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Entwickelt und fertigt UHV-Instrumente für Elektronenspektroskopie, Rastersondenmikroskopie und Dünnschichtabscheidung
Scienta Omicron GmbH
Uppsala (SE) · Taunusstein (DE) · Denver, CO (US) · Peking (CN) · Seoul (KR)Neu auf Amplifa
Über Scienta Omicron
Scienta Omicron ist ein Hersteller von Hochtechnologie-Instrumenten für Oberflächenphysik und Nanotechnologie. Das Unternehmen entwickelt und produziert an seinen Technologiezentren in Uppsala (Schweden) und Taunusstein (Deutschland) Systeme für Elektronenspektroskopie (XPS/ESCA, ARPES, HAXPES, APXPS), Rastersondenmikroskopie (STM, AFM) und Dünnschichtabscheidung (Molekularstrahlepitaxie, thermisches Verdampfen, Sputtern), sämtlich für den Einsatz unter Ultrahochvakuum (UHV). Neben Einzelkomponenten werden kundenspezifische UHV-Cluster als Materials Innovation Platforms (MIP) angeboten, basierend auf einer Plattformstrategie mit mehr als 85 Oberflächenanalyse- und Abscheidetechniken und über 1000 ausgelieferten UHV-Systemen. Abnehmer sind Forschungseinrichtungen und Industrie, insbesondere in den Bereichen Batterie- und Materialforschung, Quantentechnologien, Elektronik, Solarindustrie und Sensorik. Vertrieb und Service erfolgen weltweit über vier regionale Hubs in den USA, China, Japan und Deutschland sowie Partner in Südkorea, Singapur, Taiwan, Australien und Indien.
- Standort
- Taunusstein
- Verfahren
- Elektronenspektroskopie (XPS, ESCA), Photoelektronenspektroskopie (PES, ARPES), HAXPES (Harte Röntgen-Photoelektronenspektroskopie, als Service: ACCESS-HAXPES), APPES / APXPS (Umgebungsdruck-Photoelektronenspektroskopie), Rastersondenmikroskopie (SPM): STM, AFM, Molekularstrahlepitaxie (MBE) / Dünnschichtabscheidung, Thermisches Verdampfen und Sputtern (Dünnschichtabscheidung), Rasterelektronenmikroskopie (SEM, UHV Gemini)
- Werkstoffe
- Tantalnitrid (Ta₃N₅), NiOx (Nickeloxid), Silizium (Si(111) 7x7, silicon surface), Gold (Au(111) surface), Niobdiselenid (NbSe2), Natriumchlorid (NaCl(100)), Tantal (Ta-Pins, Ta-Folie in VUV5k Source), Photoelektronenspektroskopie (XPS, ARPES, HAXPES, APPES)
- Branchen
- Oberflächenphysik und Nanotechnologie, Materialforschung (Batterien, Quantentechnologien, Elektronik, Solarindustrie,, Forschungseinrichtungen und Universitäten, Oberflächenphysik- und Nanotechnologieforschung, Wissenschaft/Forschungseinrichtungen
- 01
Systemdesign und Engineering
- 02
Fertigung und Montage der UHV-Komponenten
- 03
Integration von Analyse- und Abscheidemodulen
- 04
Installation beim Kunden
- 05
Service, Wartung und Upgrades
- 06
Schulung und Beratung
Technologien und Verfahren
Photoelektronenspektroskopie (XPS, ARPES, HAXPES, APPES)
Misst chemische und elektronische Zustände in Materialien, von Oberflächen bis zum Volumen.
Rastersondenmikroskopie (STM, AFM)
Abbildet die physikalische Struktur von Oberflächen bis auf atomarer Ebene.
Molekularstrahlepitaxie / Dünnschichtabscheidung
Aufbau von Materialproben durch epitaktisches Wachstum unter UHV-Bedingungen.
Ultrahochvakuum-Systemtechnik
Plattformbasis (CREATE, LTL, RDC, MISTRAL) für kundenspezifische Multi-Technik-Systeme.
