integrierten Wafer-Prozess-Modell für hocheffiziente, leistungsdichte Stromwandlung von 45 W bis über 10 kW.
Silizium (Halbleiter-Wafer)
Grundmaterial für Mikrocontroller, Mikroprozessoren, Analog-ICs und Leistungsprodukte.
Bonded-SOI-Substrat
Substrat des PR40-Prozesses, eines komplementären Bipolar-Prozesses für Hochspannungs-Präzisionsanalog-Anwendungen.
Produkte & Packages
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Halbleiter-Design und Embedded-Systemlösungen (MCU, MPU, SoC, Analog, Power, Connectivity)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN), Silizium |
| Eigene GaN-Wafer-Fertigung (vertikal integriertes Wafer-Prozess-Modell, epitaaktische Materialien,Sonstiges | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| GaN-Leistungshalbleiter: diskrete GaN-FETs (100V REXGaN®, 650V beidseitig gekühlt 8x8mm), Hi-RelSonstiges | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| IC-Packaging (z. B. FCLGA 5×6 mm, WLCSP, STQFN, SOI-Substrate)Sonstiges | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN), Silizium |
| PR40 Prozess: komplementärer Bipolar-Prozess auf Bonded-SOI-Substraten fürSonstiges | – | – | – | – | Silizium, SOI-Substrat |
| Embedded Software- und Tool-Entwicklung (e² studio, FSP, DRP-AI Translator, DRP-AI TVM, e-AIEngineering | – | – | – | – | – |
| Referenzdesign- und Systemlösungsentwicklung (HMI, Motorsteuerung, Power Conversion 45W–>10kW,Engineering | – | – | – | – | – |
| Evaluierungsboard-/Kit-Entwicklung und Bereitstellung (Fast Prototyping Boards, Evaluation Kits,Engineering | – | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Historie
- 2019
Zusammenarbeit mit Xilinx an Versal ACAP-Referenzdesigns; Einführung der 32-Bit-RA-MCU-Familie (Arm Cortex-M) und des Bluetooth-5-MCU RX23W.
- 2020
Einführung der 32-Bit-RA-MCU-Familie (Arm Cortex-M) für IoT-Anwendungen.
- 2023
Renesas veröffentlichte sein erstes Wi-Fi-Entwicklungskit mit Unterstützung für das Matter-Protokoll.
- 2024
Japans erster Mondlander SLIM landete mit strahlungsharten ICs von Renesas (Intersil-Marke) an Bord.