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SAXON Q fertigt raumtemperatur-Quantencomputer auf Basis von NV-Zentren in Diamant – entwickelt und gefertigt in Leipzig.
SAXON Q
LeipzigNeu auf Amplifa
Über SAXON Q
SAXON Q mit Sitz in Leipzig entwickelt und fertigt Quantencomputer, die auf NV-Zentren (Stickstoff-Fehlstellen-Zentren) in synthetischem Diamant basieren und bei Raumtemperatur (293 K) betrieben werden – ohne Kryotechnik, Verdünnungskryostaten oder Vakuumkammern. Die Fertigung folgt vier Prozessschritten aus der etablierten Halbleiterfertigung: deterministische Ionenimplantation einzelner Stickstoffatome (mit Schwefel-Co-Implantation) in den Diamant-Chip mit Platziergenauigkeit von 3 nm (sub-5 nm), thermisches Ausglühen im Vakuumofen zur Bildung stabiler NV-Zentren, Nano-Verdrahtung mit transparenten koplanaren Mikrowellen-Wellenleitern und Steuer-Gates per CMOS-Lithographie sowie optische und HF-Steuerung der Spinzustände. Das Produktportfolio umfasst den SXQ 4 (4 Qubits, ausgeliefert 2023–2025), die Multicore-Systeme SXQ128 (128 Qubits) und SXQ512 (512 Qubits) sowie die Roadmap SXQ 10k mit über 10.000 Qubits auf einem Chip. Systeme sind per Qiskit, OpenQASM und einer eigenen Gate-Sprache programmierbar. Kunden und Partner sind u. a. DLR und Fraunhofer (IWU); SAXON Q ist zertifizierter Bechtle-Partner und hält über 220 Patente.
- Standort
- Leipzig
- Verfahren
- Ionenimplantation (Stickstoff- und Schwefel-Implantation in Diamant, deterministische Platzierung, Thermisches Ausglühen (Vakuumofen, Diffusion von Kohlenstoff-Vakanzen zur NV-Zentren-Bildung), Nano-Verdrahtung & CMOS-Lithographie (transparente koplanare Mikrowellen-Wellenleiter und, Optische & RF-Steuerung (Initialisierung und Auslesung der Spinzustände, Mikrowellen-Gates), Qiskit/OpenQASM-kompatible Programmierung, Quantum-as-a-Service-Hardwarelieferung (SXQ128 orderbar, SXQ512 ab Q2 2027)
- Werkstoffe
- Synthetischer Diamant (NV-Zentrum-Chip), Stickstoff (Single-Atom-Implantation), Schwefel (Co-Implantation)
- Branchen
- Robotik, Automotive, Luft- und Raumfahrt, Edge AI, Defense, Forschung
- 01
Ionenimplantation (Stickstoff/Schwefel in Diamant)
- 02
Thermisches Ausglühen (Vakuumofen)
- 03
Nano-Verdrahtung & CMOS-Lithographie
- 04
Optische & RF-Steuerung
- 05
Systemintegration & Auslieferung
Werkstoffe & Verfahren
Synthetischer Diamant (NV-Zentrum-Chip)
Trägermaterial mit Milliarden Kohlenstoffatomen, in dem NV-Zentren als stabile Qubits bei Raumtemperatur gebildet werden.
Stickstoff (Single-Atom-Implantation)
Einzeln auf Gitterkoordinaten implantierte Stickstoffatome bilden mit einer benachbarten Fehlstelle die NV-Qubits.
Schwefel (Co-Implantation)
Co-Implantation zur Erzeugung großer Qubit-Arrays mit Nanometer-Präzision und hoher Ausbeute.
Standorte
Leipzig
DEHauptsitz, Entwicklung & Fertigung
- Werkstoffe
- Synthetischer Diamant, Stickstoff, Schwefel
- Raumtemperatur-Quantencomputer SXQ 4/SXQ128/SXQ512 (NV-Zentrum)
- Vakuumofen (Thermal Annealing)
- Ionenimplantationsanlage (Standard-Halbleiter-Equipment)
- CMOS-Lithographie-Anlage
Systeme
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Ionenimplantation (Stickstoff- und Schwefel-Implantation in Diamant, deterministische PlatzierungFügen | 3 nm Platziergenauigkeit (sub-5 nm) | – | – | – | Synthetischer Diamant, Stickstoff, Schwefel |
| Thermisches Ausglühen (Vakuumofen, Diffusion von Kohlenstoff-Vakanzen zur NV-Zentren-Bildung)Wärmebehandlung | – | – | – | – | Synthetischer Diamant |
| Nano-Verdrahtung & CMOS-Lithographie (transparente koplanare Mikrowellen-Wellenleiter undOberfläche | 5 nm Präzision | – | – | – | Synthetischer Diamant |
| Optische & RF-Steuerung (Initialisierung und Auslesung der Spinzustände, Mikrowellen-Gates)Prüfung | – | – | – | – | Synthetischer Diamant |
6 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| Raumtemperatur-Quantencomputer (NV-Zentrum) | SAXON Q SXQ 4 | – | 4 Qubits, 1 Core, Betriebstemperatur 18–27 °C | – | Leipzig |
| Raumtemperatur-Quantencomputer (NV-Zentrum, Multicore) | SAXON Q SXQ 128 | – | 128 Qubits, 16/32 Cores, Betriebstemperatur 18–27 °C | – | Leipzig |
| Raumtemperatur-Quantencomputer (NV-Zentrum, Multicore) | SAXON Q SXQ 512 | – | 512 Qubits, 16/32 Cores, Betriebstemperatur 18–27 °C | – | Leipzig |
| Vakuumofen (Thermal Annealing) | – | – | – | – | Leipzig |
| Ionenimplantationsanlage (Standard-Halbleiter-Fab-Equipment) | – | – | – | – | – |
| CMOS-Lithographie-Anlage | – | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Historie
- 2021
Referenzpublikation: Quantencomputer auf Basis von Farbzentren in Diamant (Pezzagna/Meijer, Appl. Phys. Rev. 8, 011308).
- 2023–2025
SXQ 4 (4 Qubits, Raumtemperatur) ausgeliefert und bei ersten Kunden live im Einsatz.
- 2025
Erste öffentliche Live-Demo in Hannover.
- 2026
Bestellungen für SXQ128 (128 Qubits) und SXQ512 (512 Qubits) eröffnet; erste 3-Qubit-Grover-Suche mit Fraunhofer IWU auf einem kommerziellen raumtemperatur-Quantencomputer publiziert.
- 2030+
Roadmap SXQ 10k: einzelner, einbettbarer Chip mit über 10.000 Qubits.