Standorte
Uppsala
SEHauptsitz und Technologiezentrum (Entwicklung und Produktion)
- ARPES-Analysesysteme (R4000, DA30-L, DA20)
- SPM-Systeme
- MBE-Anlagen
Taunusstein
DETechnologiezentrum (Entwicklung und Produktion); Vertrieb und Service Europa/Rest der Welt
- UHV-Systemfertigung
- Applikationslabor
- MISTRAL Steuerungssysteme
Denver, CO
USRegional Hub Vertrieb und Service Amerika
Peking
CNRegional Hub Vertrieb und Service China
Seoul
KRVertrieb und Service Südkorea
Instrumente und Komponenten
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Elektronenspektroskopie (XPS, ESCA)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Photoelektronenspektroskopie (PES, ARPES)Prüfung | – | – | – | – | – |
| HAXPES (Harte Röntgen-Photoelektronenspektroskopie, als Service: ACCESS-HAXPES)Prüfung | – | – | – | – | – |
| APPES / APXPS (Umgebungsdruck-Photoelektronenspektroskopie)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Rastersondenmikroskopie (SPM): STM, AFMPrüfung | – | – | – | – | – |
| Molekularstrahlepitaxie (MBE) / DünnschichtabscheidungAdditiv | – | – | – | – | – |
| Thermisches Verdampfen und Sputtern (Dünnschichtabscheidung)Additiv | – | – | – | – | – |
| Rasterelektronenmikroskopie (SEM, UHV Gemini)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Auger-Elektronenspektroskopie (AES/NanoSAM)Prüfung | – | – | – | – | – |
| LEED (Niedrigenergie-Elektronenbeugung)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Sputtern / Ionenätzen zur Probenreinigung und Tiefenprofilierung (FDG15/FDG150 Ion Source)Oberfläche | – | – | – | – | – |
| Lithographie im UHV-SPM (large-scale lithography, z. B. Qubit-Strukturen)Engineering | – | – | – | – | Silizium, Gold |
| UHV-Probenmanipulation (Open/Closed Cycle Sample Manipulators, <3.5 K bis RT)Engineering | – | – | – | – | – |
| Material Innovationsplattformen (MIP) - UHV-Cluster mit Wachstum und In-situ-CharakterisierungEngineering | – | – | – | – | – |
| UHV-Systemdesign und kundenspezifische Systemlösungen (CREATE Platform, >85 Oberflächenanalyse- undEngineering | – | – | – | – | – |
| Systemservice, Wartung, Upgrades, Schulung, BeratungEngineering | – | – | – | – | – |
22 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| LT STM (Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop) | Scienta Omicron LT STM | – | Extended Range Scanner: >10x10x0.5 µm³ bei 77 K; >4x4x0.3 µm³ bei 5 K | – | – |
| SPM (Scanning Probe Microscope) | Scienta Omicron POLAR | – | – | – | – |
| SPM (Scanning Probe Microscope, Closed Cycle, 9 K) | Scienta Omicron INFINITY | – | – | – | – |
| SPM (Scanning Probe Microscope) | Scienta Omicron STREAM | – | – | – | – |
| UHV-SEM (Rasterelektronenmikroskop) | Scienta Omicron UHV Gemini | – | Scan-Parameter 10 ns bis 500 ms | – | – |
| Halbkugel-Analysator (Photoelektronenspektroskopie) | Scienta Omicron DA30-L | – | – | – | – |
| Halbkugel-Analysator / ARPES-Lab | Scienta Omicron DA20 | – | – | – | – |
| ARPES-Analysesystem | Scienta Omicron R4000 | – | – | – | – |
| Analysator-Systeme | Scienta Omicron EW4000, HiPP-3, DFS30 | – | – | – | – |
| Ionensputterquelle | Scienta Omicron FDG15 | – | Spot-Größe variabel 300 µm bis 10 mm | – | – |
| Feinfokus-Ionenquelle | Scienta Omicron FDG 150 | – | – | – | – |
| Material Innovation Platform (UHV-Cluster) | Scienta Omicron MIP | – | – | – | – |
| UHV-Plattform / Modulsystem | Scienta Omicron CREATE Platform | – | – | – | – |
| Linear Transfer Line (UHV-Probenhandling) | Scienta Omicron LTL | – | – | – | – |
| Radial Distribution Chamber (rotierbarer Transferarm, bis 4" Wafer) | Scienta Omicron RDC | – | bis 4" Wafer | – | – |
| UHV-Vakuumsteuerung | Scienta Omicron MISTRAL | – | – | – | – |
| UHV-Transportkoffer (bis 6 Probenhalter) | Scienta Omicron UHV Suitcase | – | – | – | – |
| Vakuum-UV-Quelle | Scienta Omicron VUV5k | – | – | – | – |
| MBE-Anlage mit integrierter Analyse | Omicron | – | – | 2000 | – |
| Photoelektronenmikroskop-System | Scienta Omicron NanoESCA | – | – | 2007 | – |
| Tieftemperatur-Nanoprobe | Scienta Omicron LT Nanoprobe | – | – | 2013 | – |
| STM mit variabler Temperatur (4 bis über 1000 K) | Omicron VT STM | – | – | 1996 | – |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Historie
- 1983
Gründung von Scienta, ausgehend vom Nobelpreis 1981 für Kai Siegbahn (ESCA/XPS)
- 1984
Gründung von Omicron (Omicron Vakuumphysik GmbH) durch Norbert Nold und Ernst Lang
- 1987
Erstes kommerzielles UHV-STM (STM 1)
- 1996
VT STM erhält den R&D 100 Award
- 1999
Omicron als „Hidden Champion“ ausgezeichnet
- 2000
Erste MBE-Anlage mit integrierter Analysemöglichkeit
- 2007
NanoESCA-System erhält den R&D 100 Award
- 2011
Omicron gehört zu Oxford Instruments plc
- 2013
LT Nanoprobe-System erhält den R&D 100 Award
- 2015
Zusammenschluss von VG Scienta und Omicron NanoTechnology zu Scienta Omicron